Máy dò ánh sáng APD nền wafer epiticular 2 inch 3 inch 4 inch InP cho truyền thông sợi quang hoặc LiDAR
Các tính năng chính của tấm epiticular laser InP bao gồm
1. Đặc điểm khoảng cách dải: InP có khoảng cách dải hẹp, thích hợp để phát hiện ánh sáng hồng ngoại sóng dài, đặc biệt là ở dải bước sóng từ 1,3μm đến 1,5μm.
2. Hiệu suất quang học: Phim epiticular InP có hiệu suất quang học tốt, chẳng hạn như công suất phát sáng và hiệu suất lượng tử bên ngoài ở các bước sóng khác nhau. Ví dụ, ở bước sóng 480 nm, công suất phát sáng và hiệu suất lượng tử bên ngoài lần lượt là 11,2% và 98,8%.
3. Động lực học của chất mang: Các hạt nano InP (NP) thể hiện hành vi phân rã theo cấp số nhân gấp đôi trong quá trình tăng trưởng epiticular. Thời gian phân rã nhanh được cho là do việc đưa chất mang vào lớp InGaAs, trong khi thời gian phân rã chậm có liên quan đến sự tái hợp chất mang trong NP InP.
4. Đặc tính nhiệt độ cao: Vật liệu giếng lượng tử AlGaInAs/InP có hiệu suất tuyệt vời ở nhiệt độ cao, có thể ngăn chặn rò rỉ dòng một cách hiệu quả và cải thiện các đặc tính nhiệt độ cao của laser.
5. Quy trình sản xuất: Tấm epiticular InP thường được trồng trên nền bằng công nghệ epit Wax chùm phân tử (MBE) hoặc công nghệ lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) để đạt được màng chất lượng cao.
Những đặc điểm này làm cho tấm wafer epiticular laser InP có những ứng dụng quan trọng trong truyền thông sợi quang, phân phối khóa lượng tử và phát hiện quang học từ xa.
Các ứng dụng chính của máy tính bảng epiticular laser InP bao gồm
1. Quang tử học: Laser và máy dò InP được sử dụng rộng rãi trong truyền thông quang học, trung tâm dữ liệu, hình ảnh hồng ngoại, sinh trắc học, cảm biến 3D và LiDAR.
2. Viễn thông: Vật liệu InP có những ứng dụng quan trọng trong việc tích hợp quy mô lớn các tia laser bước sóng dài dựa trên silicon, đặc biệt là trong truyền thông sợi quang.
3. Laser hồng ngoại: Các ứng dụng của laser giếng lượng tử dựa trên InP ở dải hồng ngoại trung (chẳng hạn như 4-38 micron), bao gồm cảm biến khí, phát hiện vụ nổ và chụp ảnh hồng ngoại.
4. Quang tử silicon: Thông qua công nghệ tích hợp không đồng nhất, laser InP được chuyển sang chất nền gốc silicon để tạo thành nền tảng tích hợp quang điện tử silicon đa chức năng.
5.Laser hiệu suất cao: Vật liệu InP được sử dụng để sản xuất tia laser hiệu suất cao, chẳng hạn như laser bóng bán dẫn InGaAsP-InP có bước sóng 1,5 micron.
XKH cung cấp các tấm wafer epiticular InP tùy chỉnh với cấu trúc và độ dày khác nhau, bao gồm nhiều ứng dụng như truyền thông quang học, cảm biến, trạm gốc 4G/5G, v.v. Các sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, XKH có kênh nguồn quốc tế rộng khắp, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ giá trị gia tăng như tỉa thưa, phân khúc, v.v. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hẹn và đáp ứng yêu cầu của khách hàng chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi đến, khách hàng có thể nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ hậu mãi để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng một cách suôn sẻ.