Tấm silicon cacbua SiC 6 inch 150mm loại 4H-N dành cho nghiên cứu sản xuất MOS hoặc SBD và loại giả

Tấm wafer SiC cacbua silic 6 inch 150mm loại 4H-N dành cho nghiên cứu sản xuất MOS hoặc SBD và cấp độ giả

Mô tả ngắn gọn:

Chất nền đơn tinh thể cacbua silic 6 inch là vật liệu hiệu suất cao với các đặc tính vật lý và hóa học tuyệt vời. Được sản xuất từ vật liệu đơn tinh thể cacbua silic có độ tinh khiết cao, nó có tính dẫn nhiệt vượt trội, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt độ cao. Chất nền này, được chế tạo bằng quy trình sản xuất chính xác và vật liệu chất lượng cao, đã trở thành vật liệu được ưa chuộng để chế tạo các thiết bị điện tử hiệu suất cao trong nhiều lĩnh vực khác nhau.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Trường ứng dụng

Chất nền đơn tinh thể cacbua silic 6 inch đóng một vai trò quan trọng trong nhiều ngành công nghiệp. Thứ nhất, nó được sử dụng rộng rãi trong ngành bán dẫn để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao như bóng bán dẫn công suất, mạch tích hợp và mô-đun nguồn. Độ dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt độ cao cho phép tản nhiệt tốt hơn, giúp cải thiện hiệu suất và độ tin cậy. Thứ hai, tấm silicon cacbua rất cần thiết trong các lĩnh vực nghiên cứu để phát triển vật liệu và thiết bị mới. Ngoài ra, tấm bán dẫn silicon cacbua còn có ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực quang điện tử, bao gồm sản xuất đèn LED và điốt laze.

Thông số sản phẩm

Chất nền đơn tinh thể cacbua silic 6 inch có đường kính 6 inch (khoảng 152,4 mm). Độ nhám bề mặt là Ra <0,5 nm và độ dày là 600 ± 25 μm. Chất nền có thể được tùy chỉnh với độ dẫn loại N hoặc loại P, dựa trên yêu cầu của khách hàng. Hơn nữa, nó thể hiện sự ổn định cơ học đặc biệt, có khả năng chịu được áp lực và độ rung.

Đường kính		150±2.0mm(6inch)
độ dày		350μm±25μm
Định hướng		Trên trục ： <0001>±0,5°		Trục lệch: 4,0° về phía 1120±0,5°
đa hình		4H
Điện trở suất(Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Hướng phẳng chính		{10-10}±5,0°
Chiều dài phẳng chính (mm)		47,5mm±2,5mm
Bờ rìa		vát mép
TTV/Cung/Warp (um)		≤15 /<40 /<60
Mặt trước AFM (Mặt Si)		Ba Lan Ra<1 nm
		CMP Ra<0,5nm
LTV		3μm(10mm*10mm)	5μm(10mm*10mm)		10μm(10mm*10mm)
TTV		5μm	10μm		15μm
Vỏ cam/hố/vết nứt/nhiễm bẩn/vết ố/vết sọc		Không có	Không có		Không có
thụt lề		Không có	Không có		Không có

Chất nền đơn tinh thể silicon cacbua 6 inch là vật liệu hiệu suất cao được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn, nghiên cứu và quang điện tử. Nó có tính dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt độ cao, khiến nó thích hợp cho việc chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao và nghiên cứu vật liệu mới. Chúng tôi cung cấp các thông số kỹ thuật và tùy chọn tùy chỉnh khác nhau để đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng.Liên hệ với chúng tôi để biết thêm chi tiết về tấm silicon cacbua!