Thỏi Silicon Carbide SiC 6 inch loại N Độ dày giả/độ dày chính có thể tùy chỉnh

Thỏi Silicon Carbide SiC 6 inch loại N Độ dày giả/chính có thể tùy chỉnh Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Silicon Carbide (SiC) là vật liệu bán dẫn có khoảng cách dải rộng đang ngày càng được ưa chuộng trong nhiều ngành công nghiệp nhờ các đặc tính điện, nhiệt và cơ học vượt trội. Thỏi SiC loại N 6 inch loại Giả/Prime được thiết kế đặc biệt để sản xuất các thiết bị bán dẫn tiên tiến, bao gồm các ứng dụng công suất cao và tần số cao. Với các tùy chọn độ dày tùy chỉnh và thông số kỹ thuật chính xác, thỏi SiC này là giải pháp lý tưởng cho việc phát triển các thiết bị được sử dụng trong xe điện, hệ thống điện công nghiệp, viễn thông và các lĩnh vực hiệu suất cao khác. Độ bền của SiC trong điều kiện điện áp cao, nhiệt độ cao và tần số cao đảm bảo hiệu suất lâu dài, hiệu quả và đáng tin cậy trong nhiều ứng dụng.
Thỏi SiC có sẵn với kích thước 6 inch, đường kính 150,25mm ± 0,25mm và độ dày lớn hơn 10mm, lý tưởng cho việc cắt lát wafer. Sản phẩm này có bề mặt định hướng rõ ràng, góc 4° so với <11-20> ± 0,2°, đảm bảo độ chính xác cao trong chế tạo thiết bị. Ngoài ra, thỏi còn có góc phẳng chính <1-100> ± 5°, góp phần tối ưu hóa hiệu suất xử lý và căn chỉnh tinh thể.
Với điện trở suất cao trong khoảng 0,015–0,0285 Ω·cm, mật độ micropipe thấp <0,5 và chất lượng cạnh tuyệt vời, thỏi SiC này phù hợp để sản xuất các thiết bị điện yêu cầu ít khuyết tật và hiệu suất cao trong điều kiện khắc nghiệt.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Của cải

Cấp độ: Cấp độ sản xuất (Giả/Chính)
Kích thước: đường kính 6 inch
Đường kính: 150,25mm ± 0,25mm
Độ dày: >10mm (Độ dày có thể tùy chỉnh theo yêu cầu)
Định hướng bề mặt: 4° về phía <11-20> ± 0,2°, đảm bảo chất lượng tinh thể cao và căn chỉnh chính xác để chế tạo thiết bị.
Hướng phẳng chính: <1-100> ± 5°, một đặc điểm quan trọng để cắt thỏi thành các tấm wafer một cách hiệu quả và để tinh thể phát triển tối ưu.
Chiều dài phẳng chính: 47,5mm ± 1,5mm, được thiết kế để dễ dàng xử lý và cắt chính xác.
Điện trở suất: 0,015–0,0285 Ω·cm, lý tưởng cho các ứng dụng trong các thiết bị điện hiệu suất cao.
Mật độ ống vi mô: <0,5, đảm bảo giảm thiểu tối đa các khuyết tật có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các thiết bị chế tạo.
BPD (Mật độ rỗ Bo): <2000, giá trị thấp cho thấy độ tinh khiết của tinh thể cao và mật độ khuyết tật thấp.
TSD (Mật độ lệch vít ren): <500, đảm bảo tính toàn vẹn vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị hiệu suất cao.
Khu vực Polytype: Không có – thỏi không có khuyết điểm polytype, mang lại chất lượng vật liệu vượt trội cho các ứng dụng cao cấp.
Rãnh cạnh: <3, có chiều rộng và chiều sâu 1mm, đảm bảo giảm thiểu thiệt hại bề mặt và duy trì tính toàn vẹn của thỏi để cắt lát wafer hiệu quả.
Nứt cạnh: 3 vết <1mm mỗi vết, ít khi bị hư hỏng cạnh, đảm bảo an toàn khi xử lý và gia công tiếp theo.
Đóng gói: Vỏ wafer – thỏi SiC được đóng gói an toàn trong vỏ wafer để đảm bảo vận chuyển và xử lý an toàn.

Ứng dụng

Điện tử công suất:Thỏi SiC 6 inch được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các thiết bị điện tử công suất như MOSFET, IGBT và diode, vốn là những linh kiện thiết yếu trong hệ thống chuyển đổi năng lượng. Các thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong bộ biến tần xe điện (EV), bộ truyền động động cơ công nghiệp, bộ nguồn và hệ thống lưu trữ năng lượng. Khả năng hoạt động ở điện áp cao, tần số cao và nhiệt độ khắc nghiệt của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng mà các thiết bị silicon (Si) truyền thống khó có thể hoạt động hiệu quả.

Xe điện (EV):Trong xe điện, các linh kiện SiC đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển các mô-đun nguồn trong bộ biến tần, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ sạc trên xe. Độ dẫn nhiệt vượt trội của SiC cho phép giảm thiểu sinh nhiệt và cải thiện hiệu suất chuyển đổi điện năng, điều này rất quan trọng để nâng cao hiệu suất và phạm vi hoạt động của xe điện. Ngoài ra, các linh kiện SiC cho phép chế tạo các linh kiện nhỏ hơn, nhẹ hơn và đáng tin cậy hơn, góp phần nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống EV.

Hệ thống năng lượng tái tạo:Thỏi SiC là vật liệu thiết yếu trong quá trình phát triển các thiết bị chuyển đổi năng lượng được sử dụng trong các hệ thống năng lượng tái tạo, bao gồm bộ biến tần mặt trời, tua-bin gió và các giải pháp lưu trữ năng lượng. Khả năng xử lý công suất cao và quản lý nhiệt hiệu quả của SiC cho phép nâng cao hiệu suất chuyển đổi năng lượng và cải thiện độ tin cậy trong các hệ thống này. Việc sử dụng SiC trong năng lượng tái tạo góp phần thúc đẩy các nỗ lực toàn cầu hướng tới tính bền vững của năng lượng.

Viễn thông:Thỏi SiC 6 inch cũng phù hợp để sản xuất các linh kiện được sử dụng trong các ứng dụng RF (tần số vô tuyến) công suất cao. Các linh kiện này bao gồm bộ khuếch đại, bộ dao động và bộ lọc được sử dụng trong hệ thống viễn thông và vệ tinh. Khả năng xử lý tần số cao và công suất lớn của SiC khiến nó trở thành vật liệu tuyệt vời cho các thiết bị viễn thông đòi hỏi hiệu suất mạnh mẽ và suy hao tín hiệu tối thiểu.

Hàng không vũ trụ và Quốc phòng:Điện áp đánh thủng cao và khả năng chịu nhiệt độ cao của SiC khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng. Các linh kiện làm từ thỏi SiC được sử dụng trong hệ thống radar, thông tin vệ tinh và điện tử công suất cho máy bay và tàu vũ trụ. Vật liệu nền SiC cho phép các hệ thống hàng không vũ trụ hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt trong môi trường không gian và trên cao.

Tự động hóa công nghiệp:Trong tự động hóa công nghiệp, các linh kiện SiC được sử dụng trong cảm biến, bộ truyền động và hệ thống điều khiển cần hoạt động trong môi trường khắc nghiệt. Các thiết bị dựa trên SiC được sử dụng trong máy móc đòi hỏi các linh kiện hiệu quả, bền bỉ, có khả năng chịu được nhiệt độ cao và ứng suất điện.

Bảng thông số kỹ thuật sản phẩm

Tài sản	Đặc điểm kỹ thuật
Cấp	Sản xuất (Giả/Chính)
Kích cỡ	6 inch
Đường kính	150,25mm ± 0,25mm
Độ dày	>10mm (Có thể tùy chỉnh)
Định hướng bề mặt	4° về phía <11-20> ± 0,2°
Hướng phẳng chính	<1-100> ± 5°
Chiều dài phẳng chính	47,5mm ± 1,5mm
Điện trở suất	0,015–0,0285 Ω·cm
Mật độ ống vi mô	<0,5
Mật độ rỗ Bo (BPD)	<2000
Mật độ trật khớp vít ren (TSD)	<500
Khu vực đa hình	Không có
Các vết lõm cạnh	<3, chiều rộng và chiều sâu 1mm
Các vết nứt cạnh	3, <1mm/cái
Đóng gói	Vỏ wafer

Phần kết luận

Thỏi SiC 6 inch – loại N giả/chính là vật liệu cao cấp đáp ứng các yêu cầu khắt khe của ngành công nghiệp bán dẫn. Độ dẫn nhiệt cao, điện trở suất vượt trội và mật độ khuyết tật thấp khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho việc sản xuất các thiết bị điện tử công suất tiên tiến, linh kiện ô tô, hệ thống viễn thông và hệ thống năng lượng tái tạo. Độ dày và thông số kỹ thuật chính xác có thể tùy chỉnh đảm bảo thỏi SiC này có thể được điều chỉnh cho nhiều ứng dụng khác nhau, đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao trong các môi trường khắc nghiệt. Để biết thêm thông tin hoặc đặt hàng, vui lòng liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi.