Tay nâng/tay nâng bằng gốm Silicon Carbide SiC cho các hệ thống xử lý quan trọng

Tay nắm/tay nâng bằng gốm SiC Silicon Carbide dành cho hệ thống xử lý quan trọng Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidelà một linh kiện tiên tiến được phát triển cho tự động hóa công nghiệp tiên tiến, xử lý bán dẫn và môi trường siêu sạch. Kiến trúc chẻ đôi đặc biệt và bề mặt gốm siêu phẳng của nó lý tưởng để xử lý các chất nền mỏng manh, bao gồm wafer silicon, tấm kính và thiết bị quang học. Được thiết kế chính xác và sản xuất từ silicon carbide siêu tinh khiết,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidecung cấp độ bền cơ học, độ tin cậy về nhiệt và khả năng kiểm soát ô nhiễm vô song.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Sơ đồ chi tiết

Giới thiệu về Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

Không giống như cánh tay kim loại hoặc nhựa thông thường,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidemang lại hiệu suất ổn định trong điều kiện nhiệt độ, hóa chất và chân không khắc nghiệt. Dù hoạt động trong phòng sạch Cấp 1 hay trong buồng plasma chân không cao, bộ phận này đảm bảo vận chuyển các chi tiết có giá trị một cách an toàn, hiệu quả và không để lại cặn.

Với cấu trúc được thiết kế riêng cho cánh tay robot, bộ xử lý wafer và các công cụ chuyển giao tự động,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidelà bản nâng cấp thông minh cho bất kỳ hệ thống có độ chính xác cao nào.

Quy trình sản xuất tay nĩa/tay cầm bằng gốm silicon carbide

Tạo ra một hiệu suất caoTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidebao gồm quy trình kỹ thuật gốm được kiểm soát chặt chẽ đảm bảo khả năng lặp lại, độ tin cậy và tỷ lệ lỗi cực thấp.

1. Kỹ thuật vật liệu

Chỉ có bột silicon carbide có độ tinh khiết cực cao mới được sử dụng trong quá trình chế tạoTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide, đảm bảo độ nhiễm ion thấp và độ bền khối cao. Bột được pha trộn chính xác với các chất phụ gia thiêu kết và chất kết dính để đạt được độ đặc tối ưu.

2. Hình thành cấu trúc cơ sở

Hình học cơ sở củatay/tay nĩađược tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh lạnh hoặc ép phun, đảm bảo mật độ xanh cao và phân bố ứng suất đồng đều. Cấu hình chữ U được tối ưu hóa về tỷ lệ độ cứng trên trọng lượng và khả năng phản ứng động.

3. Quá trình thiêu kết

Cơ thể xanh củaTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđược thiêu kết trong lò nung khí trơ nhiệt độ cao ở nhiệt độ trên 2000°C. Bước này đảm bảo mật độ gần như lý thuyết, tạo ra một thành phần chống nứt, cong vênh và biến dạng kích thước dưới tải trọng nhiệt thực tế.

4. Mài và gia công chính xác

Công cụ kim cương CNC tiên tiến được sử dụng để định hình kích thước cuối cùng củaTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide. Dung sai chặt chẽ (±0,01 mm) và bề mặt hoàn thiện phẳng như gương giúp giảm thiểu việc giải phóng các hạt và ứng suất cơ học.

5. Xử lý và làm sạch bề mặt

Hoàn thiện bề mặt cuối cùng bao gồm đánh bóng hóa học và làm sạch siêu âm để chuẩn bịtay/tay nĩađể tích hợp trực tiếp vào các hệ thống siêu sạch. Lớp phủ tùy chọn (CVD-SiC, lớp chống phản xạ) cũng có sẵn.

Quá trình tỉ mỉ này đảm bảo rằng mỗiTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđáp ứng các tiêu chuẩn công nghiệp nghiêm ngặt nhất, bao gồm các yêu cầu về phòng sạch SEMI và ISO.

Thông số của Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

Mục	Điều kiện thử nghiệm	Dữ liệu	Đơn vị
Hàm lượng Silicon Carbide	/	>99,5	%
Kích thước hạt trung bình	/	4-10	micron
Tỉ trọng	/	>3,14	g/cm3
Độ xốp biểu kiến	/	<0,5	Thể tích %
Độ cứng Vickers	HV0.5	2800	Kg/mm2
Mô đun đứt gãy (3 điểm)	Kích thước thanh thử: 3 x 4 x 40mm	450	MPa
Cường độ nén	20°C	3900	MPa
Mô đun đàn hồi	20°C	420	GPa
Độ bền gãy	/	3,5	MPa/m^1/2
Độ dẫn nhiệt	20°C	160	W/(mK)
Điện trở suất	20°C	10⁶-10⁸	Ωcm
Hệ số giãn nở nhiệt	20°C-800°C	4.3	K^-110^-6
Nhiệt độ ứng dụng tối đa	Khí quyển Oxit	1600	°C
Nhiệt độ ứng dụng tối đa	Bầu khí quyển trơ	1950	°C

Ứng dụng của Tay nĩa/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđược thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng có độ chính xác cao, rủi ro cao và nhạy cảm với ô nhiễm. Nó cho phép xử lý, vận chuyển hoặc hỗ trợ các thành phần quan trọng một cách đáng tin cậy mà không gặp bất kỳ sự cố nào.

➤ Ngành công nghiệp bán dẫn

Được sử dụng như một cái nĩa robot trong quá trình chuyển wafer đầu vào và các trạm FOUP.
Được tích hợp vào buồng chân không để khắc plasma và quy trình PVD/CVD.
Có chức năng như một cánh tay đỡ trong các công cụ đo lường và căn chỉnh wafer.

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideloại bỏ nguy cơ phóng tĩnh điện (ESD), hỗ trợ độ chính xác về kích thước và chống ăn mòn plasma.

➤ Photonics và Quang học

Hỗ trợ các thấu kính tinh xảo, tinh thể laser và cảm biến trong quá trình chế tạo hoặc kiểm tra.
Độ cứng cao giúp ngăn ngừa rung động, trong khi thân gốm chống nhiễm bẩn bề mặt quang học.

➤ Sản xuất màn hình và bảng điều khiển

Xử lý kính mỏng, mô-đun OLED và tấm nền LCD trong quá trình vận chuyển hoặc kiểm tra.
Phẳng và trơ về mặt hóa họcTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidebảo vệ chống trầy xước hoặc ăn mòn hóa học.

➤ Hàng không vũ trụ và Thiết bị khoa học

Được sử dụng trong lắp ráp quang học vệ tinh, robot chân không và thiết lập đường chùm tia synchrotron.
Hoạt động hoàn hảo trong phòng sạch đạt chuẩn không gian và môi trường dễ bị bức xạ.

Trong mỗi lĩnh vực,Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidenâng cao hiệu quả hệ thống, giảm thiểu hỏng hóc bộ phận và giảm thiểu thời gian chết.

Câu hỏi thường gặp về Tay cầm/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide

Câu hỏi 1: Điều gì làm cho Tay cầm/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide tốt hơn các loại tay cầm bằng kim loại?

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidecó độ cứng vượt trội, mật độ thấp hơn, khả năng chống hóa chất tốt hơn và độ giãn nở nhiệt thấp hơn đáng kể so với kim loại. Nó cũng tương thích với phòng sạch và không bị ăn mòn hoặc tạo ra hạt.

Câu hỏi 2: Tôi có thể yêu cầu kích thước tùy chỉnh cho Tay cầm/Tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide không?

Có. Chúng tôi cung cấp dịch vụ tùy chỉnh hoàn chỉnh, bao gồm chiều rộng, độ dày, lỗ lắp, đường cắt và xử lý bề mặt. Cho dù là wafer 6", 8" hay 12", bạn...tay/tay nĩacó thể được điều chỉnh cho phù hợp.

Câu hỏi 3: Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide có thể sử dụng được trong bao lâu khi gia công bằng plasma hoặc chân không?

Nhờ vật liệu SiC mật độ cao và bản chất trơ,tay/tay nĩaVẫn hoạt động tốt ngay cả sau hàng ngàn chu kỳ xử lý. Thiết bị ít bị hao mòn dưới tải nhiệt plasma hoặc chân không khắc nghiệt.

Câu hỏi 4: Sản phẩm có phù hợp với phòng sạch ISO Class 1 không?

Chắc chắn rồi.Tay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbideđược sản xuất và đóng gói tại các cơ sở phòng sạch được chứng nhận, với mức độ hạt thấp hơn nhiều so với yêu cầu của ISO Class 1.

Câu hỏi 5: Nhiệt độ hoạt động tối đa của tay/tay nâng này là bao nhiêu?

CácTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbidecó thể hoạt động liên tục ở nhiệt độ lên tới 1500°C, do đó phù hợp để sử dụng trực tiếp trong các buồng xử lý nhiệt độ cao và hệ thống chân không nhiệt.

Những câu hỏi thường gặp này phản ánh những mối quan tâm kỹ thuật phổ biến nhất từ các kỹ sư, quản lý phòng thí nghiệm và nhà tích hợp hệ thống sử dụngTay cầm/tay nĩa bằng gốm Silicon Carbide.

Giới thiệu về chúng tôi

XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh công nghệ cao các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp linh kiện quang học Sapphire, vỏ ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide SIC, thạch anh và wafer tinh thể bán dẫn. Với chuyên môn cao và thiết bị tiên tiến, chúng tôi vượt trội trong lĩnh vực gia công sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.