Các sản phẩm
-
Tấm wafer nền SiC 4 inch 4H-N Silicon Carbide Sản xuất Mô hình Cấp nghiên cứu
-
Cửa sổ Sapphire Dia50x5mmt có độ chính xác cao Khả năng chịu nhiệt độ cao và độ cứng cao
-
Tấm wafer silicon carbide SiC 6 inch 150mm loại 4H-N dùng cho nghiên cứu sản xuất MOS hoặc SBD và loại giả
-
Lỗ bước Dia25.4×2.0mmt Cửa sổ thấu kính quang học Sapphire
-
Hộp đựng wafer đơn 2 inch 50,8mm của PC và PP
-
Các thành phần quang học cửa sổ Sapphire được phủ nhiều kích thước thông số kỹ thuật Cửa sổ hồng ngoại quang học
-
2 inch 50,8mm Chất nền wafer Germanium Tinh thể đơn 1SP 2SP
-
Vật liệu đơn tinh thể LiNbO3 wafer 3 inch 4 inch 6 inch
-
Hộp đựng wafer đơn 2 inch 50,8mm của PC và PP
-
Tấm wafer Lithium Niobate 8 inch Tấm wafer LiNbO3 LN
-
GaN 50,8mm 2 inch trên wafer Epi-layer sapphire
-
Tấm wafer Sapphire 2 inch 50,8mm C-Plane M-plane R-plane A-plane Độ dày 350um 430um 500um