Tấm wafer silicon carbide SiC 6 inch 150mm loại 4H-N dùng cho nghiên cứu sản xuất MOS hoặc SBD và loại giả
Các lĩnh vực ứng dụng
Tấm nền tinh thể đơn silicon carbide 6 inch đóng vai trò quan trọng trong nhiều ngành công nghiệp. Đầu tiên, nó được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao như bóng bán dẫn công suất, mạch tích hợp và mô-đun công suất. Độ dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt độ cao của nó cho phép tản nhiệt tốt hơn, dẫn đến hiệu suất và độ tin cậy được cải thiện. Thứ hai, tấm wafer silicon carbide rất cần thiết trong các lĩnh vực nghiên cứu để phát triển các vật liệu và thiết bị mới. Ngoài ra, tấm wafer silicon carbide có nhiều ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử, bao gồm sản xuất đèn LED và điốt laser.
Thông số kỹ thuật sản phẩm
Tấm nền tinh thể đơn silicon carbide 6 inch có đường kính 6 inch (khoảng 152,4 mm). Độ nhám bề mặt là Ra < 0,5 nm và độ dày là 600 ± 25 μm. Tấm nền có thể được tùy chỉnh với độ dẫn điện loại N hoặc loại P, dựa trên yêu cầu của khách hàng. Hơn nữa, nó thể hiện độ ổn định cơ học đặc biệt, có khả năng chịu được áp suất và rung động.
| Đường kính | 150±2.0mm（6 inch） | ||||
| Độ dày | 350±25µm | ||||
| Định hướng | Trên trục ： <0001>±0.5° | Ngoài trục: 4.0° về phía 1120±0.5° | |||
| Đa dạng | 4H | ||||
| Điện trở suất (Ω·cm) | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | ||||
| Hướng phẳng chính | {10-10}±5,0° | ||||
| Chiều dài phẳng chính (mm) | 47,5mm±2,5mm | ||||
| Bờ rìa | vát mép | ||||
| TTV/Cung/Cánh (um) | ≤15 /≤40 /≤60 | ||||
| AFM Mặt trước (Si-face) | Ba Lan Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| Giá trị vòng đời | ≤3μm(10mm*10mm) | ≤5μm(10mm*10mm) | ≤10μm(10mm*10mm) | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm | ||
| Vỏ cam/vết lõm/vết nứt/ô nhiễm/vết bẩn/vết sọc | Không có | Không có | Không có | ||
| thụt lề | Không có | Không có | Không có | ||
Tấm nền tinh thể đơn silicon carbide 6 inch là vật liệu hiệu suất cao được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn, nghiên cứu và quang điện tử. Nó có độ dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt độ cao, phù hợp để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao và nghiên cứu vật liệu mới. Chúng tôi cung cấp nhiều thông số kỹ thuật và tùy chọn tùy chỉnh khác nhau để đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng.Hãy liên hệ với chúng tôi để biết thêm thông tin chi tiết về tấm silicon carbide!
Sơ đồ chi tiết
