Tấm wafer silicon 8 inch P/N-type (100) 1-100Ω Chất nền thu hồi giả

Mô tả ngắn:

Kho lớn các tấm wafer được đánh bóng hai mặt, tất cả các tấm wafer có đường kính từ 50 đến 400mm Nếu thông số kỹ thuật của bạn không có trong kho của chúng tôi, chúng tôi đã thiết lập mối quan hệ lâu dài với nhiều nhà cung cấp có thể tùy chỉnh chế tạo các tấm wafer để phù hợp với bất kỳ thông số kỹ thuật duy nhất nào.Tấm wafer được đánh bóng hai mặt có thể được sử dụng cho silicon, thủy tinh và các vật liệu khác thường được sử dụng trong ngành bán dẫn.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Giới thiệu hộp wafer

Tấm wafer silicon 8 inch là vật liệu nền silicon thường được sử dụng và được sử dụng rộng rãi trong quy trình sản xuất mạch tích hợp.Những tấm silicon như vậy thường được sử dụng để chế tạo nhiều loại mạch tích hợp khác nhau, bao gồm bộ vi xử lý, chip nhớ, cảm biến và các thiết bị điện tử khác.Tấm silicon 8 inch thường được sử dụng để chế tạo chip có kích thước tương đối lớn, với các ưu điểm bao gồm diện tích bề mặt lớn hơn và khả năng tạo ra nhiều chip hơn trên một tấm silicon duy nhất, dẫn đến tăng hiệu quả sản xuất.Tấm wafer silicon 8 inch cũng có tính chất cơ học và hóa học tốt, phù hợp cho sản xuất mạch tích hợp quy mô lớn.

Tính năng sản phẩm

Loại P/N 8", tấm wafer silicon được đánh bóng (25 chiếc)

Định hướng: 200

Điện trở suất: 0,1 - 40 ohm·cm (Có thể thay đổi tùy theo từng đợt hàng)

Độ dày: 725 +/- 20um

Prime/Theo dõi/Kiểm tra lớp

ĐẶC TÍNH VẬT LIỆU

Tham số đặc trưng
Loại/Dopant P, Boron N, Phốt pho N, Antimon N, Asen
Định hướng <100>, <111> cắt định hướng theo thông số kỹ thuật của khách hàng
Hàm lượng oxy 1019ppmA Dung sai tùy chỉnh theo thông số kỹ thuật của khách hàng
Hàm lượng carbon < 0,6 trang/phút

TÍNH CHẤT CƠ HỌC

Tham số Xuất sắc Giám sát/Kiểm tra A Bài kiểm tra
Đường kính 200±0.2mm 200 ± 0,2mm 200 ± 0,5 mm
độ dày 725±20µm (tiêu chuẩn) 725±25µm(tiêu chuẩn) 450±25µm

625±25µm

1000±25µm

1300±25µm

1500±25 µm

725±50µm (tiêu chuẩn)
TTV < 5 µm < 10 µm < 15 µm
Cây cung < 30 µm < 30 µm < 50 µm
Bọc < 30 µm < 30 µm < 50 µm
Làm tròn cạnh BÁNSTD
Đánh dấu Chỉ SEMI-Flat chính, Căn hộ SEMI-STD Jeida Flat, Notch
Tham số Xuất sắc Giám sát/Kiểm tra A Bài kiểm tra
Tiêu chí mặt trước
Điều Kiện Bề MẶT Đánh bóng cơ học hóa học Đánh bóng cơ học hóa học Đánh bóng cơ học hóa học
Độ nhám bề mặt < 2 A° < 2 A° < 2 A°
Sự ô nhiễm

Hạt@ >0,3 µm

= 20 = 20 = 30
Sương mù, hố

vỏ cam

Không có Không có Không có
Cưa, Dấu

đường vân

Không có Không có Không có
Tiêu chí mặt sau
Vết nứt, vết chân quạ, vết cưa, vết ố Không có Không có Không có
Điều Kiện Bề MẶT ăn da khắc

Sơ đồ chi tiết

IMG_1463 (1)
IMG_1463 (2)
IMG_1463 (3)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi