Các sản phẩm
-
Lớp cách điện SOI trên tấm wafer silicon 8 inch và 6 inch (Silicon-On-Insulator)
-
Tấm wafer SiC 8 inch, đường kính 200mm, loại giả 4H-N.
-
Màng mỏng SiO2 oxit nhiệt, tấm silicon 4 inch, 6 inch, 8 inch, 12 inch
-
Vòm sapphire trong suốt, độ cứng cao 9.0, chịu được mài mòn và áp suất cao.
-
Tấm wafer silicon trên chất cách điện (SOI) ba lớp dùng cho vi điện tử và tần số vô tuyến.
-
Ống, thanh sapphire trong suốt, chịu nhiệt độ cao, chịu áp suất cao, độ truyền sáng cao.
-
Khối IPL Sapphire 50*50*15mmt Lớp phủ điểm đóng băng
-
Trụ sapphire được đánh bóng hoàn toàn, chống mài mòn, trong suốt, đơn tinh thể.
-
Vòng đệm tròn bằng sapphire có độ cứng cao và khả năng chống mài mòn tốt.
-
Máy khắc đột dập hình trụ sapphire, máy CNC gia công thanh sapphire.
-
Đục lỗ vuông nhỏ tùy chỉnh cho kính sapphire.
-
Chất liệu Al2O3 màu tím sapphire dùng làm đá quý.