Chất nền
-
Tấm wafer silicon trên chất cách điện (SOI) ba lớp dùng cho vi điện tử và tần số vô tuyến.
-
Lớp cách điện SOI trên tấm wafer silicon 8 inch và 6 inch (Silicon-On-Insulator)
-
Tấm wafer SiC Epitaxy 6 inch loại N/P, chấp nhận đặt hàng theo yêu cầu.
-
Tấm gốm alumina 4 inch, độ tinh khiết 99%, cấu trúc đa tinh thể, chống mài mòn, độ dày 1mm.
-
Tấm wafer SiC 8 inch, đường kính 200mm, loại giả 4H-N.
-
Tấm wafer silicon dioxide (SiO2) dày, được đánh bóng, chất lượng cao và đạt tiêu chuẩn kiểm định.
-
Hạt mầm SiC 4H-N đường kính 205mm từ Trung Quốc, loại P và D, đơn tinh thể.
-
Tấm wafer silicon FZ CZ có sẵn, kích thước 12 inch, hàng chính hãng hoặc hàng đã qua kiểm tra.
-
Đế SiC 6 inch, đường kính 150mm, 4H-N. Hàng sản xuất và hàng mẫu.
-
Tấm wafer sapphire 3 inch đường kính 76,2mm độ dày 0,5mm mặt phẳng C SSP
-
Tấm wafer silicon 8 inch loại P/N (100) 1-100Ω chất nền tái chế giả
-
Tấm wafer SiC Epi 4 inch dùng cho MOS hoặc SBD