Màn hình GaN trên kính 4 inch: Tùy chọn kính bao gồm JGS1, JGS2, BF33 và kính thạch anh thông thường.
Đặc trưng
●Khe hở băng rộng:GaN có độ rộng vùng cấm 3,4 eV, cho phép đạt hiệu suất cao hơn và độ bền tốt hơn trong điều kiện điện áp cao và nhiệt độ cao so với các vật liệu bán dẫn truyền thống như silicon.
●Các chất nền thủy tinh có thể tùy chỉnh:Có sẵn các tùy chọn kính JGS1, JGS2, BF33 và kính thạch anh thông thường để đáp ứng các yêu cầu về hiệu suất nhiệt, cơ học và quang học khác nhau.
●Độ dẫn nhiệt cao:Độ dẫn nhiệt cao của GaN đảm bảo khả năng tản nhiệt hiệu quả, khiến các tấm wafer này trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện và các thiết bị tạo ra nhiệt lượng cao.
●Điện áp đánh thủng cao:Khả năng chịu được điện áp cao của GaN khiến các tấm wafer này phù hợp cho các bóng bán dẫn công suất và các ứng dụng tần số cao.
● Độ bền cơ học tuyệt vời:Các chất nền thủy tinh, kết hợp với các đặc tính của GaN, mang lại độ bền cơ học vượt trội, tăng cường độ bền của tấm wafer trong các môi trường khắc nghiệt.
●Giảm chi phí sản xuất:So với các tấm wafer GaN trên silicon hoặc GaN trên sapphire truyền thống, GaN trên thủy tinh là giải pháp tiết kiệm chi phí hơn cho sản xuất quy mô lớn các thiết bị hiệu năng cao.
●Tính chất quang học được tùy chỉnh:Nhiều tùy chọn về loại kính cho phép tùy chỉnh các đặc tính quang học của tấm wafer, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng trong quang điện tử và quang học.
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Giá trị |
| Kích thước wafer | 4 inch |
| Các tùy chọn chất nền thủy tinh | JGS1, JGS2, BF33, Thạch anh thông thường |
| Độ dày lớp GaN | 100 nm – 5000 nm (có thể tùy chỉnh) |
| Khoảng cách vùng cấm GaN | 3,4 eV (khoảng cách vùng cấm rộng) |
| Điện áp đánh thủng | Lên đến 1200V |
| Độ dẫn nhiệt | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Độ linh động của electron | 2000 cm²/V·s |
| Độ nhám bề mặt tấm bán dẫn | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Điện trở suất tấm GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Điện trở suất | Bán cách điện, loại N, loại P (có thể tùy chỉnh) |
| Truyền dẫn quang học | >80% đối với bước sóng nhìn thấy được và tia cực tím |
| Biến dạng wafer | < 25 µm (tối đa) |
| Hoàn thiện bề mặt | SSP (đánh bóng một mặt) |
Ứng dụng
Quang điện tử:
Các tấm wafer GaN trên nền thủy tinh được sử dụng rộng rãi trongĐèn LEDVàđiốt laserNhờ hiệu suất cao và khả năng quang học vượt trội của GaN. Khả năng lựa chọn các chất nền thủy tinh như...JGS1VàJGS2Cho phép tùy chỉnh độ trong suốt quang học, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, độ sáng cao.Đèn LED xanh dương/xanh lá câyVàtia laser UV.
Quang học:
Các tấm wafer GaN trên nền thủy tinh rất lý tưởng chobộ tách sóng quang, mạch tích hợp quang tử (PIC), Vàcảm biến quang họcĐặc tính truyền ánh sáng tuyệt vời và độ ổn định cao trong các ứng dụng tần số cao khiến chúng trở nên phù hợp cho...thông tin liên lạcVàcông nghệ cảm biến.
Điện tử công suất:
Nhờ có dải năng lượng rộng và điện áp đánh thủng cao, các tấm wafer GaN trên nền thủy tinh được sử dụng trong...bóng bán dẫn công suất caoVàchuyển đổi năng lượng tần số caoKhả năng chịu được điện áp cao và tản nhiệt tốt của GaN khiến nó trở nên hoàn hảo cho...bộ khuếch đại công suất, Transistor công suất RF, Vàđiện tử công suấttrong các ứng dụng công nghiệp và tiêu dùng.
Ứng dụng tần số cao:
Các tấm wafer GaN trên nền thủy tinh thể hiện đặc tính tuyệt vời.độ linh động của electronvà có thể hoạt động ở tốc độ chuyển mạch cao, khiến chúng trở nên lý tưởng chothiết bị nguồn tần số cao, thiết bị vi sóng, VàBộ khuếch đại RFĐây là những thành phần quan trọng trongHệ thống truyền thông 5G, hệ thống radar, Vàliên lạc vệ tinh.
Ứng dụng trong ngành ô tô:
Các tấm wafer GaN trên nền kính cũng được sử dụng trong hệ thống điện ô tô, đặc biệt là trong...bộ sạc trên xe (OBC)VàBộ chuyển đổi DC-DCDành cho xe điện (EV). Khả năng chịu được nhiệt độ và điện áp cao của các tấm bán dẫn cho phép chúng được sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất cho xe điện, mang lại hiệu quả và độ tin cậy cao hơn.
Thiết bị y tế:
Các đặc tính của GaN cũng khiến nó trở thành một vật liệu hấp dẫn để sử dụng tronghình ảnh y tếVàcảm biến y sinhKhả năng hoạt động ở điện áp cao và khả năng chống bức xạ khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trong...thiết bị chẩn đoánVàlaser y tế.
Hỏi & Đáp
Câu 1: Tại sao GaN trên nền kính lại là một lựa chọn tốt hơn so với GaN trên nền silicon hoặc GaN trên nền sapphire?
A1:Lớp phủ GaN trên nền kính mang lại một số ưu điểm, bao gồm:hiệu quả chi phíVàquản lý nhiệt tốt hơnMặc dù GaN trên silicon và GaN trên sapphire mang lại hiệu suất tuyệt vời, nhưng chất nền thủy tinh lại rẻ hơn, dễ kiếm hơn và có thể tùy chỉnh về các đặc tính quang học và cơ học. Ngoài ra, các tấm wafer GaN trên thủy tinh mang lại hiệu suất tuyệt vời ở cả hai khía cạnh.quang họcVàứng dụng điện tử công suất cao.
Câu 2: Sự khác biệt giữa các tùy chọn kính JGS1, JGS2, BF33 và kính thạch anh thông thường là gì?
A2:
- JGS1VàJGS2là các chất nền thủy tinh quang học chất lượng cao nổi tiếng với đặc tính của chúng.độ trong suốt quang học caoVàsự giãn nở nhiệt thấp, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các thiết bị quang tử và quang điện tử.
- BF33kính cung cấpchỉ số khúc xạ cao hơnvà lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất quang học nâng cao, chẳng hạn nhưđiốt laser.
- Thạch anh thông thườngcung cấp chất lượng caođộ ổn định nhiệtVàkhả năng chống bức xạĐiều này giúp sản phẩm phù hợp với các ứng dụng trong môi trường nhiệt độ cao và khắc nghiệt.
Câu 3: Tôi có thể tùy chỉnh điện trở suất và loại pha tạp cho các tấm wafer GaN trên nền kính không?
A3:Vâng, chúng tôi cung cấpđiện trở suất có thể tùy chỉnhVàcác loại doping(Loại N hoặc loại P) cho các tấm wafer GaN trên nền kính. Tính linh hoạt này cho phép tùy chỉnh các tấm wafer cho các ứng dụng cụ thể, bao gồm các thiết bị điện tử công suất, đèn LED và hệ thống quang tử.
Câu 4: Các ứng dụng điển hình của GaN trên nền kính trong quang điện tử là gì?
A4:Trong lĩnh vực quang điện tử, các tấm wafer GaN trên nền thủy tinh thường được sử dụng để...đèn LED xanh dương và xanh lá cây, tia laser UV, Vàbộ tách sóng quangCác đặc tính quang học có thể tùy chỉnh của thủy tinh cho phép tạo ra các thiết bị có độ chính xác cao.truyền ánh sáng, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trongcông nghệ hiển thị, ánh sáng, Vàhệ thống truyền thông quang học.
Câu 5: GaN trên nền kính hoạt động như thế nào trong các ứng dụng tần số cao?
A5:Các tấm wafer GaN trên nền kính cung cấpkhả năng di chuyển điện tử tuyệt vời, cho phép họ thể hiện tốt trongứng dụng tần số caochẳng hạn nhưBộ khuếch đại RF, thiết bị vi sóng, VàHệ thống truyền thông 5GĐiện áp đánh thủng cao và tổn hao chuyển mạch thấp khiến chúng phù hợp cho...thiết bị RF công suất cao.
Câu 6: Điện áp đánh thủng điển hình của tấm wafer GaN trên nền kính là bao nhiêu?
A6:Các tấm wafer GaN trên nền kính thường hỗ trợ điện áp đánh thủng lên đến1200V, khiến chúng trở nên phù hợp vớicông suất caoVàđiện áp caocác ứng dụng của chúng. Khoảng cách vùng cấm rộng cho phép chúng chịu được điện áp cao hơn so với các vật liệu bán dẫn thông thường như silicon.
Câu 7: Có thể sử dụng tấm wafer GaN trên nền kính trong các ứng dụng ô tô không?
A7:Đúng vậy, các tấm wafer GaN trên nền kính được sử dụng trong...điện tử công suất ô tô, bao gồmBộ chuyển đổi DC-DCVàbộ sạc trên xe(OBC) dành cho xe điện. Khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao và chịu được điện áp cao khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi khắt khe này.
Phần kết luận
Các tấm wafer GaN trên nền kính 4 inch của chúng tôi cung cấp một giải pháp độc đáo và có thể tùy chỉnh cho nhiều ứng dụng trong quang điện tử, điện tử công suất và quang tử học. Với các tùy chọn chất nền kính như JGS1, JGS2, BF33 và thạch anh thông thường, các tấm wafer này mang lại tính linh hoạt về cả đặc tính cơ học và quang học, cho phép tạo ra các giải pháp tùy chỉnh cho các thiết bị công suất cao và tần số cao. Cho dù là cho đèn LED, điốt laser hay các ứng dụng RF, tấm wafer GaN trên nền kính đều đáp ứng được.
Sơ đồ chi tiết
