Chất nền silicon carbide 2 inch 6H-N đánh bóng hai mặt đường kính 50,8mm cấp sản xuất cấp nghiên cứu

Tấm nền silicon carbide 2 inch 6H-N đánh bóng hai mặt đường kính 50,8mm cấp sản xuất cấp nghiên cứu Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Silicon carbide (SiC), còn được gọi là carborundum, là một chất bán dẫn chứa silicon và carbon với công thức hóa học là SiC. SiC được sử dụng trong các thiết bị điện tử bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hoặc điện áp cao, hoặc cả hai. SiC cũng là một trong những thành phần LED quan trọng, nó là chất nền phổ biến để phát triển các thiết bị GaN và nó cũng đóng vai trò là chất tản nhiệt trong các đèn LED công suất cao.
Tấm wafer silicon carbide là vật liệu hiệu suất cao được sử dụng trong sản xuất các thiết bị điện tử. Nó được làm từ một lớp silicon carbide trong một mái vòm tinh thể silicon và có sẵn ở nhiều cấp độ, loại và bề mặt hoàn thiện khác nhau. Tấm wafer có độ phẳng Lambda/10, đảm bảo chất lượng và hiệu suất cao nhất cho các thiết bị điện tử được làm từ tấm wafer. Tấm wafer silicon carbide lý tưởng để sử dụng trong điện tử công suất, công nghệ LED và cảm biến tiên tiến. Chúng tôi cung cấp tấm wafer silicon carbide (sic) chất lượng cao cho các ngành công nghiệp điện tử và quang tử.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Sau đây là các đặc điểm của tấm wafer silicon carbide 2 inch:

1. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ mạnh hơn, phù hợp để sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ bao gồm tàu vũ trụ và cơ sở hạt nhân.

2. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng độ bền của tấm wafer trong quá trình xử lý.

3. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất tần số cao.

4. Tốc độ trôi electron bão hòa cao hơn: Các tấm wafer SIC có tốc độ trôi electron bão hòa cao hơn silicon, mang lại cho các thiết bị SIC lợi thế trong các ứng dụng tần số cao.

5. Mật độ công suất cao hơn: Với những đặc điểm trên, các thiết bị wafer SIC có thể đạt được công suất đầu ra cao hơn trong kích thước nhỏ hơn.

Tấm wafer silicon carbide 2 inch có nhiều ứng dụng.
1. Điện tử công suất: Tấm wafer SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất như bộ biến đổi điện, biến tần và công tắc điện áp cao do có điện áp đánh thủng cao và đặc tính tổn thất điện năng thấp.

2. Xe điện: Tấm silicon carbide được sử dụng trong thiết bị điện tử công suất của xe điện để cải thiện hiệu suất và giảm trọng lượng, giúp sạc nhanh hơn và phạm vi lái xe dài hơn.

3. Năng lượng tái tạo: Tấm silicon carbide đóng vai trò quan trọng trong các ứng dụng năng lượng tái tạo như biến tần năng lượng mặt trời và hệ thống điện gió, cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng và độ tin cậy.

4. Hàng không vũ trụ và quốc phòng: Tấm wafer SiC rất cần thiết trong ngành hàng không vũ trụ và quốc phòng cho các ứng dụng chịu nhiệt độ cao, công suất lớn và chống bức xạ, bao gồm hệ thống năng lượng máy bay và hệ thống radar.

ZMSH cung cấp dịch vụ tùy chỉnh sản phẩm cho các tấm wafer silicon carbide của chúng tôi. Các tấm wafer của chúng tôi được làm từ các lớp silicon carbide chất lượng cao có nguồn gốc từ Trung Quốc để đảm bảo độ bền và độ tin cậy. Khách hàng có thể lựa chọn từ danh mục kích thước và thông số kỹ thuật của chúng tôi để đáp ứng nhu cầu cụ thể của họ.

Tấm silicon carbide của chúng tôi có nhiều mẫu mã và kích thước khác nhau, mẫu mã là silicon carbide.

Chúng tôi cung cấp nhiều phương pháp xử lý bề mặt bao gồm đánh bóng một mặt/hai mặt với độ nhám bề mặt ≤1,2nm và độ phẳng Lambda/10. Chúng tôi cũng cung cấp các tùy chọn điện trở suất cao/thấp có thể tùy chỉnh theo yêu cầu của bạn. EPD ≤1E10/cm2 của chúng tôi đảm bảo rằng các tấm wafer của chúng tôi đáp ứng các tiêu chuẩn cao nhất của ngành.

Chúng tôi quan tâm đến từng chi tiết của bao bì, vệ sinh, chống tĩnh điện, xử lý sốc. Theo số lượng và hình dạng của sản phẩm, chúng tôi sẽ thực hiện quy trình đóng gói khác nhau! Gần như bằng băng cassette wafer đơn hoặc băng cassette 25 chiếc trong phòng vệ sinh cấp 100.