Chất nền cacbua silic 2 inch, đường kính đánh bóng hai mặt 6H-N, cấp sản xuất 50,8mm, cấp nghiên cứu
Sau đây là các đặc điểm của wafer silicon cacbua 2 inch:
1. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ mạnh hơn nên thích hợp sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ bao gồm tàu vũ trụ và cơ sở hạt nhân.
2. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng cường độ bền của tấm wafer trong quá trình xử lý.
3. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của tấm wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất tần số cao.
4. Tốc độ trôi electron bão hòa cao hơn: Tấm wafer SIC có tốc độ trôi electron bão hòa cao hơn silicon, mang lại lợi thế cho thiết bị SIC trong các ứng dụng tần số cao.
5. Mật độ năng lượng cao hơn: Với những đặc điểm trên, các thiết bị wafer SIC có thể đạt được công suất đầu ra cao hơn trong kích thước nhỏ hơn.
Tấm wafer silicon cacbua 2 inch có một số ứng dụng.
1. Điện tử công suất: Tấm wafer SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất như bộ chuyển đổi nguồn, bộ biến tần và công tắc điện áp cao do điện áp đánh thủng cao và đặc tính tổn thất điện năng thấp.
2. Xe điện: Tấm silicon cacbua được sử dụng trong thiết bị điện tử công suất của xe điện để cải thiện hiệu suất và giảm trọng lượng, giúp sạc nhanh hơn và phạm vi lái xe dài hơn.
3. Năng lượng tái tạo: Tấm silicon cacbua đóng vai trò quan trọng trong các ứng dụng năng lượng tái tạo như bộ biến tần năng lượng mặt trời và hệ thống năng lượng gió, cải thiện hiệu suất và độ tin cậy chuyển đổi năng lượng.
4. Hàng không vũ trụ và Quốc phòng: Tấm wafer SiC rất cần thiết trong ngành hàng không vũ trụ và quốc phòng cho các ứng dụng chịu nhiệt độ cao, công suất cao và chống bức xạ, bao gồm hệ thống điện máy bay và hệ thống radar.
ZMSH cung cấp các dịch vụ tùy chỉnh sản phẩm cho tấm silicon cacbua của chúng tôi. Tấm wafer của chúng tôi được làm từ các lớp cacbua silic chất lượng cao có nguồn gốc từ Trung Quốc để đảm bảo độ bền và độ tin cậy. Khách hàng có thể chọn từ các kích thước và thông số kỹ thuật wafer của chúng tôi để đáp ứng nhu cầu cụ thể của họ.
Tấm wafer Silicon Carbide của chúng tôi có nhiều mẫu mã và kích cỡ khác nhau, mẫu đó là Silicon Carbide.
Chúng tôi cung cấp nhiều phương pháp xử lý bề mặt bao gồm đánh bóng một mặt/hai mặt với độ nhám bề mặt ≤1,2nm và độ phẳng Lambda/10. Chúng tôi cũng cung cấp các tùy chọn điện trở suất cao/thấp có thể được tùy chỉnh theo yêu cầu của bạn. EPD 1E10/cm2 của chúng tôi đảm bảo rằng tấm bán dẫn của chúng tôi đáp ứng các tiêu chuẩn cao nhất của ngành.
Chúng tôi quan tâm đến từng chi tiết của bao bì, làm sạch, chống tĩnh điện, xử lý sốc. Tùy theo số lượng và hình dạng của sản phẩm, chúng tôi sẽ thực hiện một quy trình đóng gói khác! Hầu như bằng băng cassette đơn hoặc băng 25 chiếc trong phòng vệ sinh cấp 100.