SiC
-
Tấm wafer SiC 2 inch, chất nền SiC bán cách điện 6H hoặc 4H, đường kính 50,8mm.
-
Các tấm wafer Silicon Carbide 2 inch, loại N 6H hoặc 4H hoặc chất nền SiC bán cách điện.
-
Mẫu thử nghiệm sản xuất silicon carbide 4H-N 4 inch dành cho nghiên cứu
-
Tấm wafer Silicon Carbide (SiC) 6 inch (150mm) loại 4H-N dùng cho sản xuất MOS hoặc SBD, nghiên cứu và hàng mẫu.
-
Mẫu thử dẫn điện SiC 4H-N 8 inch (200mm) dùng trong nghiên cứu.
-
Các tấm wafer Silicon Carbide 2 inch, loại N 6H hoặc 4H hoặc chất nền SiC bán cách điện.