Tấm wafer Silicon Carbide (SiC) 2 inch (50,8mm) pha tạp Si loại N, dùng cho sản xuất, nghiên cứu và làm mẫu thử.
Các tiêu chí tham số cho tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch bao gồm:
Vật liệu nền: Cacbua silic 4H (4H-SiC)
Cấu trúc tinh thể: tứ diện lục giác (4H)
Pha tạp: Không pha tạp (4H-N)
Kích thước: 2 inch
Loại dẫn điện: Loại N (pha tạp n)
Tính dẫn điện: Bán dẫn
Triển vọng thị trường: Các tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N có nhiều ưu điểm, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, tổn hao dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học cao, do đó có triển vọng thị trường rộng lớn trong các ứng dụng điện tử công suất và tần số vô tuyến (RF). Với sự phát triển của năng lượng tái tạo, xe điện và truyền thông, nhu cầu về các thiết bị có hiệu suất cao, hoạt động ở nhiệt độ cao và chịu được công suất cao ngày càng tăng, điều này tạo ra cơ hội thị trường rộng lớn hơn cho các tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N.
Ứng dụng: Tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch có thể được sử dụng để chế tạo nhiều loại thiết bị điện tử công suất và thiết bị tần số vô tuyến (RF), bao gồm nhưng không giới hạn ở:
1--MOSFET 4H-SiC: Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại dùng cho các ứng dụng công suất cao/nhiệt độ cao. Các thiết bị này có tổn thất dẫn điện và chuyển mạch thấp, mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.
2-4H-SiC JFETs: Transistor FET tiếp giáp dùng cho các ứng dụng khuếch đại công suất RF và chuyển mạch. Các thiết bị này cung cấp hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt cao.
Điốt Schottky 3-4H-SiC: Điốt dùng cho các ứng dụng công suất cao, nhiệt độ cao, tần số cao. Các thiết bị này mang lại hiệu suất cao với tổn thất dẫn điện và chuyển mạch thấp.
4-4H-SiC Thiết bị quang điện tử: Các thiết bị được sử dụng trong các lĩnh vực như điốt laser công suất cao, máy dò tia cực tím và mạch tích hợp quang điện tử. Các thiết bị này có đặc tính công suất và tần số cao.
Tóm lại, các tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch có tiềm năng ứng dụng rộng rãi, đặc biệt là trong lĩnh vực điện tử công suất và tần số vô tuyến (RF). Hiệu năng vượt trội và độ ổn định ở nhiệt độ cao khiến chúng trở thành ứng cử viên sáng giá để thay thế các vật liệu silicon truyền thống trong các ứng dụng hiệu năng cao, nhiệt độ cao và công suất cao.
Sơ đồ chi tiết
