Tấm wafer silicon carbide 2 inch loại 6H-N cấp chính cấp nghiên cứu cấp giả độ dày 330μm 430μm
Sau đây là những đặc điểm của tấm wafer silicon carbide:
1. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có tính chất điện và tính chất nhiệt tuyệt vời. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có độ giãn nở nhiệt thấp.
2. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có độ cứng vượt trội. Tấm wafer silicon carbide (SiC) hoạt động tốt ở nhiệt độ cao.
3. Tấm silicon carbide (SiC) có khả năng chống ăn mòn, xói mòn và oxy hóa cao. Ngoài ra, tấm silicon carbide (SiC) còn sáng bóng hơn cả kim cương hoặc zirconia khối.
4. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ tốt hơn, phù hợp để sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ như tàu vũ trụ và cơ sở hạt nhân.
5. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng độ bền của tấm wafer trong quá trình xử lý.
6. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất tần số cao.
Tấm wafer silicon carbide có nhiều ứng dụng
SiC được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện áp cực cao và công suất lớn như điốt, bóng bán dẫn công suất và thiết bị vi sóng công suất cao. So với các thiết bị Si thông thường, các thiết bị công suất dựa trên SiC có tốc độ đóng cắt nhanh hơn, điện áp cao hơn, điện trở ký sinh thấp hơn, kích thước nhỏ hơn, ít cần làm mát hơn nhờ khả năng chịu nhiệt độ cao.
Trong khi wafer Silicon carbide (SiC-6H) - 6H có các tính chất điện tử vượt trội thì wafer Silicon carbide (SiC-6H) - 6H lại dễ chế tạo và được nghiên cứu tốt nhất.
1. Điện tử công suất: Tấm wafer Silicon Carbide được sử dụng trong sản xuất điện tử công suất, được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực, bao gồm xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và thiết bị công nghiệp. Độ dẫn nhiệt cao và tổn thất điện năng thấp của Silicon Carbide khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
2. Đèn LED: Tấm wafer Silicon Carbide được sử dụng trong sản xuất đèn LED. Độ bền cao của Silicon Carbide giúp sản xuất đèn LED bền hơn và lâu dài hơn so với các nguồn sáng truyền thống.
3. Thiết bị bán dẫn: Tấm wafer Silicon Carbide được sử dụng trong sản xuất thiết bị bán dẫn, được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm viễn thông, máy tính và điện tử tiêu dùng. Độ dẫn nhiệt cao và tổn thất điện năng thấp của Silicon Carbide khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
4. Pin mặt trời: Tấm silicon carbide được sử dụng trong sản xuất pin mặt trời. Độ bền cao của silicon carbide giúp sản xuất pin mặt trời bền hơn và lâu dài hơn so với pin mặt trời truyền thống.
Nhìn chung, tấm wafer silicon carbide ZMSH là một sản phẩm đa năng và chất lượng cao, có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Độ dẫn nhiệt cao, tổn thất điện năng thấp và độ bền cao khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị điện tử công suất cao và nhiệt độ cao. Với độ cong vênh ≤50um, độ nhám bề mặt ≤1,2nm và điện trở suất cao/thấp, tấm wafer silicon carbide là lựa chọn đáng tin cậy và hiệu quả cho bất kỳ ứng dụng nào yêu cầu bề mặt phẳng và nhẵn.
Sản phẩm SiC Substrate của chúng tôi đi kèm với dịch vụ và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện để đảm bảo hiệu suất tối ưu và sự hài lòng của khách hàng.
Đội ngũ chuyên gia của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ lựa chọn sản phẩm, lắp đặt và khắc phục sự cố.
Chúng tôi cung cấp đào tạo và giáo dục về cách sử dụng và bảo trì sản phẩm để giúp khách hàng tối đa hóa khoản đầu tư của họ.
Ngoài ra, chúng tôi còn liên tục cập nhật và cải tiến sản phẩm để đảm bảo khách hàng luôn có quyền truy cập vào công nghệ mới nhất.
Sơ đồ chi tiết



