Tấm nền wafer epitaxial InP 2 inch 3 inch 4 inch Bộ dò ánh sáng APD cho truyền thông cáp quang hoặc LiDAR
Các tính năng chính của tấm epitaxial laser InP bao gồm
1. Đặc điểm khoảng cách dải: InP có khoảng cách dải hẹp, thích hợp để phát hiện ánh sáng hồng ngoại bước sóng dài, đặc biệt là trong phạm vi bước sóng từ 1,3μm đến 1,5μm.
2. Hiệu suất quang học: Màng epitaxial InP có hiệu suất quang học tốt, chẳng hạn như công suất phát sáng và hiệu suất lượng tử bên ngoài ở các bước sóng khác nhau. Ví dụ, ở 480 nm, công suất phát sáng và hiệu suất lượng tử bên ngoài lần lượt là 11,2% và 98,8%.
3. Động lực học của hạt mang: Các hạt nano InP (NP) thể hiện hành vi phân rã theo hàm mũ kép trong quá trình phát triển epitaxial. Thời gian phân rã nhanh được quy cho việc tiêm hạt mang vào lớp InGaAs, trong khi thời gian phân rã chậm liên quan đến sự tái hợp hạt mang trong các hạt NP InP.
4. Đặc tính nhiệt độ cao: Vật liệu giếng lượng tử AlGaInAs/InP có hiệu suất tuyệt vời ở nhiệt độ cao, có thể ngăn ngừa hiệu quả rò rỉ dòng chảy và cải thiện đặc tính nhiệt độ cao của tia laser.
5. Quy trình sản xuất: Các tấm epitaxy InP thường được phát triển trên nền bằng công nghệ epitaxy chùm phân tử (MBE) hoặc công nghệ lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) để tạo ra màng phim chất lượng cao.
Những đặc điểm này làm cho tấm wafer epitaxial laser InP có những ứng dụng quan trọng trong truyền thông sợi quang, phân phối khóa lượng tử và phát hiện quang học từ xa.
Các ứng dụng chính của viên nén epitaxial laser InP bao gồm
1. Photonic: Laser và máy dò InP được sử dụng rộng rãi trong truyền thông quang học, trung tâm dữ liệu, hình ảnh hồng ngoại, sinh trắc học, cảm biến 3D và LiDAR.
2. Viễn thông: Vật liệu InP có ứng dụng quan trọng trong tích hợp quy mô lớn các tia laser bước sóng dài dựa trên silicon, đặc biệt là trong truyền thông sợi quang.
3. Laser hồng ngoại: Ứng dụng của laser giếng lượng tử dựa trên InP trong dải hồng ngoại trung bình (như 4-38 micron), bao gồm cảm biến khí, phát hiện chất nổ và hình ảnh hồng ngoại.
4. Photonic silicon: Thông qua công nghệ tích hợp không đồng nhất, tia laser InP được chuyển sang chất nền silicon để tạo thành nền tảng tích hợp quang điện tử silicon đa chức năng.
5. Laser hiệu suất cao: Vật liệu InP được sử dụng để sản xuất laser hiệu suất cao, chẳng hạn như laser bóng bán dẫn InGaAsP-InP có bước sóng 1,5 micron.
XKH cung cấp các tấm wafer epitaxial InP tùy chỉnh với nhiều cấu trúc và độ dày khác nhau, bao gồm nhiều ứng dụng khác nhau như truyền thông quang học, cảm biến, trạm gốc 4G/5G, v.v. Các sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, XKH có nhiều kênh nguồn quốc tế, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ có giá trị gia tăng như làm mỏng, phân đoạn, v.v. Các quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hạn và đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi nhận hàng, khách hàng có thể nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ sau bán hàng để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng suôn sẻ.
Sơ đồ chi tiết


