Tấm wafer silicon carbide SiC 2 inch 50,8mm được pha tạp Si loại N Nghiên cứu sản xuất và cấp giả
Tiêu chí tham số cho tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch bao gồm
Vật liệu nền: 4H silicon carbide (4H-SiC)
Cấu trúc tinh thể: tetrahexahedral (4H)
Doping: Không doping (4H-N)
Kích thước: 2 inch
Loại dẫn điện: Loại N (n-pha tạp)
Độ dẫn điện: Chất bán dẫn
Triển vọng thị trường: Tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N có nhiều ưu điểm, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học cao, do đó có triển vọng thị trường rộng lớn trong các ứng dụng điện tử công suất và RF. Với sự phát triển của năng lượng tái tạo, xe điện và truyền thông, nhu cầu về các thiết bị có hiệu suất cao, hoạt động ở nhiệt độ cao và khả năng chịu công suất cao ngày càng tăng, mang đến cơ hội thị trường rộng lớn hơn cho tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N.
Công dụng: Tấm wafer SiC 4H-N không pha tạp 2 inch có thể được sử dụng để chế tạo nhiều loại thiết bị điện tử công suất và RF, bao gồm nhưng không giới hạn ở:
1--4H-SiC MOSFET: Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại cho các ứng dụng công suất cao/nhiệt độ cao. Các thiết bị này có tổn thất dẫn điện và chuyển mạch thấp để cung cấp hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.
2-4H-SiC JFET: FET nối cho bộ khuếch đại công suất RF và ứng dụng chuyển mạch. Các thiết bị này cung cấp hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt cao.
Điốt Schottky 3-4H-SiC: Điốt cho các ứng dụng công suất cao, nhiệt độ cao, tần số cao. Các thiết bị này cung cấp hiệu suất cao với tổn thất dẫn điện và chuyển mạch thấp.
Thiết bị quang điện tử 4--4H-SiC: Thiết bị được sử dụng trong các lĩnh vực như diode laser công suất cao, máy dò UV và mạch tích hợp quang điện tử. Các thiết bị này có đặc tính công suất và tần số cao.
Tóm lại, các tấm wafer SiC 4H-N không pha tạp 2 inch có tiềm năng cho nhiều ứng dụng, đặc biệt là trong điện tử công suất và RF. Hiệu suất vượt trội và độ ổn định ở nhiệt độ cao khiến chúng trở thành ứng cử viên mạnh mẽ để thay thế các vật liệu silicon truyền thống cho các ứng dụng hiệu suất cao, nhiệt độ cao và công suất cao.
Sơ đồ chi tiết
