Tấm wafer lớp Epi 50,8mm 2 inch GaN trên sapphire
Ứng dụng của tấm epiticular gallium nitride GaN
Dựa trên hiệu suất của gallium nitride, chip epiticular gallium nitride chủ yếu phù hợp cho các ứng dụng công suất cao, tần số cao và điện áp thấp.
Nó được phản ánh ở chỗ:
1) Khoảng cách băng thông cao: Khoảng cách băng thông cao cải thiện mức điện áp của thiết bị gali nitrit và có thể tạo ra công suất cao hơn thiết bị gali arsenide, đặc biệt thích hợp cho các trạm gốc liên lạc 5G, radar quân sự và các lĩnh vực khác;
2) Hiệu suất chuyển đổi cao: điện trở của các thiết bị điện tử chuyển mạch gali nitride thấp hơn 3 bậc so với thiết bị silicon, có thể làm giảm đáng kể tổn thất khi chuyển mạch;
3) Độ dẫn nhiệt cao: độ dẫn nhiệt cao của gallium nitride làm cho nó có hiệu suất tản nhiệt tuyệt vời, thích hợp cho việc sản xuất các thiết bị công suất cao, nhiệt độ cao và các lĩnh vực khác của thiết bị;
4) Cường độ điện trường đánh thủng: Mặc dù cường độ điện trường đánh thủng của gali nitrit gần bằng silicon nitrit, nhưng do quá trình bán dẫn, mạng vật liệu không khớp và các yếu tố khác, khả năng chịu điện áp của thiết bị gali nitrit thường khoảng 1000V và điện áp sử dụng an toàn thường dưới 650V.
| Mục | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Kích thước | e 50,8mm ± 0,1mm | ||
| độ dày | 4,5 ± 0,5 ô | 4,5 ± 0,5um | |
| Định hướng | Mặt phẳng C (0001) ± 0,5 ° | ||
| Loại dẫn điện | Loại N (Không pha tạp) | Loại N (pha tạp Si) | Loại P (pha tạp Mg) |
| Điện trở suất (3O0K) | < 0,5Q・cm | < 0,05Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Nồng độ chất mang | < 5x1017cmt-3 | > 1x1018cmt-3 | > 6x1016cm-3 |
| Tính cơ động | ~ 300 cm2/Vs | ~ 200 cm2/Vs | ~ 10cm2/Vs |
| Mật độ trật khớp | Nhỏ hơn 5x108cmt-2(được tính bằng FWHM của XRD) | ||
| Cấu trúc nền | GaN trên Sapphire (Tiêu chuẩn: Tùy chọn SSP: DSP) | ||
| Diện tích bề mặt có thể sử dụng | > 90% | ||
| Bưu kiện | Được đóng gói trong môi trường phòng sạch cấp 100, trong hộp 25 chiếc hoặc hộp đựng wafer đơn, trong môi trường nitơ. | ||
* Độ dày khác có thể được tùy chỉnh
Sơ đồ chi tiết
