Tấm wafer nền 3 inch 76,2mm 4H-Semi SiC Tấm silicon Carbide bán xúc phạm

Mô tả ngắn:

Tấm wafer SiC đơn tinh thể chất lượng cao (Silicon Carbide) dành cho ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử.Tấm wafer SiC 3 inch là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo, tấm wafer silicon-cacbua bán cách điện có đường kính 3 inch.Các tấm wafer được thiết kế để chế tạo các thiết bị điện, RF và quang điện tử.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Sự miêu tả

Tấm nền SiC (silicon cacbua) bán cách điện 3 inch 4H là vật liệu bán dẫn thường được sử dụng.4H biểu thị cấu trúc tinh thể tứ diện.Bán cách điện có nghĩa là chất nền có đặc tính điện trở cao và có thể cách ly phần nào với dòng điện.

Các tấm nền như vậy có các đặc điểm sau: độ dẫn nhiệt cao, tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học và hóa học tuyệt vời.Do cacbua silic có khe năng lượng rộng và có thể chịu được nhiệt độ cao và điều kiện điện trường cao nên các tấm bán cách điện 4H-SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất và tần số vô tuyến (RF).

Các ứng dụng chính của tấm bán cách nhiệt 4H-SiC bao gồm:

1--Điện tử công suất: Tấm wafer 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị chuyển mạch nguồn như MOSFET (Bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại), IGBT (Bóng bán dẫn lưỡng cực có cổng cách điện) và điốt Schottky.Những thiết bị này có tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch thấp hơn trong môi trường điện áp cao và nhiệt độ cao, đồng thời mang lại hiệu quả và độ tin cậy cao hơn.

2--Thiết bị tần số vô tuyến (RF): Tấm bán cách điện 4H-SiC có thể được sử dụng để chế tạo bộ khuếch đại công suất RF tần số cao, công suất cao, điện trở chip, bộ lọc và các thiết bị khác.Cacbua silic có hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt tốt hơn do tốc độ trôi bão hòa điện tử lớn hơn và độ dẫn nhiệt cao hơn.

3--Thiết bị quang điện tử: Tấm bán cách điện 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất điốt laser công suất cao, máy dò tia UV và mạch tích hợp quang điện tử.

Xét về định hướng thị trường, nhu cầu về tấm bán cách điện 4H-SiC đang gia tăng cùng với các lĩnh vực điện tử công suất, RF và quang điện tử ngày càng phát triển.Điều này là do cacbua silic có nhiều ứng dụng, bao gồm tiết kiệm năng lượng, xe điện, năng lượng tái tạo và truyền thông.Trong tương lai, thị trường tấm bán cách điện 4H-SiC vẫn rất hứa hẹn và được kỳ vọng sẽ thay thế vật liệu silicon thông thường trong nhiều ứng dụng khác nhau.

Sơ đồ chi tiết

Tấm wafer nền 4H-Semi SiC Tấm silicon Carbide bán xúc phạm (1)
Tấm wafer nền 4H-Semi SiC Tấm silicon Carbide bán xúc phạm (2)
Tấm wafer nền 4H-Semi SiC Tấm silicon Carbide bán xúc phạm (3)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi