Màng mỏng SiO2 oxit nhiệt, tấm silicon 4 inch, 6 inch, 8 inch, 12 inch

Quy trình chính để sản xuất các tấm silicon oxy hóa thường bao gồm các bước sau: nuôi cấy silicon đơn tinh thể, cắt thành tấm, đánh bóng, làm sạch và oxy hóa.

Nuôi cấy silicon đơn tinh thể: Đầu tiên, silicon đơn tinh thể được nuôi cấy ở nhiệt độ cao bằng các phương pháp như phương pháp Czochralski hoặc phương pháp vùng nổi. Phương pháp này cho phép điều chế các tinh thể đơn silicon có độ tinh khiết cao và cấu trúc mạng tinh thể hoàn chỉnh.

Cắt lát: Silicon đơn tinh thể được nuôi cấy thường có hình trụ và cần được cắt thành các lát mỏng để sử dụng làm chất nền wafer. Việc cắt thường được thực hiện bằng máy cắt kim cương.

Đánh bóng: Bề mặt của tấm wafer đã cắt có thể không đều và cần được đánh bóng bằng phương pháp cơ học hóa học để có được bề mặt nhẵn mịn.

Làm sạch: Tấm wafer đã được đánh bóng sẽ được làm sạch để loại bỏ tạp chất và bụi bẩn.

Quá trình oxy hóa: Cuối cùng, các tấm silicon được đưa vào lò nung nhiệt độ cao để xử lý oxy hóa nhằm tạo thành một lớp silicon dioxide bảo vệ, giúp cải thiện các đặc tính điện và độ bền cơ học, cũng như đóng vai trò là lớp cách điện trong các mạch tích hợp.

Các ứng dụng chính của tấm silicon oxit bao gồm sản xuất mạch tích hợp, sản xuất pin mặt trời và sản xuất các thiết bị điện tử khác. Tấm silicon oxit được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực vật liệu bán dẫn nhờ các đặc tính cơ học tuyệt vời, độ ổn định về kích thước và hóa học, khả năng hoạt động ở nhiệt độ và áp suất cao, cũng như các đặc tính cách điện và quang học tốt.

Ưu điểm của nó bao gồm cấu trúc tinh thể hoàn chỉnh, thành phần hóa học tinh khiết, kích thước chính xác, tính chất cơ học tốt, v.v. Những đặc điểm này làm cho các tấm wafer oxit silic đặc biệt phù hợp cho việc sản xuất các mạch tích hợp hiệu năng cao và các thiết bị vi điện tử khác.