2 inch 50,8mm Sapphire wafer Mặt phẳng C Mặt phẳng M Mặt phẳng R Mặt phẳng A Độ dày 350um 430um 500um

C(0001)-Trục

R(1-102)-Trục

M(10-10) -Trục

Trục A(11-20)

Trục C có ánh sáng tinh thể và các trục còn lại có ánh sáng âm.Mặt phẳng C phẳng, tốt nhất là cắt.

Mặt phẳng R cứng hơn A một chút.

Chất nền sapphire định hướng C được sử dụng để phát triển các màng lắng đọng III-V và II-VI, chẳng hạn như gallium nitride, có thể tạo ra các sản phẩm LED màu xanh lam, điốt laser và các ứng dụng dò hồng ngoại.
Điều này chủ yếu là do quá trình phát triển tinh thể sapphire dọc theo trục C đã hoàn thiện, chi phí tương đối thấp, các tính chất vật lý và hóa học ổn định và công nghệ epit Wax trên mặt phẳng C đã hoàn thiện và ổn định.

Sự tăng trưởng cơ chất theo hướng R của các ngoại vi silicon lắng đọng khác nhau, được sử dụng trong các mạch tích hợp vi điện tử.
Ngoài ra, các mạch tích hợp tốc độ cao và cảm biến áp suất cũng có thể được hình thành trong quá trình sản xuất màng tăng trưởng silicon epiticular.Chất nền loại R cũng có thể được sử dụng trong sản xuất chì, các thành phần siêu dẫn khác, điện trở có điện trở cao, gali arsenua.

Khai báo tài sản