SiC
-
Tấm wafer SiC Epitaxy 6 inch loại N/P, chấp nhận đặt hàng theo yêu cầu.
-
Đế SiC 6 inch, đường kính 150mm, 4H-N. Hàng sản xuất và hàng mẫu.
-
Tấm wafer SiC Epi 4 inch dùng cho MOS hoặc SBD
-
Thỏi SiC 2 inch, đường kính 50,8mm x 10mm, đơn tinh thể 4H-N.
-
Tấm wafer SiC 8 inch, đường kính 200mm, loại giả 4H-N.
-
Hạt mầm SiC 4H-N đường kính 205mm từ Trung Quốc, loại P và D, đơn tinh thể.
-
Tấm wafer SiC 4 inch, chất nền SiC bán cách điện 6H, loại cao cấp, dùng cho nghiên cứu và loại dùng thử.
-
Tấm wafer SiC HPSI 6 inch, tấm wafer SiC bán cách điện Silicon Carbide.
-
Tấm wafer SiC bán cách điện 4 inch, đế SiC HPSI chất lượng cao, cấp sản xuất chính.
-
Tấm wafer SiC bán dẫn 4H-Semi 3 inch 76,2mm Silicon Carbide (SiC) bán cách điện
-
Tấm nền SiC đường kính 3 inch, 76,2mm, HPSI Prime Research và Dummy grade
-
Mẫu thử nghiệm sản xuất (Production Dummy) và mẫu nghiên cứu (Research grade) của hãng 4H-semi HPSI.