Chất nền
-
Tấm wafer 4H-SiC 12 inch dùng cho kính chống phản xạ (AR).
-
Vật liệu quản lý nhiệt composite kim cương-đồng
-
Tấm wafer SiC HPSI có độ truyền quang ≥90%, đạt tiêu chuẩn quang học, dùng cho kính AI/AR.
-
Chất nền silicon carbide (SiC) bán cách điện, độ tinh khiết cao, dùng cho thủy tinh Ar.
-
Các tấm bán dẫn SiC 4H dạng màng mỏng dùng cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 μm, 6 inch)
-
Tấm wafer SICOI (Silicon Carbide trên chất cách điện) - Màng SiC trên silicon
-
Tấm nền sapphire thô có độ tinh khiết cao dùng cho quá trình gia công.
-
Tinh thể mầm sapphire hình vuông – Chất nền định hướng chính xác cho sự phát triển sapphire tổng hợp.
-
Tấm nền đơn tinh thể Silicon Carbide (SiC) – Kích thước 10×10mm
-
Tấm wafer SiC 4H-N HPSI, tấm wafer SiC 6H-N, 6H-P, 3C-N dạng màng mỏng dùng cho MOS hoặc SBD.
-
Tấm bán dẫn SiC màng mỏng cho thiết bị điện tử công suất – 4H-SiC, loại N, mật độ khuyết tật thấp
-
Tấm bán dẫn SiC màng mỏng loại 4H-N, điện áp cao, tần số cao.