100mm 4 inch GaN trên tấm wafer Epi lớp Sapphire Tấm wafer epiticular Gallium nitride

(1) Nướng ở nhiệt độ cao, chất nền sapphire lần đầu tiên được làm nóng đến 1050oC trong môi trường hydro, mục đích là để làm sạch bề mặt chất nền;

(2) Khi nhiệt độ nền giảm xuống 510oC, lớp đệm GaN / AlN ở nhiệt độ thấp có độ dày 30nm được lắng đọng trên bề mặt nền sapphire;

(3) Nhiệt độ tăng lên 10oC, khí phản ứng amoniac, trimethylgallium và silane được bơm vào, lần lượt kiểm soát tốc độ dòng chảy tương ứng và GaN loại N pha tạp silicon có độ dày 4um được phát triển;

(4) Khí phản ứng của nhôm trimethyl và trimethyl gali được sử dụng để chế tạo các lục địa loại N loại A⒑ pha tạp silicon có độ dày 0,15um;

(5) InGaN pha tạp Zn 50nm được điều chế bằng cách bơm trimethylgallium, trimethylindium, diethylzinc và amoniac ở nhiệt độ 8O0oC và kiểm soát các tốc độ dòng chảy khác nhau tương ứng;

(6) Nhiệt độ được tăng lên 1020oC, trimethylaluminum, trimethylgallium và bis (cyclopentadienyl) magiê được tiêm để điều chế AlGaN loại P pha tạp 0,15um Mg và đường huyết loại P pha tạp 0,5um Mg;

(7) Màng GaN Sibuyan loại P chất lượng cao thu được bằng cách ủ trong môi trường nitơ ở 700oC;

(8) Khắc trên bề mặt ứ đọng G loại P để lộ bề mặt ứ đọng G loại N;

(9) Bay hơi các tấm tiếp xúc Ni/Au trên bề mặt p-GaNI, bay hơi các tấm tiếp xúc △/Al trên bề mặt ll-GaN để tạo thành các điện cực.