Tấm wafer silicon carbide 2 inch, loại 6H-N, cấp độ cao cấp, cấp độ nghiên cứu, cấp độ tiêu chuẩn, độ dày 330μm và 430μm.
Sau đây là các đặc điểm của tấm wafer silicon carbide:
1. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có đặc tính điện tuyệt vời và đặc tính nhiệt xuất sắc. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có hệ số giãn nở nhiệt thấp.
2. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có đặc tính độ cứng vượt trội. Tấm wafer silicon carbide (SiC) hoạt động tốt ở nhiệt độ cao.
3. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có khả năng chống ăn mòn, mài mòn và oxy hóa cao. Ngoài ra, tấm wafer silicon carbide (SiC) cũng sáng bóng hơn cả kim cương hay zirconia khối.
4. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Các tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ mạnh hơn, do đó phù hợp để sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ như tàu vũ trụ và các cơ sở hạt nhân.
5. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng cường độ bền của wafer trong quá trình gia công.
6. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của tấm wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất ở tần số cao.
Tấm silicon carbide có nhiều ứng dụng.
SiC được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện áp rất cao và công suất cao như điốt, bóng bán dẫn công suất và các thiết bị vi sóng công suất cao. So với các thiết bị Si thông thường, các thiết bị công suất dựa trên SiC có tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, điện áp cao hơn, điện trở ký sinh thấp hơn, kích thước nhỏ hơn và yêu cầu làm mát ít hơn do khả năng chịu nhiệt độ cao.
Mặc dù tấm silicon carbide (SiC-6H) - 6H có tính chất điện tử vượt trội, nhưng tấm silicon carbide (SiC-6H) – 6H lại dễ chế tạo và nghiên cứu nhất.
1. Điện tử công suất: Tấm wafer Silicon Carbide được sử dụng trong sản xuất các thiết bị điện tử công suất, ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, bao gồm xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và thiết bị công nghiệp. Độ dẫn nhiệt cao và tổn hao điện năng thấp của Silicon Carbide khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
2. Đèn LED: Tấm wafer Silicon Carbide được sử dụng trong sản xuất đèn LED. Độ bền cao của Silicon Carbide cho phép sản xuất đèn LED bền hơn và có tuổi thọ cao hơn so với các nguồn sáng truyền thống.
3. Thiết bị bán dẫn: Tấm wafer Silicon Carbide được sử dụng trong sản xuất các thiết bị bán dẫn, được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, bao gồm viễn thông, điện toán và điện tử tiêu dùng. Độ dẫn nhiệt cao và tổn hao điện năng thấp của Silicon Carbide khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
4. Pin mặt trời: Tấm silicon carbide được sử dụng trong sản xuất pin mặt trời. Độ bền cao của silicon carbide cho phép sản xuất các pin mặt trời bền hơn và có tuổi thọ cao hơn so với các pin mặt trời truyền thống.
Nhìn chung, tấm wafer silicon carbide ZMSH là một sản phẩm đa năng và chất lượng cao, có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Độ dẫn nhiệt cao, tổn hao điện năng thấp và độ bền cao khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị điện tử công suất cao và hoạt động ở nhiệt độ cao. Với độ cong vênh ≤50µm, độ nhám bề mặt ≤1,2nm và điện trở suất cao/thấp, tấm wafer silicon carbide là lựa chọn đáng tin cậy và hiệu quả cho bất kỳ ứng dụng nào yêu cầu bề mặt phẳng và mịn.
Sản phẩm đế SiC của chúng tôi đi kèm với hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ toàn diện để đảm bảo hiệu suất tối ưu và sự hài lòng của khách hàng.
Đội ngũ chuyên gia của chúng tôi luôn sẵn sàng hỗ trợ bạn trong việc lựa chọn sản phẩm, lắp đặt và khắc phục sự cố.
Chúng tôi cung cấp các khóa đào tạo và hướng dẫn về cách sử dụng và bảo trì sản phẩm để giúp khách hàng tối đa hóa khoản đầu tư của họ.
Ngoài ra, chúng tôi liên tục cập nhật và nâng cấp sản phẩm để đảm bảo khách hàng luôn được tiếp cận với công nghệ mới nhất.
Sơ đồ chi tiết
