Tấm wafer SiC 4 inch 6H Chất nền SiC bán cách điện loại chính, loại nghiên cứu và loại giả
Đặc điểm kỹ thuật sản phẩm
| Cấp | Cấp sản xuất MPD bằng không (Lớp Z) | Cấp sản xuất tiêu chuẩn (Lớp P) | Lớp giả (Lớp D) | ||||||||
| Đường kính | 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 mm±20 mm | 500 mm±25 mm | |||||||||
| Định hướng wafer |
Trục lệch: 4,0° hướng tới< 1120 > ±0,5° đối với 4H-N, Trên trục : <0001>±0,5° đối với 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | 1cm-2 | 5 cm-2 | 15 cm-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Định hướng phẳng chính | {10-10} ±5,0° | ||||||||||
| Chiều dài phẳng chính | 32,5mm±2,0mm | ||||||||||
| Chiều dài phẳng thứ cấp | 18,0mm±2,0mm | ||||||||||
| Định hướng phẳng thứ cấp | Mặt silicon hướng lên: 90° CW.từ Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| Loại trừ cạnh | 3mm | ||||||||||
| LTV/TTV/Cung/Warp | 3 μm/<5 μm/<15 μm/<30 μm | ≤10 μm/<15 μm/<25 μm/<40 μm | |||||||||
| Độ nhám | Mặt chữ C | Đánh bóng | Ra 1nm | ||||||||
| mặt si | CMP | Ra 0,2nm | Ra 0,5nm | ||||||||
| Vết nứt cạnh bởi ánh sáng cường độ cao | Không có | Chiều dài tích lũy ≤ 10 mm, đơn chiều dài 2 mm | |||||||||
| Tấm lục giác bằng ánh sáng cường độ cao | Diện tích tích lũy 0,05% | Diện tích tích lũy 0,1% | |||||||||
| Vùng đa dạng bằng ánh sáng cường độ cao | Không có | Diện tích tích lũy<3% | |||||||||
| Bao gồm carbon trực quan | Diện tích tích lũy 0,05% | Diện tích tích lũy 3% | |||||||||
| Bề mặt silicon bị trầy xước bởi ánh sáng cường độ cao | Không có | Chiều dài tích lũy<1＊đường kính wafer | |||||||||
| Chip cạnh cao theo cường độ ánh sáng | Không được phép có chiều rộng và chiều sâu ≥0,2 mm | Cho phép 5, mỗi cái 1 mm | |||||||||
| Ô nhiễm bề mặt silicon ở cường độ cao | Không có | ||||||||||
| Bao bì | Hộp đựng nhiều miếng wafer hoặc hộp đựng wafer đơn | ||||||||||
Sơ đồ chi tiết
Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi
