Tấm wafer silicon cacbua 2 inch Loại 6H-N Loại nghiên cứu cấp cao Lớp giả Lớp 330μm Độ dày 430μm
Sau đây là các đặc điểm của wafer silicon cacbua:
1. Tấm wafer cacbua silic (SiC) có tính chất điện tuyệt vời và tính chất nhiệt tuyệt vời. Tấm wafer silicon cacbua (SiC) có độ giãn nở nhiệt thấp.
2. Tấm wafer cacbua silic (SiC) có đặc tính độ cứng vượt trội. Tấm wafer silicon cacbua (SiC) hoạt động tốt ở nhiệt độ cao.
3. Tấm wafer cacbua silic (SiC) có khả năng chống ăn mòn, xói mòn và oxy hóa cao. Ngoài ra, wafer silicon cacbua (SiC) cũng sáng bóng hơn cả kim cương hoặc zirconia khối.
4. Khả năng chống bức xạ tốt hơn: Tấm wafer SIC có khả năng chống bức xạ mạnh hơn nên phù hợp để sử dụng trong môi trường bức xạ. Ví dụ bao gồm tàu vũ trụ và cơ sở hạt nhân.
5. Độ cứng cao hơn: Tấm wafer SIC cứng hơn silicon, giúp tăng cường độ bền của tấm wafer trong quá trình xử lý.
6. Hằng số điện môi thấp hơn: Hằng số điện môi của tấm wafer SIC thấp hơn so với silicon, giúp giảm điện dung ký sinh trong thiết bị và cải thiện hiệu suất tần số cao.
Tấm wafer cacbua silic có một số ứng dụng
SiC được sử dụng để chế tạo các thiết bị có điện áp rất cao và công suất cao như điốt, bóng bán dẫn điện và các thiết bị vi sóng công suất cao. So với các thiết bị Si thông thường, các thiết bị nguồn dựa trên SiC có tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, điện áp cao hơn, điện trở ký sinh thấp hơn, kích thước nhỏ hơn, ít cần làm mát hơn do khả năng chịu nhiệt độ cao.
Trong khi Silicon Carbide (SiC-6H) - wafer 6H có đặc tính điện tử vượt trội thì silicon Carbide (SiC-6H) - wafer 6H được chế tạo dễ dàng nhất và được nghiên cứu tốt nhất.
1.Điện tử công suất: Tấm silicon cacbua được sử dụng trong sản xuất Điện tử công suất, được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và thiết bị công nghiệp. Độ dẫn nhiệt cao và tổn thất điện năng thấp của Silicon Carbide khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
2.Đèn chiếu sáng LED: Tấm silicon cacbua được sử dụng trong sản xuất đèn LED. Độ bền cao của Silicon Carbide giúp sản xuất đèn LED bền và lâu dài hơn các nguồn chiếu sáng truyền thống.
3.Thiết bị bán dẫn: Tấm silicon cacbua được sử dụng để sản xuất Thiết bị bán dẫn, được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm viễn thông, máy tính và điện tử tiêu dùng. Độ dẫn nhiệt cao và tổn thất điện năng thấp của Silicon Carbide khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng này.
4.Tế bào năng lượng mặt trời: Tấm silicon cacbua được sử dụng trong sản xuất Pin mặt trời. Độ bền cao của Silicon Carbide giúp có thể sản xuất Pin mặt trời bền hơn và lâu dài hơn Pin mặt trời truyền thống.
Nhìn chung, ZMSH Silicon Carbide Wafer là một sản phẩm linh hoạt và chất lượng cao, có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng. Độ dẫn nhiệt cao, tổn thất điện năng thấp và độ bền cao khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị điện tử công suất cao và nhiệt độ cao. Với Cung/Độ cong 50um, Độ nhám bề mặt 1,2nm và Điện trở suất Cao/Thấp, Tấm wafer Silicon Carbide là sự lựa chọn đáng tin cậy và hiệu quả cho bất kỳ ứng dụng nào yêu cầu bề mặt phẳng và mịn.
Sản phẩm SiC Substrate của chúng tôi đi kèm với dịch vụ và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện để đảm bảo hiệu suất tối ưu và sự hài lòng của khách hàng.
Đội ngũ chuyên gia của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ lựa chọn sản phẩm, cài đặt và khắc phục sự cố.
Chúng tôi cung cấp đào tạo và giáo dục về cách sử dụng và bảo trì các sản phẩm của mình để giúp khách hàng tối đa hóa khoản đầu tư của họ.
Ngoài ra, chúng tôi còn cung cấp các bản cập nhật và cải tiến sản phẩm liên tục để đảm bảo khách hàng luôn có quyền truy cập vào công nghệ mới nhất.
Sơ đồ chi tiết
