Đế wafer GaN 8 inch trên sapphire, kích thước 200mm.
Giới thiệu sản phẩm
Tấm nền GaN trên sapphire 8 inch là vật liệu bán dẫn chất lượng cao bao gồm lớp Gallium Nitride (GaN) được nuôi cấy trên nền sapphire. Vật liệu này có đặc tính dẫn điện tuyệt vời và lý tưởng cho việc chế tạo các thiết bị bán dẫn công suất cao và tần số cao.
Phương pháp sản xuất
Quy trình sản xuất bao gồm sự phát triển màng mỏng GaN trên chất nền Sapphire bằng các kỹ thuật tiên tiến như lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD) hoặc epitaxy chùm phân tử (MBE). Quá trình lắng đọng được thực hiện trong điều kiện kiểm soát chặt chẽ để đảm bảo chất lượng tinh thể cao và độ đồng nhất của màng.
Ứng dụng
Tấm nền GaN trên sapphire 8 inch được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau, bao gồm truyền thông vi sóng, hệ thống radar, công nghệ không dây và quang điện tử. Một số ứng dụng phổ biến bao gồm:
1. Bộ khuếch đại công suất RF
2. Ngành công nghiệp chiếu sáng LED
3. Thiết bị truyền thông mạng không dây
4. Thiết bị điện tử dành cho môi trường nhiệt độ cao
5. Othiết bị quang điện tử
Thông số kỹ thuật sản phẩm
-Kích thước: Đường kính đế là 8 inch (200 mm).
- Chất lượng bề mặt: Bề mặt được đánh bóng đến độ mịn cao và có độ bóng như gương tuyệt vời.
- Độ dày: Độ dày lớp GaN có thể được tùy chỉnh dựa trên các yêu cầu cụ thể.
- Bao bì: Vật liệu nền được đóng gói cẩn thận bằng vật liệu chống tĩnh điện để tránh hư hỏng trong quá trình vận chuyển.
- Mặt phẳng định hướng: Chất nền có một mặt phẳng định hướng cụ thể để hỗ trợ việc căn chỉnh và xử lý tấm wafer trong quá trình chế tạo thiết bị.
- Các thông số khác: Độ dày, điện trở suất và nồng độ chất pha tạp có thể được điều chỉnh theo yêu cầu của khách hàng.
Với đặc tính vật liệu vượt trội và khả năng ứng dụng đa dạng, chất nền GaN trên sapphire 8 inch là lựa chọn đáng tin cậy cho việc phát triển các thiết bị bán dẫn hiệu năng cao trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau.
Bên cạnh GaN-trên-Sapphire, chúng tôi cũng cung cấp các sản phẩm cho lĩnh vực ứng dụng thiết bị điện, bao gồm các tấm wafer epitaxy AlGaN/GaN-trên-Si 8 inch và các tấm wafer epitaxy AlGaN/GaN-trên-Si P-cap 8 inch. Đồng thời, chúng tôi đã đổi mới ứng dụng công nghệ epitaxy GaN 8 inch tiên tiến của riêng mình trong lĩnh vực vi sóng, và phát triển tấm wafer epitaxy AlGaN/GAN-trên-HR Si 8 inch kết hợp hiệu suất cao với kích thước lớn, chi phí thấp và tương thích với quy trình chế tạo thiết bị 8 inch tiêu chuẩn. Bên cạnh gallium nitride gốc silicon, chúng tôi cũng có dòng sản phẩm wafer epitaxy AlGaN/GaN-trên-SiC để đáp ứng nhu cầu của khách hàng về vật liệu epitaxy gallium nitride gốc silicon.
Sơ đồ chi tiết
