Tấm/khay gốm SiC cho giá đỡ wafer 4 inch 6 inch cho ICP

Mô tả ngắn gọn:

Tấm gốm SiC là một thành phần hiệu suất cao được chế tạo từ Silicon Carbide có độ tinh khiết cao, được thiết kế để sử dụng trong môi trường nhiệt độ, hóa chất và cơ học khắc nghiệt. Nổi tiếng với độ cứng, độ dẫn nhiệt và khả năng chống ăn mòn đặc biệt, tấm SiC được sử dụng rộng rãi như một chất mang wafer, susceptor hoặc thành phần cấu trúc trong các ngành công nghiệp bán dẫn, LED, quang điện và hàng không vũ trụ.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Tấm gốm SiC Tóm tắt

Với độ ổn định nhiệt vượt trội lên đến 1600°C và khả năng chống chịu tuyệt vời với khí phản ứng và môi trường plasma, tấm SiC đảm bảo hiệu suất nhất quán trong quá trình khắc, lắng đọng và khuếch tán ở nhiệt độ cao. Cấu trúc vi mô dày đặc, không xốp của nó giúp giảm thiểu sự hình thành hạt, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng siêu sạch trong môi trường chân không hoặc phòng sạch.

Ứng dụng tấm gốm SiC

1. Sản xuất chất bán dẫn

Tấm gốm SiC thường được sử dụng làm vật mang wafer, susceptor và tấm bệ trong thiết bị chế tạo chất bán dẫn như CVD (lắng đọng hơi hóa học), PVD (lắng đọng hơi vật lý) và hệ thống khắc. Độ dẫn nhiệt tuyệt vời và độ giãn nở nhiệt thấp của chúng cho phép chúng duy trì sự phân phối nhiệt độ đồng đều, điều này rất quan trọng đối với quá trình xử lý wafer có độ chính xác cao. Khả năng chống lại khí ăn mòn và plasma của SiC đảm bảo độ bền trong môi trường khắc nghiệt, giúp giảm ô nhiễm hạt và bảo trì thiết bị.

2. Ngành công nghiệp LED – Khắc ICP

Trong lĩnh vực sản xuất đèn LED, tấm SiC là thành phần chính trong hệ thống khắc ICP (Plasma cảm ứng). Hoạt động như giá đỡ wafer, chúng cung cấp nền tảng ổn định và bền nhiệt để hỗ trợ wafer sapphire hoặc GaN trong quá trình xử lý plasma. Khả năng chống plasma tuyệt vời, độ phẳng bề mặt và độ ổn định kích thước của chúng giúp đảm bảo độ chính xác và tính đồng nhất cao khi khắc, dẫn đến tăng năng suất và hiệu suất thiết bị trong chip LED.

3. Quang điện (PV) và năng lượng mặt trời

Tấm gốm SiC cũng được sử dụng trong sản xuất pin mặt trời, đặc biệt là trong các bước thiêu kết và ủ ở nhiệt độ cao. Tính trơ của chúng ở nhiệt độ cao và khả năng chống cong vênh đảm bảo quá trình xử lý các tấm wafer silicon nhất quán. Ngoài ra, nguy cơ ô nhiễm thấp của chúng rất quan trọng để duy trì hiệu quả của các tế bào quang điện.

Tính chất của tấm gốm SiC

1. Độ bền cơ học và độ cứng đặc biệt

Tấm gốm SiC thể hiện độ bền cơ học rất cao, với độ bền uốn điển hình vượt quá 400 MPa và độ cứng Vickers đạt >2000 HV. Điều này làm cho chúng có khả năng chống mài mòn cơ học, mài mòn và biến dạng cao, đảm bảo tuổi thọ lâu dài ngay cả khi chịu tải trọng cao hoặc chu kỳ nhiệt lặp đi lặp lại.

2. Độ dẫn nhiệt cao

SiC có độ dẫn nhiệt tuyệt vời (thường là 120–200 W/m·K), cho phép phân phối nhiệt đều trên bề mặt. Tính chất này rất quan trọng trong các quy trình như khắc wafer, lắng đọng hoặc thiêu kết, trong đó tính đồng nhất nhiệt độ ảnh hưởng trực tiếp đến năng suất và chất lượng sản phẩm.

3. Độ ổn định nhiệt cao

Với điểm nóng chảy cao (2700°C) và hệ số giãn nở nhiệt thấp (4,0 × 10⁻⁶/K), tấm gốm SiC duy trì độ chính xác về kích thước và tính toàn vẹn về cấu trúc trong các chu kỳ gia nhiệt và làm mát nhanh. Điều này làm cho chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trong lò nung nhiệt độ cao, buồng chân không và môi trường plasma.

Tính chất kỹ thuật
Mục lục	Đơn vị	Giá trị
Tên vật liệu		Phản ứng thiêu kết SiC	Silicon Carbide thiêu kết không áp suất	Silic cacbua kết tinh lại
Thành phần		RBSic	SSiC	R-SiC
Mật độ khối	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Độ bền uốn	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Sức mạnh nén	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Độ cứng	Knoop	2700	2800	/
Phá vỡ sự kiên trì	MPa m1/2	4,5	4	/
Độ dẫn nhiệt	Có/không	95	120	23
Hệ số giãn nở nhiệt	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Nhiệt dung riêng	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Nhiệt độ tối đa trong không khí	℃	1200	1500	1600
Mô đun đàn hồi	Điểm trung bình	360	410	240

Hỏi & Đáp về tấm gốm SiC

Q: Tính chất của tấm silicon carbide là gì?

MỘT: Tấm silicon carbide (SiC) được biết đến với độ bền, độ cứng và độ ổn định nhiệt cao. Chúng có độ dẫn nhiệt tuyệt vời và độ giãn nở nhiệt thấp, đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt. SiC cũng trơ về mặt hóa học, chống lại axit, kiềm và môi trường plasma, khiến nó trở nên lý tưởng cho quá trình xử lý chất bán dẫn và đèn LED. Bề mặt nhẵn, dày đặc của nó giúp giảm thiểu sự tạo ra hạt, duy trì khả năng tương thích với phòng sạch. Tấm SiC được sử dụng rộng rãi làm vật mang wafer, susceptor và các thành phần hỗ trợ trong môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn trong các ngành công nghiệp bán dẫn, quang điện và hàng không vũ trụ.