200mm 8 inch GaN trên nền wafer lớp Epi bằng sapphire
Giới thiệu sản phẩm
Chất nền GaN-on-Sapphire 8 inch là vật liệu bán dẫn chất lượng cao bao gồm lớp Gallium Nitride (GaN) được trồng trên nền Sapphire. Vật liệu này có đặc tính truyền tải điện tử tuyệt vời và lý tưởng cho việc chế tạo các thiết bị bán dẫn công suất cao và tần số cao.
Phương pháp sản xuất
Quá trình sản xuất bao gồm sự tăng trưởng epiticular của lớp GaN trên đế Sapphire bằng cách sử dụng các kỹ thuật tiên tiến như lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) hoặc epit Wax chùm phân tử (MBE). Việc lắng đọng được thực hiện trong điều kiện được kiểm soát để đảm bảo chất lượng tinh thể cao và tính đồng nhất của màng.
Ứng dụng
Chất nền GaN-on-Sapphire 8 inch có ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau bao gồm truyền thông vi sóng, hệ thống radar, công nghệ không dây và quang điện tử. Một số ứng dụng phổ biến bao gồm:
1. Bộ khuếch đại công suất RF
2. Công nghiệp chiếu sáng LED
3. Thiết bị liên lạc mạng không dây
4. Thiết bị điện tử dùng cho môi trường nhiệt độ cao
5. Othiết bị quang điện tử
Thông số sản phẩm
-Kích thước: Kích thước nền có đường kính 8 inch (200 mm).
- Chất lượng bề mặt: Bề mặt được đánh bóng ở độ mịn cao và thể hiện chất lượng tuyệt vời như gương.
- Độ dày: Độ dày lớp GaN có thể được tùy chỉnh dựa trên yêu cầu cụ thể.
- Đóng gói: Nền được đóng gói cẩn thận bằng vật liệu chống tĩnh điện để tránh hư hỏng trong quá trình vận chuyển.
- Mặt phẳng định hướng: Chất nền có mặt phẳng định hướng cụ thể để hỗ trợ việc căn chỉnh và xử lý tấm bán dẫn trong quá trình chế tạo thiết bị.
- Các thông số khác: Các thông số cụ thể về độ dày, điện trở suất và nồng độ tạp chất có thể được điều chỉnh theo yêu cầu của khách hàng.
Với đặc tính vật liệu vượt trội và ứng dụng linh hoạt, chất nền GaN-on-Sapphire 8 inch là sự lựa chọn đáng tin cậy để phát triển các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao trong các ngành công nghiệp khác nhau.
Ngoại trừ GaN-On-Sapphire, chúng tôi cũng có thể cung cấp trong lĩnh vực ứng dụng thiết bị điện, dòng sản phẩm bao gồm các tấm epiticular AlGaN/GaN-on-Si 8 inch và tấm epiticular AlGaN/GaN-on-Si 8 inch P-cap AlGaN/GaN-on-Si bánh xốp. Đồng thời, chúng tôi đã đổi mới ứng dụng công nghệ epit Wax GaN 8 inch tiên tiến của riêng mình trong lĩnh vực vi sóng và phát triển tấm wafer epitaxy AlGaN/GAN-on-HR Si 8 inch kết hợp hiệu suất cao với kích thước lớn, chi phí thấp và tương thích với xử lý thiết bị 8 inch tiêu chuẩn. Ngoài gallium nitride gốc silicon, chúng tôi còn có dòng sản phẩm tấm epiticular AlGaN/GaN-on-SiC để đáp ứng nhu cầu của khách hàng về vật liệu epiticular gallium nitride gốc silicon.
Sơ đồ chi tiết
