Tấm wafer Silicon Carbide (SiC) 6 inch (150mm) loại 4H-N dùng cho sản xuất MOS hoặc SBD, nghiên cứu và hàng mẫu.

Mô tả ngắn gọn:

Tấm nền đơn tinh thể silicon carbide 6 inch là vật liệu hiệu năng cao với các đặc tính vật lý và hóa học tuyệt vời. Được sản xuất từ vật liệu đơn tinh thể silicon carbide có độ tinh khiết cao, nó thể hiện khả năng dẫn nhiệt, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt độ cao vượt trội. Tấm nền này, được chế tạo bằng quy trình sản xuất chính xác và vật liệu chất lượng cao, đã trở thành vật liệu được ưa chuộng để chế tạo các thiết bị điện tử hiệu quả cao trong nhiều lĩnh vực.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Lĩnh vực ứng dụng

Tấm nền đơn tinh thể silicon carbide 6 inch đóng vai trò quan trọng trong nhiều ngành công nghiệp. Thứ nhất, nó được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn để chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao như transistor công suất, mạch tích hợp và module công suất. Độ dẫn nhiệt cao và khả năng chịu nhiệt độ cao giúp tản nhiệt tốt hơn, dẫn đến hiệu suất và độ tin cậy được cải thiện. Thứ hai, các tấm wafer silicon carbide rất cần thiết trong các lĩnh vực nghiên cứu để phát triển các vật liệu và thiết bị mới. Ngoài ra, tấm wafer silicon carbide còn được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực quang điện tử, bao gồm sản xuất đèn LED và diode laser.

Thông số kỹ thuật sản phẩm

Tấm nền đơn tinh thể silicon carbide 6 inch có đường kính 6 inch (khoảng 152,4 mm). Độ nhám bề mặt là Ra < 0,5 nm, và độ dày là 600 ± 25 μm. Tấm nền có thể được tùy chỉnh với độ dẫn điện loại N hoặc loại P, dựa trên yêu cầu của khách hàng. Hơn nữa, nó thể hiện độ ổn định cơ học vượt trội, có khả năng chịu được áp lực và rung động.

Đường kính		150±2.0mm (6 inch)
Độ dày		350 μm ± 25 μm
Định hướng		Trên trục: <0001>±0,5°		Lệch trục: 4,0° về phía 1120±0,5°
Đa hình		4H
Điện trở suất (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Định hướng phẳng chính		{10-10}±5,0°
Chiều dài phẳng chính (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Bờ rìa		Vát cạnh
TTV/Cung/Biến dạng (ừm)		≤15 /≤40 /≤60
Mặt trước AFM (mặt Si)		Độ nhám bề mặt Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Vỏ cam/hạt/vết nứt/ô nhiễm/vết bẩn/vết sọc		Không có	Không có		Không có
thụt lề		Không có	Không có		Không có

Tấm nền đơn tinh thể silicon carbide 6 inch là vật liệu hiệu năng cao được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn, nghiên cứu và quang điện tử. Nó có khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định cơ học và khả năng chịu nhiệt cao, thích hợp cho việc chế tạo các thiết bị điện tử công suất cao và nghiên cứu vật liệu mới. Chúng tôi cung cấp nhiều thông số kỹ thuật và tùy chọn tùy chỉnh để đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng.Hãy liên hệ với chúng tôi để biết thêm chi tiết về các tấm wafer silicon carbide!