Tấm wafer nền SiC 4 inch 4H-N Silicon Carbide Sản xuất Mô hình Cấp nghiên cứu
Ứng dụng
Tấm nền tinh thể đơn silicon carbide 4 inch đóng vai trò quan trọng trong nhiều lĩnh vực. Đầu tiên, nó được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao như bóng bán dẫn công suất, mạch tích hợp và mô-đun công suất. Độ dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt độ cao giúp tản nhiệt tốt hơn và mang lại hiệu quả làm việc và độ tin cậy cao hơn. Thứ hai, tấm nền silicon carbide cũng được sử dụng trong lĩnh vực nghiên cứu để tiến hành nghiên cứu về vật liệu và thiết bị mới. Ngoài ra, tấm nền silicon carbide cũng được sử dụng rộng rãi trong quang điện tử, chẳng hạn như sản xuất đèn LED và điốt laser.
Thông số kỹ thuật của wafer SiC 4 inch
Tấm wafer đơn tinh thể silicon carbide 4 inch đường kính 4 inch (khoảng 101,6mm), độ hoàn thiện bề mặt lên đến Ra < 0,5 nm, độ dày 600±25 μm. Độ dẫn điện của wafer là loại N hoặc loại P và có thể tùy chỉnh theo nhu cầu của khách hàng. Ngoài ra, chip còn có độ ổn định cơ học tuyệt vời, có thể chịu được một lượng áp suất và độ rung nhất định.
Tấm wafer đơn tinh thể silicon carbide inch là vật liệu hiệu suất cao được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực bán dẫn, nghiên cứu và quang điện tử. Nó có độ dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt độ cao, phù hợp để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao và nghiên cứu vật liệu mới. Chúng tôi cung cấp nhiều thông số kỹ thuật và tùy chọn tùy chỉnh để đáp ứng nhiều nhu cầu của khách hàng. Vui lòng chú ý đến trang web độc lập của chúng tôi để tìm hiểu thêm về thông tin sản phẩm của tấm wafer silicon carbide.
Các tác phẩm chính: Tấm wafer silicon carbide, tấm wafer nền tinh thể đơn silicon carbide, 4 inch, độ dẫn nhiệt, độ ổn định cơ học, khả năng chịu nhiệt độ cao, bóng bán dẫn công suất, mạch tích hợp, mô-đun công suất, đèn LED, điốt laser, bề mặt hoàn thiện, độ dẫn điện, các tùy chọn tùy chỉnh
Sơ đồ chi tiết
