Silicon Carbide SiC Thỏi 6 inch N loại Độ dày giả / lớp chính có thể tùy chỉnh

Silicon Carbide SiC Thỏi 6 inch N loại Độ dày giả / lớp chính có thể được tùy chỉnh

Mô tả ngắn gọn:

Silicon Carbide (SiC) là vật liệu bán dẫn có dải rộng đang thu hút được sự chú ý đáng kể trong nhiều ngành công nghiệp nhờ các đặc tính điện, nhiệt và cơ học vượt trội của nó. SiC Ingot ở loại Dummy/Prime loại N 6 inch được thiết kế đặc biệt để sản xuất các thiết bị bán dẫn tiên tiến, bao gồm các ứng dụng công suất cao và tần số cao. Với các tùy chọn độ dày có thể tùy chỉnh và thông số kỹ thuật chính xác, phôi SiC này cung cấp giải pháp lý tưởng để phát triển các thiết bị dùng trong xe điện, hệ thống điện công nghiệp, viễn thông và các lĩnh vực hiệu suất cao khác. Độ bền của SiC trong điều kiện điện áp cao, nhiệt độ cao và tần số cao đảm bảo hiệu suất lâu dài, hiệu quả và đáng tin cậy trong nhiều ứng dụng.
Phôi SiC có kích thước 6 inch, với đường kính 150,25 mm ± 0,25 mm và độ dày lớn hơn 10 mm, lý tưởng cho việc cắt wafer. Sản phẩm này cung cấp hướng bề mặt được xác định rõ ràng từ 4° đến <11-20> ± 0,2°, đảm bảo độ chính xác cao trong chế tạo thiết bị. Ngoài ra, phôi có hướng phẳng chính <1-100> ± 5°, góp phần vào hiệu suất xử lý và căn chỉnh tinh thể tối ưu.
Với điện trở suất cao trong khoảng 0,015–0,0285 Ω·cm, mật độ micropipe thấp <0,5 và chất lượng cạnh tuyệt vời, SiC Ingot này phù hợp để sản xuất các thiết bị điện có yêu cầu tối thiểu về khuyết tật và hiệu suất cao trong các điều kiện khắc nghiệt.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Của cải

Lớp: Lớp sản xuất (Giả/Prime)
Kích thước: đường kính 6 inch
Đường kính: 150,25mm ± 0,25mm
Độ dày: >10 mm (Độ dày có thể tùy chỉnh theo yêu cầu)
Định hướng bề mặt: 4° về phía <11-20> ± 0,2°, đảm bảo chất lượng tinh thể cao và căn chỉnh chính xác cho việc chế tạo thiết bị.
Định hướng phẳng sơ cấp: <1-100> ± 5°, một tính năng quan trọng để cắt phôi hiệu quả thành các tấm bán dẫn và để phát triển tinh thể tối ưu.
Chiều dài phẳng sơ cấp: 47,5mm ± 1,5mm, được thiết kế để dễ dàng xử lý và cắt chính xác.
Điện trở suất: 0,015–0,0285 Ω·cm, lý tưởng cho các ứng dụng trong các thiết bị điện hiệu suất cao.
Mật độ micropipe: <0,5, đảm bảo tối thiểu các khuyết tật có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các thiết bị được chế tạo.
BPD (Mật độ rỗ Boron): <2000, giá trị thấp biểu thị độ tinh thể cao và mật độ khuyết tật thấp.
TSD (Mật độ lệch trục vít): <500, đảm bảo tính toàn vẹn vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị hiệu suất cao.
Vùng đa dạng: Không có – phôi không có khuyết tật về đa dạng, mang lại chất lượng vật liệu vượt trội cho các ứng dụng cao cấp.
Vết lõm cạnh: <3, với chiều rộng và chiều sâu 1mm, đảm bảo giảm thiểu hư hại bề mặt và duy trì tính toàn vẹn của phôi để cắt wafer hiệu quả.
Các vết nứt ở cạnh: 3, mỗi vết <1mm, ít xảy ra hư hỏng ở cạnh, đảm bảo xử lý an toàn và xử lý tiếp.
Đóng gói: Vỏ wafer - phôi SiC được đóng gói an toàn trong hộp wafer để đảm bảo vận chuyển và xử lý an toàn.

Ứng dụng

Điện tử công suất:Thỏi SiC 6 inch được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các thiết bị điện tử công suất như MOSFET, IGBT và điốt, là những thành phần thiết yếu trong hệ thống chuyển đổi năng lượng. Những thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong bộ biến tần xe điện (EV), bộ truyền động động cơ công nghiệp, bộ nguồn và hệ thống lưu trữ năng lượng. Khả năng hoạt động ở điện áp cao, tần số cao và nhiệt độ khắc nghiệt của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng mà các thiết bị silicon (Si) truyền thống gặp khó khăn để hoạt động hiệu quả.

Xe điện (EV):Trong xe điện, các thành phần dựa trên SiC rất quan trọng để phát triển các mô-đun nguồn trong bộ biến tần, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ sạc trên xe. Độ dẫn nhiệt vượt trội của SiC cho phép giảm sinh nhiệt và hiệu quả chuyển đổi năng lượng tốt hơn, điều này rất quan trọng để nâng cao hiệu suất và phạm vi lái xe của xe điện. Ngoài ra, thiết bị SiC còn hỗ trợ các bộ phận nhỏ hơn, nhẹ hơn và đáng tin cậy hơn, góp phần nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống xe điện.

Hệ thống năng lượng tái tạo:Các thỏi SiC là vật liệu thiết yếu trong việc phát triển các thiết bị chuyển đổi năng lượng được sử dụng trong các hệ thống năng lượng tái tạo, bao gồm bộ biến tần năng lượng mặt trời, tua bin gió và các giải pháp lưu trữ năng lượng. Khả năng xử lý năng lượng cao và quản lý nhiệt hiệu quả của SiC cho phép hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn và độ tin cậy được cải thiện trong các hệ thống này. Việc sử dụng nó trong năng lượng tái tạo giúp thúc đẩy các nỗ lực toàn cầu hướng tới sự bền vững về năng lượng.

Viễn thông:Thỏi SiC 6 inch cũng thích hợp để sản xuất các linh kiện dùng trong các ứng dụng RF (tần số vô tuyến) công suất cao. Chúng bao gồm các bộ khuếch đại, bộ tạo dao động và bộ lọc được sử dụng trong các hệ thống thông tin viễn thông và vệ tinh. Khả năng xử lý tần số cao và công suất cao của SiC khiến nó trở thành vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị viễn thông yêu cầu hiệu suất mạnh mẽ và mất tín hiệu tối thiểu.

Hàng không vũ trụ và quốc phòng:Điện áp đánh thủng cao và khả năng chịu nhiệt độ cao của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng. Các thành phần làm từ thỏi SiC được sử dụng trong hệ thống radar, thông tin vệ tinh và điện tử công suất cho máy bay và tàu vũ trụ. Vật liệu dựa trên SiC cho phép các hệ thống hàng không vũ trụ hoạt động trong các điều kiện khắc nghiệt gặp phải trong môi trường không gian và độ cao.

Tự động hóa công nghiệp:Trong tự động hóa công nghiệp, các thành phần SiC được sử dụng trong các cảm biến, bộ truyền động và hệ thống điều khiển cần hoạt động trong môi trường khắc nghiệt. Các thiết bị dựa trên SiC được sử dụng trong các máy móc đòi hỏi các bộ phận hiệu quả, bền lâu, có khả năng chịu được nhiệt độ cao và ứng suất điện.

Bảng thông số kỹ thuật sản phẩm

Tài sản	Đặc điểm kỹ thuật
Cấp	Sản xuất (Giả/Prime)
Kích cỡ	6 inch
Đường kính	150,25mm ± 0,25mm
độ dày	> 10 mm (Có thể tùy chỉnh)
Định hướng bề mặt	4° hướng tới <11-20> ± 0,2°
Định hướng phẳng chính	<1-100> ± 5°
Chiều dài phẳng chính	47,5mm ± 1,5mm
Điện trở suất	0,015–0,0285 Ω·cm
Mật độ micropipe	<0,5
Mật độ rỗ Boron (BPD)	<2000
Mật độ trật khớp ren (TSD)	<500
Khu vực đa dạng	Không có
Thụt lề cạnh	<3, chiều rộng và chiều sâu 1mm
Vết nứt cạnh	3, <1mm/ea
đóng gói	Vỏ wafer

Phần kết luận

Phôi SiC 6 inch – loại N-type Dummy/Prime là vật liệu cao cấp đáp ứng các yêu cầu khắt khe của ngành bán dẫn. Độ dẫn nhiệt cao, điện trở suất đặc biệt và mật độ khuyết tật thấp khiến nó trở thành sự lựa chọn tuyệt vời để sản xuất các thiết bị điện tử công suất tiên tiến, linh kiện ô tô, hệ thống viễn thông và hệ thống năng lượng tái tạo. Độ dày có thể tùy chỉnh và thông số kỹ thuật chính xác đảm bảo rằng phôi SiC này có thể được điều chỉnh cho phù hợp với nhiều ứng dụng, đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao trong các môi trường đòi hỏi khắt khe. Để biết thêm thông tin hoặc đặt hàng, vui lòng liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi.