Tấm wafer silicon carbide 2 inch loại 6H-N loại Prime Grade loại nghiên cứu loại giả độ dày 330μm 430μm

Mô tả ngắn gọn:

Có nhiều dạng đa hình khác nhau của silicon carbide và silicon carbide 6H là một trong gần 200 dạng đa hình. Silicon carbide 6H cho đến nay là dạng biến thể silicon carbide phổ biến nhất vì mục đích thương mại. Các tấm wafer silicon carbide 6H có tầm quan trọng tối cao. Chúng có thể được sử dụng làm chất bán dẫn. Nó được sử dụng rộng rãi trong các công cụ mài mòn và cắt như đĩa cắt vì độ bền và chi phí vật liệu thấp. Nó được sử dụng trong áo giáp composite hiện đại và áo chống đạn. Nó cũng được sử dụng trong ngành công nghiệp ô tô, nơi nó được sử dụng để sản xuất đĩa phanh. Trong các ứng dụng đúc lớn, nó được sử dụng để giữ kim loại nóng chảy trong nồi nấu kim loại. Việc sử dụng nó trong các ứng dụng điện và điện tử rất nổi tiếng đến mức không cần phải tranh luận. Hơn nữa, nó được sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất, đèn LED, thiên văn học, nhiệt kế sợi mỏng, đồ trang sức, graphene và sản xuất thép, và như một chất xúc tác. Chúng tôi cung cấp các tấm wafer silicon carbide 6H với chất lượng đặc biệt và đáng kinh ngạc là 99,99%.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Sau đây là các đặc điểm của tấm wafer silicon carbide:

1. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có tính chất điện tuyệt vời và tính chất nhiệt tuyệt vời. Tấm wafer silicon carbide (SiC) có độ giãn nở nhiệt thấp.

2. Tấm silicon carbide (SiC) có đặc tính độ cứng vượt trội. Tấm silicon carbide (SiC) hoạt động tốt ở nhiệt độ cao.

3. Tấm silicon carbide (SiC) có khả năng chống ăn mòn, xói mòn và oxy hóa cao. Ngoài ra, tấm silicon carbide (SiC) cũng sáng bóng hơn cả kim cương hoặc zirconia khối.

4. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ mạnh hơn, phù hợp để sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ bao gồm tàu vũ trụ và cơ sở hạt nhân.
5. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng độ bền của tấm wafer trong quá trình xử lý.

6. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất tần số cao.

Tấm silicon carbide có một số ứng dụng

SiC được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện áp rất cao và công suất lớn như diode, bóng bán dẫn công suất và thiết bị vi sóng công suất cao. So với các thiết bị Si thông thường, các thiết bị điện dựa trên SiC có tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, điện áp cao hơn, điện trở ký sinh thấp hơn, kích thước nhỏ hơn, ít cần làm mát hơn do khả năng chịu nhiệt độ cao.
Trong khi tấm silicon carbide (SiC-6H) - 6H có các tính chất điện tử vượt trội thì tấm silicon carbide (SiC-6H) - 6H lại dễ chế tạo và được nghiên cứu tốt nhất.
1. Điện tử công suất: Tấm silicon carbide được sử dụng trong sản xuất Điện tử công suất, được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, bao gồm xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và thiết bị công nghiệp. Độ dẫn nhiệt cao và tổn thất điện năng thấp của silicon carbide làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
2. Đèn LED: Tấm silicon carbide được sử dụng trong sản xuất đèn LED. Độ bền cao của silicon carbide giúp sản xuất đèn LED bền hơn và lâu dài hơn so với các nguồn sáng truyền thống.
3. Thiết bị bán dẫn: Tấm silicon carbide được sử dụng trong sản xuất Thiết bị bán dẫn, được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm viễn thông, máy tính và điện tử tiêu dùng. Độ dẫn nhiệt cao và tổn thất điện năng thấp của silicon carbide làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
4. Pin mặt trời: Tấm silicon carbide được sử dụng trong sản xuất pin mặt trời. Độ bền cao của silicon carbide giúp sản xuất pin mặt trời bền hơn và lâu dài hơn so với pin mặt trời truyền thống.
Nhìn chung, tấm wafer silicon carbide ZMSH là sản phẩm đa năng và chất lượng cao có thể sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Độ dẫn nhiệt cao, tổn thất điện năng thấp và độ bền cao khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị điện tử công suất cao và nhiệt độ cao. Với độ cong vênh ≤50um, độ nhám bề mặt ≤1,2nm và điện trở suất cao/thấp, tấm wafer silicon carbide là lựa chọn đáng tin cậy và hiệu quả cho bất kỳ ứng dụng nào yêu cầu bề mặt phẳng và nhẵn.
Sản phẩm SiC Substrate của chúng tôi đi kèm dịch vụ và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện để đảm bảo hiệu suất tối ưu và sự hài lòng của khách hàng.
Đội ngũ chuyên gia của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ lựa chọn sản phẩm, lắp đặt và khắc phục sự cố.
Chúng tôi cung cấp đào tạo và giáo dục về cách sử dụng và bảo trì sản phẩm để giúp khách hàng tối đa hóa khoản đầu tư của mình.
Ngoài ra, chúng tôi còn liên tục cập nhật và cải tiến sản phẩm để đảm bảo khách hàng luôn có quyền truy cập vào công nghệ mới nhất.