GaN 200mm 8 inch trên nền wafer Epi-layer sapphire
Giới thiệu sản phẩm
Tấm nền GaN-on-Sapphire 8 inch là vật liệu bán dẫn chất lượng cao được tạo thành từ lớp Gallium Nitride (GaN) được phủ trên nền Sapphire. Vật liệu này có đặc tính truyền dẫn điện tử tuyệt vời và lý tưởng cho việc chế tạo các thiết bị bán dẫn công suất cao và tần số cao.
Phương pháp sản xuất
Quy trình sản xuất bao gồm việc phát triển epitaxy lớp GaN trên nền Sapphire bằng các kỹ thuật tiên tiến như lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) hoặc epitaxy chùm phân tử (MBE). Quá trình lắng đọng được thực hiện trong điều kiện được kiểm soát để đảm bảo chất lượng tinh thể cao và độ đồng đều của màng.
Ứng dụng
Tấm nền GaN-on-Sapphire 8 inch có nhiều ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, bao gồm truyền thông vi sóng, hệ thống radar, công nghệ không dây và quang điện tử. Một số ứng dụng phổ biến bao gồm:
1. Bộ khuếch đại công suất RF
2. Ngành công nghiệp chiếu sáng LED
3. Thiết bị truyền thông mạng không dây
4. Thiết bị điện tử cho môi trường nhiệt độ cao
5. Othiết bị điện tử
Thông số kỹ thuật sản phẩm
- Kích thước: Kích thước đế có đường kính là 8 inch (200 mm).
- Chất lượng bề mặt: Bề mặt được đánh bóng đến độ mịn cao và có chất lượng tuyệt vời như gương.
- Độ dày: Độ dày của lớp GaN có thể được tùy chỉnh dựa trên các yêu cầu cụ thể.
- Đóng gói: Sản phẩm được đóng gói cẩn thận bằng vật liệu chống tĩnh điện để tránh hư hỏng trong quá trình vận chuyển.
- Định hướng phẳng: Chất nền có định hướng phẳng cụ thể để hỗ trợ căn chỉnh và xử lý wafer trong quá trình chế tạo thiết bị.
- Các thông số khác: Các thông số cụ thể về độ dày, điện trở suất và nồng độ tạp chất có thể được điều chỉnh theo yêu cầu của khách hàng.
Với các đặc tính vật liệu vượt trội và ứng dụng đa dạng, tấm nền GaN-on-Sapphire 8 inch là sự lựa chọn đáng tin cậy cho việc phát triển các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau.
Ngoài GaN-On-Sapphire, chúng tôi còn cung cấp các ứng dụng trong lĩnh vực thiết bị điện, bao gồm wafer epitaxy AlGaN/GaN-on-Si 8 inch và wafer epitaxy AlGaN/GaN-on-Si 8 inch nắp P. Đồng thời, chúng tôi đã đổi mới ứng dụng công nghệ epitaxy GaN 8 inch tiên tiến của riêng mình trong lĩnh vực vi sóng và phát triển wafer epitaxy AlGaN/GAN-on-HR Si 8 inch kết hợp hiệu suất cao với kích thước lớn, chi phí thấp và tương thích với quy trình xử lý thiết bị 8 inch tiêu chuẩn. Ngoài gallium nitride gốc silicon, chúng tôi còn có dòng sản phẩm wafer epitaxy AlGaN/GaN-on-SiC để đáp ứng nhu cầu của khách hàng về vật liệu epitaxy gallium nitride gốc silicon.
Sơ đồ chi tiết
