Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

Mô tả ngắn gọn:

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidelà một linh kiện có độ chính xác cao, độ bền cao được thiết kế cho các ứng dụng trong môi trường khắc nghiệt như sản xuất chất bán dẫn, hệ thống hàng không vũ trụ và robot tiên tiến. Với vai trò kép của nó—là mộtcấu trúc hỗ trợ hình nĩavà như mộtbộ phận cuối giống như bàn tay robot—thành phần này mang lại tính linh hoạt vô song trong việc xử lý, hỗ trợ hoặc vận chuyển các bộ phận dễ vỡ hoặc có giá trị.

Được sản xuất bằng kỹ thuật chế biến gốm tiên tiến, tay đòn/tay đòn SiC cung cấp sự kết hợp độc đáo giữađộ cứng cơ học, độ ổn định nhiệt, Vàkhả năng chống hóa chất, khiến nó trở thành sự thay thế lý tưởng cho cánh tay kim loại hoặc polymer thông thường trong các hệ thống đòi hỏi hiệu suất lâu dài dưới áp lực và điều kiện khắc nghiệt.


Đặc trưng

Giới thiệu về Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidelà một linh kiện xử lý tiên tiến được phát triển cho các hệ thống tự động hóa có độ chính xác cao, đặc biệt là trong ngành công nghiệp bán dẫn và quang học. Linh kiện này có thiết kế hình chữ U đặc biệt, được tối ưu hóa cho việc xử lý wafer, đảm bảo cả độ bền cơ học và độ chính xác kích thước trong điều kiện môi trường khắc nghiệt. Được chế tạo từ gốm silicon carbide có độ tinh khiết cao,tay/tay nĩamang lại độ cứng, độ ổn định nhiệt và khả năng chống hóa chất đặc biệt.

Khi các thiết bị bán dẫn phát triển theo hướng hình học mịn hơn và dung sai chặt chẽ hơn, nhu cầu về các thành phần không bị nhiễm bẩn và ổn định nhiệt trở nên quan trọng.Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon CarbideĐáp ứng thách thức này bằng cách cung cấp khả năng tạo ra ít hạt, bề mặt siêu mịn và tính toàn vẹn cấu trúc mạnh mẽ. Dù là trong vận chuyển wafer, định vị đế hay đầu dụng cụ robot, linh kiện này đều được thiết kế để đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ cao.

Những lý do chính để chọn điều nàyTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidebao gồm:

  • Độ giãn nở nhiệt tối thiểu cho độ chính xác về kích thước

  • Độ cứng cao cho tuổi thọ dài

  • Khả năng chống axit, kiềm và khí phản ứng

  • Khả năng tương thích với môi trường phòng sạch ISO Class 1

SIC fork2
Phuộc SIC4

Nguyên lý sản xuất của tay nĩa/tay nĩa bằng gốm silicon carbide

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđược sản xuất thông qua quy trình xử lý gốm được kiểm soát chặt chẽ nhằm đảm bảo tính chất vật liệu vượt trội và tính đồng nhất về kích thước.

1. Chuẩn bị bột

Quy trình bắt đầu bằng việc lựa chọn bột silicon carbide siêu mịn. Các loại bột này được trộn với chất kết dính và chất trợ thiêu kết để tạo điều kiện nén chặt và làm đặc.tay/tay nĩaBột β-SiC hoặc α-SiC được sử dụng để đảm bảo cả độ cứng và độ dẻo dai.

2. Định hình và Tạo hình

Tùy thuộc vào độ phức tạp củatay/tay nĩaThiết kế này cho phép tạo hình chi tiết bằng phương pháp ép đẳng tĩnh, ép phun hoặc đúc trượt. Điều này cho phép tạo ra hình học phức tạp và cấu trúc thành mỏng, rất quan trọng đối với tính chất nhẹ của sản phẩm.Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide.

3. Thiêu kết nhiệt độ cao

Quá trình thiêu kết được thực hiện ở nhiệt độ trên 2000°C trong môi trường chân không hoặc khí argon. Giai đoạn này biến đổi vật liệu xanh thành một thành phần gốm được nén chặt hoàn toàn.tay/tay nĩađạt được mật độ gần lý thuyết, mang lại các tính chất cơ học và nhiệt vượt trội.

4. Gia công chính xác

Sau khi thiêu kết,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon CarbideĐược mài kim cương và gia công CNC. Điều này đảm bảo độ phẳng trong khoảng ±0,01 mm và cho phép lắp đặt các lỗ lắp và các chi tiết định vị quan trọng cho việc lắp đặt trong các hệ thống tự động.

5. Hoàn thiện bề mặt

Đánh bóng làm giảm độ nhám bề mặt (Ra < 0,02 μm), rất cần thiết để giảm sự hình thành hạt. Có thể áp dụng lớp phủ CVD tùy chọn để cải thiện khả năng chống plasma hoặc bổ sung chức năng như chống tĩnh điện.

Trong suốt quá trình này, các giao thức kiểm soát chất lượng được áp dụng để đảm bảoTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidehoạt động đáng tin cậy trong những ứng dụng nhạy cảm nhất.

Thông số của Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Tính chất của SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể Pha β của FCC
Tỉ trọng g/cm³ 3.21
Độ cứng Độ cứng Vickers 2500
Kích thước hạt μm 2~10
Độ tinh khiết hóa học % 99,99995
Nhiệt dung J·kg-1 ·K-1 640
Nhiệt độ thăng hoa 2700
Sức mạnh Felexural MPa (RT 4 điểm) 415
Môđun Young Gpa (4pt uốn cong, 1300℃) 430
Sự giãn nở vì nhiệt (CTE) 10-6K-1 4,5
Độ dẫn nhiệt (W/mK) 300

Ứng dụng của Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđược sử dụng rộng rãi trong nhiều ngành công nghiệp đòi hỏi độ tinh khiết cao, độ ổn định và độ chính xác cơ học cao. Bao gồm:

1. Sản xuất chất bán dẫn

Trong chế tạo chất bán dẫn,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđược sử dụng để vận chuyển các tấm wafer silicon trong các công cụ xử lý như buồng khắc, hệ thống lắng đọng và thiết bị kiểm tra. Khả năng chịu nhiệt và độ chính xác kích thước của nó giúp giảm thiểu tối đa sự lệch và nhiễm bẩn của wafer.

2. Sản xuất tấm hiển thị

Trong sản xuất màn hình OLED và LCD,tay/tay nĩađược ứng dụng trong các hệ thống gắp và đặt, nơi xử lý các vật liệu thủy tinh dễ vỡ. Khối lượng thấp và độ cứng cao cho phép chuyển động nhanh và ổn định mà không bị rung hoặc lệch.

3. Hệ thống quang học và quang tử

Để căn chỉnh và định vị thấu kính, gương hoặc chip quang tử,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidecung cấp khả năng hỗ trợ chống rung, rất quan trọng trong các ứng dụng xử lý laser và đo lường chính xác.

4. Hệ thống hàng không vũ trụ và chân không

Trong các hệ thống quang học hàng không vũ trụ và các thiết bị chân không, cấu trúc chống ăn mòn, không từ tính của thành phần này đảm bảo tính ổn định lâu dài.tay/tay nĩacũng có thể hoạt động trong điều kiện chân không cực cao (UHV) mà không thải ra khí.

Trong tất cả các lĩnh vực này,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidevượt trội hơn các loại vật liệu thay thế truyền thống bằng kim loại hoặc polyme về độ tin cậy, độ sạch và tuổi thọ.

en_177_d780dae2bf2639e7dd5142ca3d29c41d_image

Câu hỏi thường gặp về Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

Câu hỏi 1: Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide hỗ trợ những kích thước wafer nào?

Cáctay/tay nĩaCó thể tùy chỉnh để hỗ trợ wafer 150 mm, 200 mm và 300 mm. Khoảng cách càng, chiều rộng tay đòn và kiểu lỗ có thể được điều chỉnh để phù hợp với nền tảng tự động hóa cụ thể của bạn.

Câu hỏi 2: Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide có tương thích với hệ thống chân không không?

Vâng.tay/tay nĩaPhù hợp cho cả hệ thống chân không thấp và chân không siêu cao. Sản phẩm có tỷ lệ thoát khí thấp và không thải ra các hạt bụi, lý tưởng cho môi trường phòng sạch và chân không.

Câu hỏi 3: Tôi có thể thêm lớp phủ hoặc sửa đổi bề mặt cho tay/tay phuộc không?

Chắc chắn rồi.Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidecó thể được phủ lớp CVD-SiC, carbon hoặc oxit để tăng cường khả năng chống plasma, tính chất chống tĩnh điện hoặc độ cứng bề mặt.

Câu hỏi 4: Chất lượng của tay/tay phuộc được xác minh như thế nào?

MỗiTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon CarbideKiểm tra kích thước bằng máy đo CMM và laser. Chất lượng bề mặt được đánh giá bằng phương pháp SEM và đo biên dạng không tiếp xúc để đáp ứng các tiêu chuẩn ISO và SEMI.

Câu hỏi 5: Thời gian hoàn thành đơn đặt hàng tay/tay nâng tùy chỉnh là bao lâu?

Thời gian thực hiện thường dao động từ 3 đến 5 tuần tùy thuộc vào độ phức tạp và số lượng. Chúng tôi có thể tạo mẫu nhanh cho các yêu cầu khẩn cấp.

Những câu hỏi thường gặp này nhằm mục đích giúp các kỹ sư và nhóm mua sắm hiểu được các khả năng và tùy chọn có sẵn khi lựa chọnTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide.

Giới thiệu về chúng tôi

XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh công nghệ cao các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp linh kiện quang học Sapphire, vỏ ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide SIC, thạch anh và wafer tinh thể bán dẫn. Với chuyên môn cao và thiết bị tiên tiến, chúng tôi vượt trội trong lĩnh vực gia công sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.

14--silicon-carbide-coated-thin_494816

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi