Tấm nền silicon carbide 2 inch, độ cứng 6H-N, đánh bóng hai mặt, đường kính 50,8mm, chất lượng sản xuất và chất lượng nghiên cứu.

1. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Các tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ mạnh hơn, do đó phù hợp để sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ như tàu vũ trụ và các cơ sở hạt nhân.

2. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng cường độ bền của wafer trong quá trình gia công.

3. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của tấm wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất ở tần số cao.

4. Tốc độ trôi điện tử bão hòa cao hơn: Các tấm wafer SIC có tốc độ trôi điện tử bão hòa cao hơn so với silicon, mang lại lợi thế cho các thiết bị SIC trong các ứng dụng tần số cao.

5. Mật độ công suất cao hơn: Với các đặc điểm trên, các thiết bị wafer SIC có thể đạt được công suất đầu ra cao hơn trong kích thước nhỏ hơn.

Tấm wafer silicon carbide 2 inch có nhiều ứng dụng.
1. Điện tử công suất: Các tấm wafer SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất như bộ chuyển đổi điện, bộ biến tần và công tắc cao áp nhờ đặc tính điện áp đánh thủng cao và tổn hao điện năng thấp.

2. Xe điện: Các tấm silicon carbide được sử dụng trong mạch điện tử công suất của xe điện để cải thiện hiệu suất và giảm trọng lượng, giúp sạc nhanh hơn và quãng đường di chuyển xa hơn.

3. Năng lượng tái tạo: Các tấm silicon carbide đóng vai trò quan trọng trong các ứng dụng năng lượng tái tạo như biến tần năng lượng mặt trời và hệ thống điện gió, giúp cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng và độ tin cậy.

4. Hàng không vũ trụ và Quốc phòng: Tấm wafer SiC rất cần thiết trong ngành hàng không vũ trụ và quốc phòng cho các ứng dụng chịu nhiệt độ cao, công suất cao và bức xạ, bao gồm hệ thống điện máy bay và hệ thống radar.

ZMSH cung cấp dịch vụ tùy chỉnh sản phẩm cho các tấm wafer silicon carbide của chúng tôi. Các tấm wafer của chúng tôi được làm từ các lớp silicon carbide chất lượng cao có nguồn gốc từ Trung Quốc để đảm bảo độ bền và độ tin cậy. Khách hàng có thể lựa chọn từ nhiều kích thước và thông số kỹ thuật wafer khác nhau để đáp ứng nhu cầu cụ thể của họ.

Các tấm wafer Silicon Carbide của chúng tôi có nhiều mẫu mã và kích cỡ khác nhau, mẫu mã là Silicon Carbide.

Chúng tôi cung cấp nhiều phương pháp xử lý bề mặt, bao gồm đánh bóng một mặt/hai mặt với độ nhám bề mặt ≤1,2nm và độ phẳng Lambda/10. Chúng tôi cũng cung cấp các tùy chọn điện trở suất cao/thấp có thể được tùy chỉnh theo yêu cầu của bạn. Mật độ điện tích riêng (EPD) ≤1E10/cm2 đảm bảo các tấm wafer của chúng tôi đáp ứng các tiêu chuẩn cao nhất của ngành.

Chúng tôi quan tâm đến từng chi tiết của bao bì, từ vệ sinh, chống tĩnh điện đến xử lý chống sốc. Tùy thuộc vào số lượng và hình dạng sản phẩm, chúng tôi sẽ áp dụng quy trình đóng gói khác nhau! Hầu hết là đóng gói theo từng khay wafer đơn hoặc khay 25 chiếc trong phòng sạch cấp độ 100.