Chất nền
-
Tấm wafer sapphire 3 inch đường kính 76,2mm độ dày 0,5mm mặt phẳng C SSP
-
Tấm wafer silicon 8 inch loại P/N (100) 1-100Ω chất nền tái chế giả
-
Tấm wafer SiC Epi 4 inch dùng cho MOS hoặc SBD
-
Bộ xử lý tín hiệu số (SSP/DSP) mặt phẳng C, tấm sapphire 12 inch.
-
Tấm wafer silicon 2 inch 50,8mm FZ N-Type SSP
-
Thỏi SiC 2 inch, đường kính 50,8mm x 10mm, đơn tinh thể 4H-N.
-
Khối sapphire mặt phẳng C 200kg, độ tinh khiết 99,999%, đơn tinh thể, phương pháp KY.
-
Tấm wafer silicon 4 inch FZ CZ N-Type DSP hoặc SSP loại dùng cho thử nghiệm
-
Tấm wafer SiC 4 inch, chất nền SiC bán cách điện 6H, loại cao cấp, dùng cho nghiên cứu và loại dùng thử.
-
Tấm wafer SiC HPSI 6 inch, tấm wafer SiC bán cách điện Silicon Carbide.
-
Tấm wafer SiC bán cách điện 4 inch, đế SiC HPSI chất lượng cao, cấp sản xuất chính.
-
Tấm wafer SiC bán dẫn 4H-Semi 3 inch 76,2mm Silicon Carbide (SiC) bán cách điện