Dây chuyền tự động đánh bóng liên kết bốn giai đoạn cho tấm wafer Silicon / Silicon Carbide (SiC) (Dây chuyền xử lý sau đánh bóng tích hợp)

Mô tả ngắn gọn:

Dây chuyền tự động đánh bóng liên kết bốn giai đoạn này là một giải pháp tích hợp, nối tiếp được thiết kế chosau đánh bóng / sau CMPhoạt động củasiliconVàcacbua silic (SiC)Các tấm wafer. Được xây dựng xung quanhgiá đỡ bằng gốm (đĩa gốm)Hệ thống này kết hợp nhiều tác vụ ở khâu sau thành một dây chuyền phối hợp nhịp nhàng, giúp các nhà máy giảm thiểu thao tác thủ công, ổn định thời gian chu kỳ sản xuất và tăng cường kiểm soát ô nhiễm.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Sơ đồ chi tiết

Dây chuyền tự động đánh bóng liên kết bốn giai đoạn cho tấm wafer Silicon / Silicon Carbide (SiC) (Dây chuyền xử lý sau đánh bóng tích hợp)4

Tổng quan

Trong ngành sản xuất chất bán dẫn,làm sạch sau CMP hiệu quảđược công nhận rộng rãi là một bước quan trọng để giảm thiểu lỗi trước khi tiến hành quy trình tiếp theo, và các phương pháp tiên tiến (bao gồmvệ sinh siêu âmCác biện pháp này thường được thảo luận nhằm cải thiện hiệu quả loại bỏ hạt.

Riêng đối với SiC, nó...độ cứng cao và tính trơ về mặt hóa họcQuá trình đánh bóng trở nên khó khăn (thường liên quan đến tốc độ loại bỏ vật liệu thấp và nguy cơ hư hỏng bề mặt/dưới bề mặt cao hơn), điều này khiến việc tự động hóa sau đánh bóng ổn định và làm sạch/xử lý được kiểm soát trở nên đặc biệt có giá trị.

Dây chuyền tự động đánh bóng liên kết bốn giai đoạn cho tấm wafer Silicon / Silicon Carbide (SiC) (Dây chuyền xử lý sau đánh bóng tích hợp)5

Dây chuyền tự động đánh bóng liên kết bốn giai đoạn cho tấm wafer Silicon / Silicon Carbide (SiC) (Dây chuyền xử lý sau đánh bóng tích hợp)2

Lợi ích chính

Một dây chuyền tích hợp duy nhất hỗ trợ:

Tách và thu thập tấm bán dẫn(sau khi đánh bóng)
Đệm/lưu trữ bằng chất mang gốm
Vệ sinh giá đỡ gốm
Gắn (dán) tấm bán dẫn lên giá đỡ bằng gốm.
Hoạt động hợp nhất, một dây chuyền duy nhất choBánh wafer 6–8 inch

Thông số kỹ thuật (Theo bảng dữ liệu được cung cấp)

Kích thước thiết bị (Dài × Rộng × Cao):13643 × 5030 × 2300 mm
Nguồn điện:Điện xoay chiều 380 V, 50 Hz
Tổng công suất:119 kW
Lắp đặt độ sạch:0,5 μm < 50 cái; 5 μm < 1 cái
Độ phẳng khi lắp đặt:≤ 2 μm

Thông số tham khảo về lưu lượng (Từ bảng dữ liệu được cung cấp)

Kích thước thiết bị (Dài × Rộng × Cao):13643 × 5030 × 2300 mm
Nguồn điện:Điện xoay chiều 380 V, 50 Hz
Tổng công suất:119 kW
Lắp đặt độ sạch:0,5 μm < 50 cái; 5 μm < 1 cái
Độ phẳng khi lắp đặt:≤ 2 μm

Lưu lượng dòng điển hình

Đầu vào/giao diện từ khu vực đánh bóng phía thượng nguồn
Tách và thu thập tấm bán dẫn
Đệm/lưu trữ bằng chất mang gốm (tách biệt thời gian chu kỳ)
Vệ sinh giá đỡ gốm
Gắn tấm bán dẫn lên giá đỡ (có kiểm soát độ sạch và độ phẳng)
Sản phẩm đầu ra cho quy trình tiếp theo hoặc khâu hậu cần.

Câu hỏi thường gặp

Câu 1: Dây chuyền sản xuất này chủ yếu giải quyết những vấn đề gì?
A: Hệ thống này tối ưu hóa các thao tác sau khi đánh bóng bằng cách tích hợp việc tách/thu gom wafer, đệm trên giá đỡ gốm, làm sạch giá đỡ và gắn wafer vào một dây chuyền tự động hóa phối hợp – giảm thiểu các thao tác thủ công và ổn định nhịp độ sản xuất.

Câu 2: Những loại vật liệu và kích thước wafer nào được hỗ trợ?
MỘT:Silicon và SiC,6–8 inchcác tấm bán dẫn (theo thông số kỹ thuật được cung cấp).

Câu 3: Tại sao việc làm sạch sau quá trình CMP lại được nhấn mạnh trong ngành công nghiệp?
A: Các tài liệu trong ngành nhấn mạnh rằng nhu cầu về làm sạch hiệu quả sau quá trình CMP đã tăng lên để giảm mật độ khuyết tật trước bước tiếp theo; các phương pháp dựa trên sóng siêu âm cực lớn thường được nghiên cứu để cải thiện khả năng loại bỏ hạt.

Về chúng tôi

XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới với công nghệ cao. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho ngành điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp các linh kiện quang học Sapphire, nắp ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide (SIC), thạch anh và tấm bán dẫn tinh thể. Với chuyên môn cao và thiết bị hiện đại, chúng tôi vượt trội trong gia công các sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.