Tấm wafer bán SiC 3 inch 76,2mm 4H-Semi SiC Tấm wafer bán cách điện Silicon Carbide

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer SiC tinh thể đơn chất lượng cao (Silicon Carbide) cho ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử. Tấm wafer SiC 3 inch là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo, tấm wafer silicon-carbide bán cách điện có đường kính 3 inch. Các tấm wafer này dùng để chế tạo các thiết bị điện, RF và quang điện tử.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Sự miêu tả

Tấm nền bán cách điện SiC (silicon carbide) 3 inch 4H là vật liệu bán dẫn được sử dụng phổ biến. 4H biểu thị cấu trúc tinh thể tứ diện. Bán cách điện có nghĩa là nền có đặc tính điện trở cao và có thể phần nào cách ly khỏi dòng điện.

Các tấm nền như vậy có các đặc điểm sau: độ dẫn nhiệt cao, tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học và hóa học tuyệt vời. Vì silicon carbide có khoảng cách năng lượng rộng và có thể chịu được nhiệt độ cao và điều kiện trường điện cao, nên các tấm bán cách điện 4H-SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất và tần số vô tuyến (RF).

Các ứng dụng chính của tấm bán cách điện 4H-SiC bao gồm:

1-Điện tử công suất: Các tấm wafer 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị chuyển mạch công suất như MOSFET (Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại), IGBT (Transistor lưỡng cực cổng cách điện) và điốt Schottky. Các thiết bị này có tổn thất dẫn điện và chuyển mạch thấp hơn trong môi trường điện áp cao và nhiệt độ cao và mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.

2--Thiết bị tần số vô tuyến (RF): Các tấm bán cách điện 4H-SiC có thể được sử dụng để chế tạo bộ khuếch đại công suất RF tần số cao, công suất cao, điện trở chip, bộ lọc và các thiết bị khác. Silicon carbide có hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt tốt hơn do tốc độ trôi bão hòa electron lớn hơn và độ dẫn nhiệt cao hơn.

3--Thiết bị quang điện tử: Tấm bán dẫn 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất điốt laser công suất cao, máy dò tia UV và mạch tích hợp quang điện tử.

Về hướng thị trường, nhu cầu về wafer bán cách điện 4H-SiC đang tăng lên cùng với sự phát triển của các lĩnh vực điện tử công suất, RF và quang điện tử. Điều này là do silicon carbide có nhiều ứng dụng, bao gồm hiệu quả năng lượng, xe điện, năng lượng tái tạo và truyền thông. Trong tương lai, thị trường wafer bán cách điện 4H-SiC vẫn rất hứa hẹn và dự kiến sẽ thay thế các vật liệu silicon thông thường trong nhiều ứng dụng khác nhau.