SiC
-
Thỏi bán cách điện Silicon Carbide 4H-SiC, loại dùng thử, kích thước 6 inch.
-
Thỏi SiC loại 4H, đường kính 4 inch, 6 inch, độ dày 5-10mm, dùng cho nghiên cứu/mẫu thử.
-
Tấm nền SiC Silicon Carbide loại 4H-N, độ cứng cao, chống ăn mòn, chất lượng cao, được đánh bóng.
-
Tấm wafer silicon carbide 2 inch, loại 6H-N, cấp độ cao cấp, cấp độ nghiên cứu, cấp độ tiêu chuẩn, độ dày 330μm và 430μm.
-
Tấm nền silicon carbide 2 inch, độ cứng 6H-N, đánh bóng hai mặt, đường kính 50,8mm, chất lượng sản xuất và chất lượng nghiên cứu.
-
Tấm nền composite SiC loại N, đường kính 6 inch, chất lượng cao, đơn tinh thể và chất lượng thấp.
-
Tấm nền composite SiC bán cách điện Đường kính 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch HPSI
-
SiC loại N trên chất nền composite Si, đường kính 6 inch.
-
Chất nền SiC đường kính 200mm, 4H-N và HPSI Silicon carbide
-
Đế SiC 3 inch, đường kính sản phẩm 76,2mm, 4H-N
-
Đế SiC loại P và D, đường kính 50mm, 4H-N, 2 inch
-
Phôi SiC loại 4H-N, cấp độ giả, kích thước 2 inch, 3 inch, 4 inch, 6 inch, độ dày: >10mm