Tấm wafer bán SiC 3 inch 76,2mm 4H Tấm wafer bán SiC Silicon Carbide bán cách điện

Tấm wafer bán SiC 3 inch 76,2mm 4H Tấm wafer bán SiC Silicon Carbide Tấm wafer bán cách điện Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer SiC đơn tinh thể chất lượng cao (Silicon Carbide) dùng trong ngành công nghiệp điện tử và quang điện tử. Tấm wafer SiC 3 inch là vật liệu bán dẫn thế hệ mới, tấm wafer silicon-carbide bán cách điện đường kính 3 inch. Tấm wafer này được dùng để chế tạo các thiết bị điện, RF và quang điện tử.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Thông số kỹ thuật sản phẩm

Tấm wafer bán cách điện SiC (silicon carbide) 4H 3 inch là vật liệu bán dẫn được sử dụng phổ biến. 4H biểu thị cấu trúc tinh thể tứ diện. Bán cách điện nghĩa là tấm nền có đặc tính điện trở cao và có thể phần nào cách ly khỏi dòng điện.

Các tấm wafer nền này có các đặc điểm sau: độ dẫn nhiệt cao, tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học và hóa học tuyệt vời. Do silicon carbide có khoảng cách năng lượng rộng và có thể chịu được nhiệt độ cao và điều kiện điện trường mạnh, wafer bán cách điện 4H-SiC được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất và các thiết bị tần số vô tuyến (RF).

Các ứng dụng chính của tấm bán cách điện 4H-SiC bao gồm:

1-Điện tử công suất: Tấm wafer 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị chuyển mạch công suất như MOSFET (Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại), IGBT (Transistor lưỡng cực cổng cách điện) và điốt Schottky. Các thiết bị này có tổn hao dẫn điện và chuyển mạch thấp hơn trong môi trường điện áp cao và nhiệt độ cao, đồng thời mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.

2- Thiết bị Tần số Vô tuyến (RF): Tấm bán dẫn 4H-SiC có thể được sử dụng để chế tạo bộ khuếch đại công suất RF tần số cao, công suất lớn, điện trở chip, bộ lọc và các thiết bị khác. Silicon carbide có hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt tốt hơn nhờ tốc độ trôi bão hòa electron lớn hơn và độ dẫn nhiệt cao hơn.

3--Thiết bị quang điện tử: Tấm bán dẫn 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất điốt laser công suất cao, máy dò tia UV và mạch tích hợp quang điện tử.

Về định hướng thị trường, nhu cầu về wafer bán cách điện 4H-SiC đang gia tăng cùng với sự phát triển của các lĩnh vực điện tử công suất, RF và quang điện tử. Điều này là do silicon carbide có phạm vi ứng dụng rộng rãi, bao gồm hiệu suất năng lượng, xe điện, năng lượng tái tạo và truyền thông. Trong tương lai, thị trường wafer bán cách điện 4H-SiC vẫn rất hứa hẹn và được kỳ vọng sẽ thay thế vật liệu silicon thông thường trong nhiều ứng dụng khác nhau.