Tấm wafer InP epitaxy 2 inch, 3 inch, 4 inch, bộ dò ánh sáng APD cho truyền thông cáp quang hoặc LiDAR.
Các đặc điểm chính của tấm màng mỏng InP được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng laser bao gồm:
1. Đặc tính khe năng lượng: InP có khe năng lượng hẹp, thích hợp cho việc phát hiện ánh sáng hồng ngoại sóng dài, đặc biệt là trong dải bước sóng từ 1,3μm đến 1,5μm.
2. Hiệu suất quang học: Màng mỏng InP kết tinh có hiệu suất quang học tốt, chẳng hạn như công suất phát quang và hiệu suất lượng tử ngoài ở các bước sóng khác nhau. Ví dụ, ở bước sóng 480 nm, công suất phát quang và hiệu suất lượng tử ngoài lần lượt là 11,2% và 98,8%.
3. Động lực học hạt tải điện: Các hạt nano InP (NPs) thể hiện hành vi suy giảm theo hàm mũ kép trong quá trình tăng trưởng epitaxy. Thời gian suy giảm nhanh là do sự tiêm hạt tải điện vào lớp InGaAs, trong khi thời gian suy giảm chậm liên quan đến sự tái kết hợp hạt tải điện trong các hạt nano InP.
4. Đặc tính ở nhiệt độ cao: Vật liệu giếng lượng tử AlGaInAs/InP có hiệu suất tuyệt vời ở nhiệt độ cao, có thể ngăn chặn hiệu quả hiện tượng rò rỉ dòng điện và cải thiện các đặc tính ở nhiệt độ cao của laser.
5. Quy trình sản xuất: Các tấm màng mỏng InP thường được nuôi cấy trên chất nền bằng công nghệ epitaxy chùm phân tử (MBE) hoặc công nghệ lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD) để thu được các màng chất lượng cao.
Những đặc điểm này làm cho các tấm wafer epitaxy InP dùng cho laser có những ứng dụng quan trọng trong truyền thông cáp quang, phân phối khóa lượng tử và phát hiện quang học từ xa.
Các ứng dụng chính của tấm màng mỏng InP được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng laser bao gồm:
1. Quang học: Laser và bộ dò InP được sử dụng rộng rãi trong truyền thông quang học, trung tâm dữ liệu, chụp ảnh hồng ngoại, sinh trắc học, cảm biến 3D và LiDAR.
2. Viễn thông: Vật liệu InP có những ứng dụng quan trọng trong việc tích hợp quy mô lớn các laser bước sóng dài dựa trên silicon, đặc biệt là trong truyền thông cáp quang.
3. Laser hồng ngoại: Các ứng dụng của laser giếng lượng tử dựa trên InP trong dải hồng ngoại trung bình (như 4-38 micromet), bao gồm cảm biến khí, phát hiện chất nổ và chụp ảnh hồng ngoại.
4. Quang tử silicon: Thông qua công nghệ tích hợp dị thể, laser InP được chuyển sang chất nền silicon để tạo thành một nền tảng tích hợp quang điện tử silicon đa chức năng.
5. Laser hiệu năng cao: Vật liệu InP được sử dụng để chế tạo các loại laser hiệu năng cao, chẳng hạn như laser transistor InGaAsP-InP với bước sóng 1,5 micromet.
XKH cung cấp các tấm wafer InP epitaxy tùy chỉnh với cấu trúc và độ dày khác nhau, phục vụ nhiều ứng dụng như truyền thông quang học, cảm biến, trạm gốc 4G/5G, v.v. Sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về logistics, XKH có mạng lưới kênh phân phối quốc tế rộng khắp, có thể linh hoạt xử lý số lượng đơn đặt hàng và cung cấp các dịch vụ giá trị gia tăng như làm mỏng, phân đoạn, v.v. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng thời hạn và đáp ứng yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi nhận hàng, khách hàng sẽ nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ hậu mãi để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng một cách suôn sẻ.
Sơ đồ chi tiết



