Tấm nền wafer epitaxial InP 2 inch 3 inch 4 inch Bộ dò ánh sáng APD cho truyền thông cáp quang hoặc LiDAR
Các tính năng chính của tấm epitaxial laser InP bao gồm
1. Đặc điểm khoảng cách dải: InP có khoảng cách dải hẹp, phù hợp để phát hiện ánh sáng hồng ngoại sóng dài, đặc biệt là trong dải bước sóng từ 1,3μm đến 1,5μm.
2. Hiệu suất quang học: Màng epitaxy InP có hiệu suất quang học tốt, chẳng hạn như công suất phát sáng và hiệu suất lượng tử ngoài ở các bước sóng khác nhau. Ví dụ, ở 480 nm, công suất phát sáng và hiệu suất lượng tử ngoài lần lượt là 11,2% và 98,8%.
3. Động lực học hạt mang: Các hạt nano InP (NP) thể hiện hành vi phân rã theo hàm mũ kép trong quá trình tăng trưởng epitaxial. Thời gian phân rã nhanh được cho là do sự tiêm hạt mang vào lớp InGaAs, trong khi thời gian phân rã chậm liên quan đến sự tái hợp hạt mang trong các hạt nano InP.
4. Đặc tính nhiệt độ cao: Vật liệu giếng lượng tử AlGaInAs/InP có hiệu suất tuyệt vời ở nhiệt độ cao, có thể ngăn ngừa rò rỉ dòng chảy hiệu quả và cải thiện đặc tính nhiệt độ cao của tia laser.
5. Quy trình sản xuất: Các tấm epitaxy InP thường được phát triển trên nền bằng công nghệ epitaxy chùm phân tử (MBE) hoặc lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) để tạo ra màng phim chất lượng cao.
Những đặc điểm này làm cho tấm wafer epitaxial laser InP có những ứng dụng quan trọng trong truyền thông sợi quang, phân phối khóa lượng tử và phát hiện quang học từ xa.
Các ứng dụng chính của viên nén epitaxial laser InP bao gồm
1. Photonic: Laser và máy dò InP được sử dụng rộng rãi trong truyền thông quang học, trung tâm dữ liệu, hình ảnh hồng ngoại, sinh trắc học, cảm biến 3D và LiDAR.
2. Viễn thông: Vật liệu InP có ứng dụng quan trọng trong việc tích hợp laser bước sóng dài trên nền silicon ở quy mô lớn, đặc biệt là trong truyền thông cáp quang.
3. Tia laser hồng ngoại: Ứng dụng của tia laser giếng lượng tử dựa trên InP trong dải hồng ngoại trung bình (chẳng hạn như 4-38 micron), bao gồm cảm biến khí, phát hiện chất nổ và chụp ảnh hồng ngoại.
4. Photonic silicon: Thông qua công nghệ tích hợp không đồng nhất, tia laser InP được chuyển sang chất nền silicon để tạo thành nền tảng tích hợp quang điện tử silicon đa chức năng.
5. Laser hiệu suất cao: Vật liệu InP được sử dụng để sản xuất laser hiệu suất cao, chẳng hạn như laser transistor InGaAsP-InP có bước sóng 1,5 micron.
XKH cung cấp wafer epitaxial InP tùy chỉnh với cấu trúc và độ dày khác nhau, đáp ứng nhiều ứng dụng khác nhau như truyền thông quang học, cảm biến, trạm gốc 4G/5G, v.v. Sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến, đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, XKH có mạng lưới kênh cung ứng quốc tế rộng khắp, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ giá trị gia tăng như làm mỏng, phân đoạn, v.v. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hạn và đáp ứng yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi nhận hàng, khách hàng sẽ nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ hậu mãi, đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng suôn sẻ.
Sơ đồ chi tiết


