Mẫu thử nghiệm sản xuất silicon carbide 4H-N 4 inch dành cho nghiên cứu
Ứng dụng
Các tấm wafer đơn tinh thể silicon carbide 4 inch đóng vai trò quan trọng trong nhiều lĩnh vực. Thứ nhất, chúng được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao như transistor công suất, mạch tích hợp và module công suất. Độ dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt cao giúp chúng tản nhiệt tốt hơn, mang lại hiệu quả hoạt động và độ tin cậy cao hơn. Thứ hai, các tấm wafer silicon carbide cũng được sử dụng trong lĩnh vực nghiên cứu để tiến hành nghiên cứu về vật liệu và thiết bị mới. Ngoài ra, các tấm wafer silicon carbide cũng được sử dụng rộng rãi trong quang điện tử, chẳng hạn như sản xuất đèn LED và diode laser.
Thông số kỹ thuật của tấm wafer SiC 4 inch
Tấm nền silicon carbide đơn tinh thể đường kính 4 inch (khoảng 101,6mm), độ hoàn thiện bề mặt đạt Ra < 0,5 nm, độ dày 600±25 μm. Độ dẫn điện của tấm nền là loại N hoặc loại P và có thể được tùy chỉnh theo nhu cầu của khách hàng. Ngoài ra, chip còn có độ ổn định cơ học tuyệt vời, có thể chịu được một lượng áp lực và rung động nhất định.
Tấm wafer đơn tinh thể silicon carbide kích thước inch là vật liệu hiệu năng cao được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực bán dẫn, nghiên cứu và quang điện tử. Nó có khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt cao, phù hợp cho việc chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao và nghiên cứu vật liệu mới. Chúng tôi cung cấp nhiều thông số kỹ thuật và tùy chọn tùy chỉnh để đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng. Vui lòng truy cập trang web riêng của chúng tôi để tìm hiểu thêm thông tin sản phẩm về tấm wafer silicon carbide.
Các công việc chính: Tấm wafer silicon carbide, tấm wafer chất nền đơn tinh thể silicon carbide, 4 inch, độ dẫn nhiệt, độ ổn định cơ học, khả năng chịu nhiệt độ cao, bóng bán dẫn công suất, mạch tích hợp, mô-đun công suất, đèn LED, điốt laser, độ hoàn thiện bề mặt, độ dẫn điện, tùy chọn tùy chỉnh
Sơ đồ chi tiết
