Tấm wafer nền SiC 4H-N 4 inch Sản xuất giả cacbua silic Lớp nghiên cứu
Các ứng dụng
Tấm nền đơn tinh thể silicon cacbua 4 inch đóng một vai trò quan trọng trong nhiều lĩnh vực.Đầu tiên, nó được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao như bóng bán dẫn công suất, mạch tích hợp và mô-đun nguồn.Độ dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt độ cao cho phép nó tản nhiệt tốt hơn và mang lại hiệu quả và độ tin cậy làm việc cao hơn.Thứ hai, tấm silicon cacbua cũng được sử dụng trong lĩnh vực nghiên cứu để thực hiện nghiên cứu về vật liệu và thiết bị mới.Ngoài ra, tấm silicon cacbua cũng được sử dụng rộng rãi trong quang điện tử, chẳng hạn như sản xuất đèn led và điốt laser.
Thông số kỹ thuật của wafer SiC 4 inch
Đường kính wafer nền đơn tinh thể silicon cacbua 4 inch có đường kính 4 inch (khoảng 101,6mm), bề mặt hoàn thiện lên tới Ra <0,5 nm, độ dày 600 ± 25 μm.Độ dẫn điện của wafer là loại N hoặc loại P và có thể được tùy chỉnh theo nhu cầu của khách hàng.Ngoài ra, chip còn có độ ổn định cơ học tuyệt vời, có thể chịu được một áp lực và độ rung nhất định.
Tấm wafer nền đơn tinh thể silicon cacbua inch là vật liệu hiệu suất cao được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực bán dẫn, nghiên cứu và quang điện tử.Nó có tính dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt độ cao, thích hợp cho việc chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao và nghiên cứu vật liệu mới.Chúng tôi cung cấp nhiều thông số kỹ thuật và tùy chọn tùy chỉnh để đáp ứng nhiều nhu cầu khác nhau của khách hàng.Vui lòng chú ý đến trang web độc lập của chúng tôi để tìm hiểu thêm về thông tin sản phẩm tấm silicon cacbua.
Công việc chính: Tấm silicon cacbua, tấm nền đơn tinh thể cacbua silic, 4 inch, độ dẫn nhiệt, độ ổn định cơ học, khả năng chịu nhiệt độ cao, bóng bán dẫn điện, mạch tích hợp, mô-đun nguồn, đèn led, điốt laser, hoàn thiện bề mặt, độ dẫn điện, tùy chọn tùy chỉnh
Sơ đồ chi tiết
