Tấm wafer silicon phủ kim loại Ti/Cu (Titan/Đồng)
Sơ đồ chi tiết
Tổng quan
Của chúng tôiTấm wafer silicon phủ kim loại Ti/Cucó lớp nền silicon chất lượng cao (hoặc thủy tinh/thạch anh tùy chọn) được phủ một lớp...lớp kết dính titanvà mộtlớp dẫn điện bằng đồngsử dụngphun từ tính tiêu chuẩnLớp xen kẽ Ti cải thiện đáng kể độ bám dính và độ ổn định của quy trình, trong khi lớp trên cùng bằng Cu cung cấp một bề mặt đồng nhất, có điện trở thấp, lý tưởng cho giao diện điện và chế tạo vi mạch ở các bước tiếp theo.
Được thiết kế cho cả nghiên cứu và các ứng dụng quy mô thí điểm, các tấm bán dẫn này có nhiều kích thước và dải điện trở suất khác nhau, với khả năng tùy chỉnh linh hoạt về độ dày, loại chất nền và cấu hình lớp phủ.
Các tính năng chính
-
Độ bám dính và độ tin cậy caoLớp liên kết Ti giúp tăng cường độ bám dính của màng phim lên Si/SiO₂ và cải thiện độ bền khi thao tác.
-
Bề mặt có độ dẫn điện caoLớp phủ Cu mang lại hiệu suất điện tuyệt vời cho các tiếp điểm và cấu trúc thử nghiệm.
-
Phạm vi tùy chỉnh rộngThông tin chi tiết về kích thước wafer, điện trở suất, hướng định vị, độ dày chất nền và độ dày màng có sẵn theo yêu cầu.
-
Các chất nền sẵn sàng cho quá trình xử lýTương thích với các quy trình làm việc thông thường trong phòng thí nghiệm và nhà máy sản xuất (khắc quang, mạ điện, đo lường, v.v.)
-
Các dòng vật liệu có sẵnNgoài Ti/Cu, chúng tôi cũng cung cấp các tấm wafer phủ kim loại Au, Pt, Al, Ni, Ag.
Cấu trúc và sự lắng đọng điển hình
-
Ngăn xếp: Lớp nền + Lớp bám dính Ti + Lớp phủ Cu
-
Quy trình tiêu chuẩnPhun phủ magnetron
-
Các quy trình tùy chọnPhương pháp bay hơi nhiệt / Mạ điện (đối với yêu cầu lớp đồng dày hơn)
Tính chất cơ học của thủy tinh thạch anh
| Mục | Tùy chọn |
|---|---|
| Kích thước wafer | 2", 4", 6", 8"; 10×10 mm; kích thước cắt tùy chỉnh |
| Loại dẫn điện | Loại P / Loại N / Điện trở suất cao nội tại (Un) |
| Định hướng | <100>, <111>, v.v. |
| Điện trở suất | <0,0015 Ω·cm; 1–10 Ω·cm; >1000–10000 Ω·cm |
| Độ dày (µm) | 2": 200/280/400/500; 4": 450/500/525; 6": 625/650/675; 8": 650/700/725/775; tùy chỉnh |
| Vật liệu nền | Silicon; tùy chọn thạch anh, thủy tinh BF33, v.v. |
| Độ dày màng | 10 nm / 50 nm / 100 nm / 150 nm / 300 nm / 500 nm / 1 µm (có thể tùy chỉnh) |
| Các tùy chọn phim kim loại | Ti/Cu; cũng có Au, Pt, Al, Ni, Ag |
Ứng dụng
-
Tiếp xúc Ohmic và chất nền dẫn điệndùng cho nghiên cứu và phát triển thiết bị và kiểm tra điện.
-
Lớp mầm cho quá trình mạ điện(RDL, cấu trúc MEMS, lớp đồng dày)
-
Chất nền để phát triển vật liệu nano và sol-gelcho nghiên cứu nano và màng mỏng
-
Kính hiển vi và đo lường bề mặt(Chuẩn bị mẫu và đo đạc bằng SEM/AFM/SPM)
-
bề mặt sinh học/hóa họcchẳng hạn như các nền tảng nuôi cấy tế bào, mảng vi mô protein/DNA và chất nền đo phản xạ.
Câu hỏi thường gặp (Tấm silicon phủ kim loại Ti/Cu)
Câu 1: Tại sao lại sử dụng lớp Ti bên dưới lớp phủ Cu?
A: Titan hoạt động như mộtlớp kết dính (liên kết)Điều này giúp cải thiện độ bám dính của đồng với chất nền và tăng cường độ ổn định của giao diện, từ đó giảm thiểu hiện tượng bong tróc hoặc tách lớp trong quá trình xử lý và gia công.
Câu 2: Cấu hình độ dày điển hình của Ti/Cu là như thế nào?
A: Các tổ hợp phổ biến bao gồmTi: vài chục nanomet (ví dụ: 10–50 nm)VàĐồng: 50–300 nmĐối với màng được lắng đọng bằng phương pháp phún xạ. Các lớp Cu dày hơn (mức micromet) thường được tạo ra bằng cáchmạ điện trên lớp mầm Cu được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng phún xạ.Tùy thuộc vào ứng dụng của bạn.
Câu 3: Có thể phủ lớp màng lên cả hai mặt của tấm wafer không?
A: Vâng.Lớp phủ một mặt hoặc hai mặtSản phẩm có sẵn theo yêu cầu. Vui lòng nêu rõ yêu cầu của bạn khi đặt hàng.
Về chúng tôi
XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới với công nghệ cao. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho ngành điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp các linh kiện quang học Sapphire, nắp ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide (SIC), thạch anh và tấm bán dẫn tinh thể. Với chuyên môn cao và thiết bị hiện đại, chúng tôi vượt trội trong gia công các sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.
