Tinh thể hạt vuông Sapphire – Chất nền định hướng chính xác cho sự phát triển Sapphire tổng hợp

Cácchức năng duy nhấtcủa tinh thể hạt sapphire làphát triển đá sapphire tổng hợp mớinhưng chúng không thể thiếu trong hầu hết các phương pháp sản xuất sapphire hiện đại.

Phương pháp Kyropoulos (KY)
Tinh thể hạt Sapphire được đặt vào alumina nóng chảy và làm nguội dần, khiến sapphire phát triển ra khỏi hạt. KY sản xuất các khối sapphire lớn, có ứng suất thấp, lý tưởng cho đế đèn LED và cửa sổ quang học.

Phương pháp Czochralski (CZ)

Tinh thể hạt Sapphire được gắn vào một thanh kéo, nhúng vào vật liệu nóng chảy, sau đó từ từ nâng lên và xoay. Sapphire "kéo" từ vật liệu nóng chảy dọc theo mạng lưới của hạt, tạo ra các tinh thể đồng nhất cao phục vụ cho mục đích quang học và khoa học.

Phương pháp trao đổi nhiệt (HEM)
Tinh thể hạt Sapphire nằm ở đáy lò nung, và sapphire sẽ phát triển hướng lên trên khi lò nung nguội dần từ bên dưới. HEM có thể tạo ra những khối sapphire lớn với ứng suất bên trong tối thiểu, được sử dụng rộng rãi cho cửa sổ hàng không vũ trụ và quang học laser.

Tăng trưởng nuôi cấy màng định hình cạnh (EFG)
Tinh thể Sapphire Seed Crystal nằm ở rìa khuôn; nhôm nóng chảy được nuôi dưỡng thông qua hiện tượng mao dẫn, giúp sapphire phát triển theo những hình dạng đặc biệt như thanh, ống và dải.