Mảng cảm biến quang PD Array nền wafer epitaxial InGaAs có thể được sử dụng cho LiDAR

Mô tả ngắn gọn:

Phim epitaxial InGaAs là vật liệu màng mỏng tinh thể đơn indium gallium arsenic (InGaAs) được hình thành bằng công nghệ phát triển epitaxial trên một chất nền cụ thể. Các chất nền epitaxial InGaAs phổ biến là indium phosphide (InP) và gallium arsenide (GaAs). Các vật liệu nền này có chất lượng tinh thể tốt và độ ổn định nhiệt, có thể cung cấp chất nền tuyệt vời cho sự phát triển của các lớp epitaxial InGaAs.
Mảng PD (Mảng phát hiện quang) là một mảng gồm nhiều bộ phát hiện quang có khả năng phát hiện nhiều tín hiệu quang cùng lúc. Tấm epitaxial được phát triển từ MOCVD chủ yếu được sử dụng trong các diode phát hiện quang, lớp hấp thụ được tạo thành từ U-InGaAs, độ pha tạp nền <5E14 và Zn khuếch tán có thể được hoàn thiện bởi khách hàng hoặc Epihouse. Các viên nén epitaxial được phân tích bằng các phép đo PL, XRD và ECV.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Các tính năng chính của tấm epitaxial laser InGaAs bao gồm

1. Phù hợp mạng: Có thể đạt được sự phù hợp mạng tốt giữa lớp epitaxial InGaAs và nền InP hoặc GaAs, do đó làm giảm mật độ khuyết tật của lớp epitaxial và cải thiện hiệu suất của thiết bị.
2. Khoảng cách dải có thể điều chỉnh: Khoảng cách dải của vật liệu InGaAs có thể đạt được bằng cách điều chỉnh tỷ lệ các thành phần In và Ga, giúp tấm epitaxial InGaAs có triển vọng ứng dụng rộng rãi trong các thiết bị quang điện tử.
3. Độ nhạy sáng cao: Màng epitaxial InGaAs có độ nhạy sáng cao, được sử dụng trong lĩnh vực phát hiện quang điện, truyền thông quang học và các ưu điểm độc đáo khác.
4. Độ ổn định nhiệt độ cao: Cấu trúc epitaxial InGaAs/InP có độ ổn định nhiệt độ cao tuyệt vời và có thể duy trì hiệu suất thiết bị ổn định ở nhiệt độ cao.

Các ứng dụng chính của viên nén epitaxial laser InGaAs bao gồm

1. Thiết bị quang điện tử: Các viên nén epitaxial InGaAs có thể được sử dụng để sản xuất điốt quang, bộ tách sóng quang và các thiết bị quang điện tử khác, có nhiều ứng dụng trong truyền thông quang học, nhìn ban đêm và các lĩnh vực khác.

2. Laser: Các tấm epitaxial InGaAs cũng có thể được sử dụng để sản xuất laser, đặc biệt là laser bước sóng dài, đóng vai trò quan trọng trong truyền thông cáp quang, xử lý công nghiệp và các lĩnh vực khác.

3. Pin mặt trời: Vật liệu InGaAs có phạm vi điều chỉnh khoảng cách dải rộng, có thể đáp ứng các yêu cầu về khoảng cách dải mà pin quang điện nhiệt yêu cầu, do đó tấm epitaxial InGaAs cũng có tiềm năng ứng dụng nhất định trong lĩnh vực pin mặt trời.

4. Chụp ảnh y tế: Trong các thiết bị chụp ảnh y tế (như CT, MRI, v.v.), để phát hiện và chụp ảnh.

5. Mạng cảm biến: trong giám sát môi trường và phát hiện khí, nhiều thông số có thể được giám sát đồng thời.

6. Tự động hóa công nghiệp: được sử dụng trong các hệ thống thị giác máy để theo dõi trạng thái và chất lượng của các đối tượng trên dây chuyền sản xuất.

Trong tương lai, các tính chất vật liệu của chất nền epitaxial InGaAs sẽ tiếp tục được cải thiện, bao gồm cải thiện hiệu suất chuyển đổi quang điện và giảm mức độ nhiễu. Điều này sẽ làm cho chất nền epitaxial InGaAs được sử dụng rộng rãi hơn trong các thiết bị quang điện tử và hiệu suất tuyệt vời hơn. Đồng thời, quá trình chế tạo cũng sẽ được tối ưu hóa liên tục để giảm chi phí và nâng cao hiệu quả, để đáp ứng nhu cầu của thị trường lớn hơn.

Nhìn chung, chất nền epitaxial InGaAs chiếm vị trí quan trọng trong lĩnh vực vật liệu bán dẫn với các đặc tính độc đáo và triển vọng ứng dụng rộng rãi.

XKH cung cấp các tùy chỉnh tấm epitaxial InGaAs với các cấu trúc và độ dày khác nhau, bao gồm nhiều ứng dụng cho các thiết bị quang điện tử, laser và pin mặt trời. Các sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, XKH có nhiều kênh nguồn quốc tế, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ có giá trị gia tăng như tinh chỉnh và phân khúc. Các quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hạn và đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng.