GaN trên kính 4 inch: Các tùy chọn kính có thể tùy chỉnh bao gồm JGS1, JGS2, BF33 và Quartz thông thường
Đặc trưng
●Khoảng cách băng thông rộng:GaN có khoảng cách dải 3,4 eV, cho phép đạt hiệu suất cao hơn và độ bền tốt hơn trong điều kiện điện áp cao và nhiệt độ cao so với các vật liệu bán dẫn truyền thống như silicon.
●Chất nền kính có thể tùy chỉnh:Có sẵn các tùy chọn kính JGS1, JGS2, BF33 và kính thạch anh thông thường để đáp ứng các yêu cầu khác nhau về hiệu suất nhiệt, cơ học và quang học.
●Độ dẫn nhiệt cao:Độ dẫn nhiệt cao của GaN đảm bảo tản nhiệt hiệu quả, khiến các tấm wafer này trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện và thiết bị tạo ra nhiệt độ cao.
●Điện áp đánh thủng cao:Khả năng duy trì điện áp cao của GaN khiến các tấm wafer này phù hợp với các bóng bán dẫn công suất và ứng dụng tần số cao.
●Độ bền cơ học tuyệt vời:Chất nền thủy tinh kết hợp với các đặc tính của GaN mang lại độ bền cơ học mạnh mẽ, nâng cao độ bền của tấm wafer trong môi trường khắc nghiệt.
●Giảm chi phí sản xuất:So với các tấm wafer GaN-on-Silicon hoặc GaN-on-Sapphire truyền thống, GaN-on-glass là giải pháp tiết kiệm chi phí hơn cho việc sản xuất các thiết bị hiệu suất cao trên quy mô lớn.
●Tính chất quang học được điều chỉnh:Nhiều loại kính khác nhau cho phép tùy chỉnh các đặc tính quang học của tấm wafer, khiến nó phù hợp với các ứng dụng trong quang điện tử và quang tử.
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Giá trị |
| Kích thước wafer | 4 inch |
| Tùy chọn chất nền thủy tinh | JGS1, JGS2, BF33, Thạch anh thông thường |
| Độ dày lớp GaN | 100 nm – 5000 nm (có thể tùy chỉnh) |
| GaN Bandgap | 3,4 eV (khoảng cách băng thông rộng) |
| Điện áp đánh thủng | Lên đến 1200V |
| Độ dẫn nhiệt | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Độ di động của electron | 2000 cm²/V·s |
| Độ nhám bề mặt wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Điện trở tấm GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Điện trở suất | Bán cách điện, loại N, loại P (có thể tùy chỉnh) |
| Truyền dẫn quang học | >80% đối với bước sóng khả kiến và tia cực tím |
| Wafer cong vênh | < 25 µm (tối đa) |
| Hoàn thiện bề mặt | SSP (đánh bóng một mặt) |
Ứng dụng
Quang điện tử:
GaN trên tấm kính được sử dụng rộng rãi trongĐèn LEDVàđiốt laserdo hiệu suất quang học và hiệu suất cao của GaN. Khả năng lựa chọn các chất nền thủy tinh nhưJGS1VàJGS2cho phép tùy chỉnh độ trong suốt quang học, khiến chúng trở nên lý tưởng cho công suất cao, độ sáng caođèn LED xanh lam/xanh lụcVàTia laser UV.
Photonics:
Tấm wafer GaN trên kính lý tưởng chobộ tách sóng quang, mạch tích hợp quang tử (PIC), Vàcảm biến quang học. Tính chất truyền ánh sáng tuyệt vời và độ ổn định cao trong các ứng dụng tần số cao làm cho chúng phù hợp vớitruyền thôngVàcông nghệ cảm biến.
Điện tử công suất:
Do khoảng cách băng thông rộng và điện áp đánh thủng cao, các tấm wafer GaN trên kính được sử dụng trongbóng bán dẫn công suất caoVàchuyển đổi năng lượng tần số cao. Khả năng xử lý điện áp cao và tản nhiệt của GaN làm cho nó trở nên hoàn hảo chobộ khuếch đại công suất, Transistor công suất RF, Vàđiện tử công suấttrong các ứng dụng công nghiệp và tiêu dùng.
Ứng dụng tần số cao:
GaN trên tấm kính thể hiện tuyệt vờiđộ linh động của electronvà có thể hoạt động ở tốc độ chuyển mạch cao, khiến chúng trở nên lý tưởng chothiết bị điện tần số cao, thiết bị vi sóng, VàBộ khuếch đại RF. Đây là những thành phần quan trọng trongHệ thống truyền thông 5G, hệ thống radar, Vàthông tin vệ tinh.
Ứng dụng ô tô:
Tấm wafer GaN trên kính cũng được sử dụng trong hệ thống điện ô tô, đặc biệt là trongbộ sạc trên xe (OBC)VàBộ chuyển đổi DC-DCdành cho xe điện (EV). Khả năng chịu nhiệt độ và điện áp cao của wafer cho phép chúng được sử dụng trong thiết bị điện tử công suất cho EV, mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.
Thiết bị y tế:
Các đặc tính của GaN cũng làm cho nó trở thành một vật liệu hấp dẫn để sử dụng tronghình ảnh y tếVàcảm biến y sinh. Khả năng hoạt động ở điện áp cao và khả năng chống bức xạ của nó làm cho nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trongthiết bị chẩn đoánVàtia laser y tế.
Hỏi & Đáp
Câu hỏi 1: Tại sao GaN trên kính lại là lựa chọn tốt hơn so với GaN trên Silicon hoặc GaN trên Sapphire?
A1:GaN trên kính mang lại nhiều lợi thế, bao gồmhiệu quả về chi phíVàquản lý nhiệt tốt hơnTrong khi GaN trên silicon và GaN trên sapphire mang lại hiệu suất tuyệt vời, thì tấm nền thủy tinh lại rẻ hơn, dễ kiếm hơn và có thể tùy chỉnh về mặt quang học và cơ học. Hơn nữa, tấm wafer GaN trên kính mang lại hiệu suất tuyệt vời ở cả hai khía cạnh.quang họcVàứng dụng điện tử công suất cao.
Câu hỏi 2: Sự khác biệt giữa kính JGS1, JGS2, BF33 và kính thạch anh thông thường là gì?
A2:
- JGS1VàJGS2là chất nền thủy tinh quang học chất lượng cao được biết đến vớiđộ trong suốt quang học caoVàsự giãn nở nhiệt thấp, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các thiết bị quang tử và quang điện tử.
- BF33cung cấp kínhchiết suất cao hơnvà lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất quang học nâng cao, chẳng hạn nhưđiốt laser.
- Thạch anh thông thườngcung cấp caođộ ổn định nhiệtVàkhả năng chống bức xạ, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng ở nhiệt độ cao và môi trường khắc nghiệt.
Câu hỏi 3: Tôi có thể tùy chỉnh điện trở suất và loại pha tạp cho tấm wafer GaN trên kính không?
A3:Vâng, chúng tôi cung cấpđiện trở suất có thể tùy chỉnhVàcác loại doping(loại N hoặc loại P) cho wafer GaN trên kính. Tính linh hoạt này cho phép wafer được điều chỉnh cho phù hợp với các ứng dụng cụ thể, bao gồm thiết bị điện, đèn LED và hệ thống quang tử.
Câu hỏi 4: Ứng dụng điển hình của GaN trên kính trong quang điện tử là gì?
A4:Trong quang điện tử, các tấm wafer GaN trên kính thường được sử dụng chođèn LED xanh lam và xanh lục, Tia laser UV, Vàbộ tách sóng quang. Các đặc tính quang học có thể tùy chỉnh của kính cho phép các thiết bị có độ phân giải caotruyền ánh sáng, làm cho chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trongcông nghệ hiển thị, chiếu sáng, Vàhệ thống truyền thông quang học.
Câu hỏi 5: GaN trên kính hoạt động như thế nào trong các ứng dụng tần số cao?
A5:GaN-trên tấm kính cung cấptính di động điện tử tuyệt vời, cho phép họ thực hiện tốt trongứng dụng tần số caochẳng hạn nhưBộ khuếch đại RF, thiết bị vi sóng, VàHệ thống truyền thông 5G. Điện áp đánh thủng cao và tổn thất chuyển mạch thấp làm cho chúng phù hợp vớithiết bị RF công suất cao.
Câu 6: Điện áp đánh thủng điển hình của GaN trên tấm wafer thủy tinh là bao nhiêu?
A6:Các tấm wafer GaN trên kính thường hỗ trợ điện áp đánh thủng lên đến1200V, làm cho chúng phù hợp vớicông suất caoVàđiện áp caoứng dụng. Khoảng cách dải rộng của chúng cho phép chúng xử lý điện áp cao hơn so với các vật liệu bán dẫn thông thường như silicon.
Câu hỏi 7: Tấm wafer GaN trên kính có thể được sử dụng trong ứng dụng ô tô không?
A7:Có, GaN trên tấm kính được sử dụng trongđiện tử công suất ô tô, bao gồmBộ chuyển đổi DC-DCVàbộ sạc trên bo mạch(OBC) dành cho xe điện. Khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao và chịu được điện áp cao khiến chúng trở nên lý tưởng cho những ứng dụng đòi hỏi khắt khe này.
Phần kết luận
Tấm wafer GaN trên kính 4 inch của chúng tôi cung cấp giải pháp độc đáo và có thể tùy chỉnh cho nhiều ứng dụng trong quang điện tử, điện tử công suất và quang tử. Với các tùy chọn đế thủy tinh như JGS1, JGS2, BF33 và Quartz thông thường, những tấm wafer này mang lại tính linh hoạt về cả tính chất cơ học và quang học, cho phép tạo ra các giải pháp phù hợp cho các thiết bị công suất cao và tần số cao. Dù là ứng dụng cho đèn LED, điốt laser hay RF, wafer GaN trên kính
Sơ đồ chi tiết
