Tấm wafer silicon carbide SiC 2 inch 50,8mm được pha tạp Si loại N Nghiên cứu sản xuất và cấp giả

Vật liệu nền: Silicon carbide 4H (4H-SiC)

Cấu trúc tinh thể: tứ diện (4H)

Doping: Không pha tạp (4H-N)

Kích thước: 2 inch

Loại dẫn điện: Loại N (pha tạp n)

Độ dẫn điện: Chất bán dẫn

Triển vọng thị trường: Tấm wafer SiC 4H-N không pha tạp có nhiều ưu điểm, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học cao, do đó có triển vọng thị trường rộng lớn trong các ứng dụng điện tử công suất và RF. Với sự phát triển của năng lượng tái tạo, xe điện và truyền thông, nhu cầu về các thiết bị có hiệu suất cao, hoạt động ở nhiệt độ cao và khả năng chịu công suất cao ngày càng tăng, mang đến cơ hội thị trường rộng lớn hơn cho tấm wafer SiC 4H-N không pha tạp.

Công dụng: Tấm wafer SiC 4H-N không pha tạp 2 inch có thể được sử dụng để chế tạo nhiều loại thiết bị điện tử công suất và RF, bao gồm nhưng không giới hạn ở:

1-4H-SiC MOSFET: Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại dùng cho các ứng dụng công suất cao/nhiệt độ cao. Các thiết bị này có tổn hao dẫn điện và tổn hao chuyển mạch thấp, mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.

JFET 2-4H-SiC: FET nối cho bộ khuếch đại công suất RF và các ứng dụng chuyển mạch. Các thiết bị này có hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt cao.

Điốt Schottky 3-4H-SiC: Điốt cho các ứng dụng công suất cao, nhiệt độ cao, tần số cao. Các thiết bị này có hiệu suất cao với tổn thất dẫn điện và tổn thất chuyển mạch thấp.

Thiết bị quang điện tử 4H-SiC: Thiết bị được sử dụng trong các lĩnh vực như điốt laser công suất cao, máy dò UV và mạch tích hợp quang điện tử. Các thiết bị này có đặc tính công suất và tần số cao.

Tóm lại, wafer SiC 4H-N không pha tạp 2 inch có tiềm năng ứng dụng rộng rãi, đặc biệt là trong điện tử công suất và RF. Hiệu suất vượt trội và độ ổn định nhiệt độ cao khiến chúng trở thành ứng cử viên sáng giá thay thế vật liệu silicon truyền thống cho các ứng dụng hiệu suất cao, nhiệt độ cao và công suất lớn.