Thỏi SiC Silicon Carbide 6 inch loại N Độ dày giả/cấp chính có thể tùy chỉnh
Của cải
Cấp độ: Cấp độ sản xuất (giả/chính)
Kích thước: đường kính 6 inch
Đường kính: 150,25mm ± 0,25mm
Độ dày: >10mm (Độ dày có thể tùy chỉnh theo yêu cầu)
Định hướng bề mặt: 4° về phía <11-20> ± 0,2°, đảm bảo chất lượng tinh thể cao và căn chỉnh chính xác để chế tạo thiết bị.
Hướng phẳng chính: <1-100> ± 5°, một đặc điểm quan trọng để cắt thỏi thành các tấm wafer hiệu quả và để tinh thể phát triển tối ưu.
Chiều dài phẳng chính: 47,5mm ± 1,5mm, được thiết kế để dễ dàng xử lý và cắt chính xác.
Điện trở suất: 0,015–0,0285 Ω·cm, lý tưởng cho các ứng dụng trong các thiết bị điện hiệu suất cao.
Mật độ ống vi mô: <0,5, đảm bảo giảm thiểu tối đa các khuyết tật có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các thiết bị chế tạo.
BPD (Mật độ rỗ Bo): <2000, giá trị thấp cho thấy độ tinh khiết của tinh thể cao và mật độ khuyết tật thấp.
TSD (Mật độ lệch vít ren): <500, đảm bảo tính toàn vẹn vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị hiệu suất cao.
Khu vực Polytype: Không có – thỏi không có lỗi polytype, mang lại chất lượng vật liệu vượt trội cho các ứng dụng cao cấp.
Rãnh cạnh: <3, có chiều rộng và chiều sâu 1mm, đảm bảo giảm thiểu thiệt hại bề mặt và duy trì tính toàn vẹn của thỏi để cắt lát wafer hiệu quả.
Vết nứt ở cạnh: 3 vết nứt <1mm mỗi vết, ít khi xảy ra hư hỏng ở cạnh, đảm bảo an toàn khi xử lý và gia công tiếp theo.
Đóng gói: Vỏ wafer – thỏi SiC được đóng gói an toàn trong vỏ wafer để đảm bảo vận chuyển và xử lý an toàn.
Ứng dụng
Điện tử công suất:Thỏi SiC 6 inch được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các thiết bị điện tử công suất như MOSFET, IGBT và diode, là những thành phần thiết yếu trong hệ thống chuyển đổi năng lượng. Các thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong bộ biến tần xe điện (EV), bộ truyền động động cơ công nghiệp, nguồn điện và hệ thống lưu trữ năng lượng. Khả năng hoạt động ở điện áp cao, tần số cao và nhiệt độ khắc nghiệt của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng mà các thiết bị silicon (Si) truyền thống khó có thể hoạt động hiệu quả.
Xe điện (EV):Trong xe điện, các thành phần dựa trên SiC đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển các mô-đun nguồn trong bộ biến tần, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ sạc trên xe. Độ dẫn nhiệt vượt trội của SiC cho phép giảm tỏa nhiệt và cải thiện hiệu suất chuyển đổi điện, điều này rất quan trọng để nâng cao hiệu suất và phạm vi lái xe của xe điện. Ngoài ra, các thiết bị SiC cho phép các thành phần nhỏ hơn, nhẹ hơn và đáng tin cậy hơn, góp phần vào hiệu suất chung của hệ thống EV.
Hệ thống năng lượng tái tạo:Thỏi SiC là vật liệu thiết yếu trong quá trình phát triển các thiết bị chuyển đổi năng lượng được sử dụng trong các hệ thống năng lượng tái tạo, bao gồm bộ biến tần năng lượng mặt trời, tua bin gió và các giải pháp lưu trữ năng lượng. Khả năng xử lý năng lượng cao và quản lý nhiệt hiệu quả của SiC cho phép hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn và độ tin cậy được cải thiện trong các hệ thống này. Việc sử dụng nó trong năng lượng tái tạo giúp thúc đẩy các nỗ lực toàn cầu hướng tới tính bền vững của năng lượng.
Viễn thông:Thỏi SiC 6 inch cũng phù hợp để sản xuất các thành phần được sử dụng trong các ứng dụng RF (tần số vô tuyến) công suất cao. Chúng bao gồm bộ khuếch đại, bộ dao động và bộ lọc được sử dụng trong hệ thống viễn thông và truyền thông vệ tinh. Khả năng xử lý tần số cao và công suất cao của SiC khiến nó trở thành vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị viễn thông đòi hỏi hiệu suất mạnh mẽ và mất tín hiệu tối thiểu.
Hàng không vũ trụ và Quốc phòng:Điện áp đánh thủng cao và khả năng chịu nhiệt độ cao của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng. Các thành phần làm từ thỏi SiC được sử dụng trong hệ thống radar, truyền thông vệ tinh và điện tử công suất cho máy bay và tàu vũ trụ. Vật liệu dựa trên SiC cho phép các hệ thống hàng không vũ trụ hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt gặp phải trong không gian và môi trường trên cao.
Tự động hóa công nghiệp:Trong tự động hóa công nghiệp, các thành phần SiC được sử dụng trong các cảm biến, bộ truyền động và hệ thống điều khiển cần hoạt động trong môi trường khắc nghiệt. Các thiết bị dựa trên SiC được sử dụng trong máy móc đòi hỏi các thành phần hiệu quả, bền lâu có khả năng chịu được nhiệt độ cao và ứng suất điện.
Bảng thông số kỹ thuật sản phẩm
| Tài sản | Đặc điểm kỹ thuật |
| Cấp | Sản xuất (Giả/Chính) |
| Kích cỡ | 6 inch |
| Đường kính | 150,25mm ± 0,25mm |
| Độ dày | >10mm (Có thể tùy chỉnh) |
| Định hướng bề mặt | 4° về phía <11-20> ± 0,2° |
| Định hướng phẳng chính | <1-100> ± 5° |
| Chiều dài phẳng chính | 47,5mm ± 1,5mm |
| Điện trở suất | 0,015–0,0285 Ω·cm |
| Mật độ ống vi mô | <0,5 |
| Mật độ rỗ của Bo (BPD) | <2000 |
| Mật độ lệch vít ren (TSD) | <500 |
| Khu vực đa hình | Không có |
| Các cạnh thụt vào | <3, chiều rộng và chiều sâu 1mm |
| Các vết nứt cạnh | 3, <1mm/cái |
| Đóng gói | Vỏ wafer |
Phần kết luận
Thỏi SiC 6 inch – Loại N Dummy/Prime là vật liệu cao cấp đáp ứng các yêu cầu khắt khe của ngành công nghiệp bán dẫn. Độ dẫn nhiệt cao, điện trở suất đặc biệt và mật độ khuyết tật thấp khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho việc sản xuất các thiết bị điện tử công suất tiên tiến, linh kiện ô tô, hệ thống viễn thông và hệ thống năng lượng tái tạo. Các thông số kỹ thuật về độ dày và độ chính xác có thể tùy chỉnh đảm bảo rằng thỏi SiC này có thể được điều chỉnh cho nhiều ứng dụng khác nhau, đảm bảo hiệu suất cao và độ tin cậy trong các môi trường khắc nghiệt. Để biết thêm thông tin hoặc đặt hàng, vui lòng liên hệ với nhóm bán hàng của chúng tôi.
Sơ đồ chi tiết
