Nghiên cứu sản xuất loại N và lớp giả bằng silic cacbua silic 2 inch 50,8mm

Tấm wafer SiC cacbua silic 2 inch 50,8mm pha tạp Si Nghiên cứu sản xuất loại N và cấp giả Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Thượng Hải Xinkehui Tech. Co.,Ltd cung cấp sự lựa chọn và mức giá tốt nhất cho các tấm wafer silicon cacbua chất lượng cao và các chất nền có đường kính lên đến 6 inch với các loại N và bán cách điện. Các công ty thiết bị bán dẫn lớn và nhỏ cũng như các phòng thí nghiệm nghiên cứu trên toàn thế giới sử dụng và tin cậy vào tấm silicon cacbua của chúng tôi.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tiêu chí tham số cho tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch bao gồm

Vật liệu nền: cacbua silic 4H (4H-SiC)

Cấu trúc tinh thể: tứ diện (4H)

Doping: Không pha tạp (4H-N)

Kích thước: 2 inch

Loại dẫn điện: Loại N (pha tạp n)

Độ dẫn điện: Chất bán dẫn

Triển vọng thị trường: Tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N có nhiều ưu điểm, chẳng hạn như độ dẫn nhiệt cao, tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học cao, do đó có triển vọng thị trường rộng rãi trong các ứng dụng điện tử công suất và RF. Với sự phát triển của năng lượng tái tạo, xe điện và thông tin liên lạc, nhu cầu ngày càng tăng về các thiết bị có hiệu suất cao, hoạt động ở nhiệt độ cao và khả năng chịu công suất cao, mang đến cơ hội thị trường rộng lớn hơn cho tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N.

Công dụng: Tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch có thể được sử dụng để chế tạo nhiều loại thiết bị điện tử công suất và RF, bao gồm nhưng không giới hạn ở:

MOSFET 1--4H-SiC: Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại dành cho các ứng dụng công suất cao/nhiệt độ cao. Những thiết bị này có tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch thấp để mang lại hiệu quả và độ tin cậy cao hơn.

2--4H-SiC JFET: FET nối cho các ứng dụng chuyển mạch và bộ khuếch đại công suất RF. Những thiết bị này cung cấp hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt cao.

Điốt Schottky 3--4H-SiC: Điốt cho các ứng dụng công suất cao, nhiệt độ cao, tần số cao. Những thiết bị này mang lại hiệu quả cao với tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch thấp.

Thiết bị quang điện tử 4--4H-SiC: Các thiết bị được sử dụng trong các lĩnh vực như điốt laser công suất cao, máy dò tia cực tím và mạch tích hợp quang điện tử. Những thiết bị này có đặc tính công suất và tần số cao.

Tóm lại, tấm wafer SiC không pha tạp 4H-N 2 inch có tiềm năng cho nhiều ứng dụng, đặc biệt là trong điện tử công suất và RF. Hiệu suất vượt trội và độ ổn định ở nhiệt độ cao khiến chúng trở thành đối thủ mạnh thay thế vật liệu silicon truyền thống cho các ứng dụng hiệu suất cao, nhiệt độ cao và năng lượng cao.