Thỏi silicon carbide (SiC) 6 inch loại N, độ dày tiêu chuẩn/cao cấp có thể tùy chỉnh.

Mô tả ngắn gọn:

Silicon Carbide (SiC) là vật liệu bán dẫn có dải năng lượng rộng, đang ngày càng được ứng dụng rộng rãi trong nhiều ngành công nghiệp nhờ các đặc tính điện, nhiệt và cơ học vượt trội. Khối SiC loại N 6 inch (loại Dummy/Prime) được thiết kế đặc biệt để sản xuất các thiết bị bán dẫn tiên tiến, bao gồm các ứng dụng công suất cao và tần số cao. Với các tùy chọn độ dày có thể tùy chỉnh và thông số kỹ thuật chính xác, khối SiC này cung cấp giải pháp lý tưởng cho việc phát triển các thiết bị được sử dụng trong xe điện, hệ thống điện công nghiệp, viễn thông và các lĩnh vực hiệu suất cao khác. Độ bền của SiC trong điều kiện điện áp cao, nhiệt độ cao và tần số cao đảm bảo hiệu suất lâu dài, hiệu quả và đáng tin cậy trong nhiều ứng dụng khác nhau.
Thỏi SiC có kích thước 6 inch, đường kính 150,25mm ± 0,25mm và độ dày lớn hơn 10mm, lý tưởng cho việc cắt lát wafer. Sản phẩm này có định hướng bề mặt xác định rõ ràng là 4° về phía <11-20> ± 0,2°, đảm bảo độ chính xác cao trong chế tạo thiết bị. Ngoài ra, thỏi còn có định hướng phẳng chính là <1-100> ± 5°, góp phần tối ưu hóa sự căn chỉnh tinh thể và hiệu suất xử lý.
Với điện trở suất cao trong khoảng 0,015–0,0285 Ω·cm, mật độ vi ống thấp (<0,5) và chất lượng cạnh tuyệt vời, phôi SiC này phù hợp cho việc sản xuất các thiết bị điện tử công suất đòi hỏi ít khuyết tật và hiệu suất cao trong điều kiện khắc nghiệt.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Của cải

Loại: Loại dùng trong sản xuất (Hàng mẫu/Hàng chính)
Kích thước: Đường kính 6 inch
Đường kính: 150,25mm ± 0,25mm
Độ dày: >10mm (Có thể tùy chỉnh độ dày theo yêu cầu)
Hướng bề mặt: 4° về phía <11-20> ± 0,2°, đảm bảo chất lượng tinh thể cao và sự căn chỉnh chính xác cho việc chế tạo thiết bị.
Hướng phẳng chính: <1-100> ± 5°, một đặc điểm quan trọng để cắt khối kim loại thành các tấm mỏng một cách hiệu quả và tối ưu hóa sự phát triển tinh thể.
Chiều dài phẳng ban đầu: 47,5mm ± 1,5mm, được thiết kế để dễ cầm nắm và cắt chính xác.
Điện trở suất: 0,015–0,0285 Ω·cm, lý tưởng cho các ứng dụng trong các thiết bị điện hiệu suất cao.
Mật độ vi ống: <0,5, đảm bảo giảm thiểu tối đa các khuyết tật có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các thiết bị được chế tạo.
Mật độ rỗ Boron (BPD): <2000, một giá trị thấp cho thấy độ tinh khiết tinh thể cao và mật độ khuyết tật thấp.
Mật độ sai lệch ren (TSD): <500, đảm bảo tính toàn vẹn vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị hiệu suất cao.
Vùng đa dạng cấu trúc: Không có – thỏi kim loại không có khuyết tật đa dạng cấu trúc, mang lại chất lượng vật liệu vượt trội cho các ứng dụng cao cấp.
Vết lõm cạnh: <3mm, với chiều rộng và độ sâu 1mm, đảm bảo giảm thiểu hư hại bề mặt và duy trì tính toàn vẹn của phôi để cắt lát wafer hiệu quả.
Vết nứt cạnh: 3 vết, mỗi vết <1mm, tỷ lệ hư hỏng cạnh thấp, đảm bảo an toàn khi cầm nắm và gia công tiếp theo.
Đóng gói: Hộp đựng wafer – thỏi SiC được đóng gói chắc chắn trong hộp đựng wafer để đảm bảo vận chuyển và xử lý an toàn.

Ứng dụng

Điện tử công suất:Thỏi SiC 6 inch được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các thiết bị điện tử công suất như MOSFET, IGBT và điốt, những thành phần thiết yếu trong hệ thống chuyển đổi năng lượng. Các thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong bộ biến tần xe điện (EV), bộ điều khiển động cơ công nghiệp, bộ nguồn và hệ thống lưu trữ năng lượng. Khả năng hoạt động ở điện áp cao, tần số cao và nhiệt độ khắc nghiệt của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng mà các thiết bị silicon (Si) truyền thống khó có thể hoạt động hiệu quả.

Xe điện (EV):Trong xe điện, các linh kiện làm từ SiC đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển các mô-đun nguồn cho bộ biến tần, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ sạc trên xe. Khả năng dẫn nhiệt vượt trội của SiC giúp giảm thiểu sự sinh nhiệt và tăng hiệu quả chuyển đổi năng lượng, điều này rất quan trọng để nâng cao hiệu suất và phạm vi hoạt động của xe điện. Ngoài ra, các thiết bị SiC cho phép tạo ra các linh kiện nhỏ hơn, nhẹ hơn và đáng tin cậy hơn, góp phần vào hiệu suất tổng thể của hệ thống xe điện.

Hệ thống năng lượng tái tạo:Các thỏi SiC là vật liệu thiết yếu trong việc phát triển các thiết bị chuyển đổi năng lượng được sử dụng trong hệ thống năng lượng tái tạo, bao gồm biến tần năng lượng mặt trời, tua bin gió và các giải pháp lưu trữ năng lượng. Khả năng chịu tải điện năng cao và khả năng quản lý nhiệt hiệu quả của SiC cho phép đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn và độ tin cậy được cải thiện trong các hệ thống này. Việc sử dụng SiC trong năng lượng tái tạo góp phần thúc đẩy các nỗ lực toàn cầu hướng tới sự bền vững năng lượng.

Viễn thông:Khối SiC 6 inch cũng thích hợp để sản xuất các linh kiện được sử dụng trong các ứng dụng tần số vô tuyến (RF) công suất cao. Chúng bao gồm các bộ khuếch đại, bộ dao động và bộ lọc được sử dụng trong hệ thống viễn thông và truyền thông vệ tinh. Khả năng xử lý tần số cao và công suất cao của SiC làm cho nó trở thành vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị viễn thông đòi hỏi hiệu suất mạnh mẽ và tổn thất tín hiệu tối thiểu.

Hàng không vũ trụ và quốc phòng:Điện áp đánh thủng cao và khả năng chịu nhiệt độ cao của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng. Các linh kiện được làm từ phôi SiC được sử dụng trong hệ thống radar, truyền thông vệ tinh và điện tử công suất cho máy bay và tàu vũ trụ. Vật liệu dựa trên SiC cho phép các hệ thống hàng không vũ trụ hoạt động trong các điều kiện khắc nghiệt gặp phải trong không gian và môi trường độ cao lớn.

Tự động hóa công nghiệp:Trong tự động hóa công nghiệp, các linh kiện SiC được sử dụng trong cảm biến, bộ truyền động và hệ thống điều khiển cần hoạt động trong môi trường khắc nghiệt. Các thiết bị dựa trên SiC được sử dụng trong máy móc đòi hỏi các linh kiện hiệu quả, bền bỉ, có khả năng chịu được nhiệt độ cao và ứng suất điện.

Bảng thông số kỹ thuật sản phẩm

Tài sản	Thông số kỹ thuật
Cấp	Sản xuất (Bản nháp/Bản chính)
Kích cỡ	6 inch
Đường kính	150,25mm ± 0,25mm
Độ dày	>10mm (Có thể tùy chỉnh)
Định hướng bề mặt	4° hướng về phía <11-20> ± 0,2°
Định hướng phẳng chính	<1-100> ± 5°
Chiều dài phẳng chính	47,5mm ± 1,5mm
Điện trở suất	0,015–0,0285 Ω·cm
Mật độ vi ống	<0,5
Mật độ rỗ Boron (BPD)	<2000
Mật độ sai lệch ren vít (TSD)	<500
Khu vực đa dạng	Không có
Các vết lõm ở cạnh	<3, chiều rộng và độ sâu 1mm
Vết nứt cạnh	3, <1mm/cái
Đóng gói	Vỏ wafer

Phần kết luận

Thỏi SiC 6 inch – loại N (dạng Dummy/Prime) là vật liệu cao cấp đáp ứng các yêu cầu khắt khe của ngành công nghiệp bán dẫn. Độ dẫn nhiệt cao, điện trở suất vượt trội và mật độ khuyết tật thấp khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho việc sản xuất các thiết bị điện tử công suất tiên tiến, linh kiện ô tô, hệ thống viễn thông và hệ thống năng lượng tái tạo. Độ dày có thể tùy chỉnh và thông số kỹ thuật chính xác đảm bảo rằng thỏi SiC này có thể được điều chỉnh cho nhiều ứng dụng khác nhau, đảm bảo hiệu suất cao và độ tin cậy trong môi trường khắc nghiệt. Để biết thêm thông tin hoặc đặt hàng, vui lòng liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi.